英飛凌推出采用TO263-7封裝的新一代車規(guī)級1200 V CoolSiC™ MOSFET。這款新一代車規(guī)級碳化硅（SiC）MOSFET具有高功率密度和效率，能夠?qū)崿F(xiàn)雙向充電功能，并顯著降低了車載充電（OBC）和DC-DC應(yīng)用的系統(tǒng)成本。 相比第一代產(chǎn)品，1200 V CoolSiC系列的開關(guān)損耗降低了25%，具有同類最佳的開關(guān)性能。... （來源：新品頻道）
英飛凌 1200 V CoolSiC 溝槽式MOSFET 碳化硅（SiC）MOSFET 2023-7-3 11:36
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