隨著新一輪AI浪潮加速爆發，全球服務器市場持續繁榮，單臺服務器的配置和性能也在逐步提升。中金報告指出，服務器出貨量增加、AI服務器出貨占比擴大，帶動了內存接口芯片需求上漲，與此同時，DDR5滲透率提升以及子代迭代速度快對配套內存接口芯片及套片存在強需求。作為CPU與硬盤之間的數據橋梁，內存模... （來源：技術文章頻道）
牛芯半導體 DDR技術 服務器 2024-8-16 09:05
1、DDR系統的三種電源對于電源電壓，DDR SDRAM系統要求三個電源，分別為VDDQ、VTT和VREF。A、主電源VDD和VDDQ主電源的要求是VDDQ=VDD，VDDQ是給IO buffer供電的電源，VDD是給內核供電。但是一般的使用中都是把VDDQ和VDD合成一個電源使用。有的芯片還有專門的VDDL，是給DLL供電的，也和VDD使用同一電源即... （來源：技術文章頻道）
VTT電源 DDR 電源 2023-3-24 11:05
嵌入式閃存市場的領導者Spansion公司（紐約證交所代碼：CODE）日前宣布開始生產最新低容量串行閃存系列以擴大其產品陣容，并滿足消費類市場和大中華區的更多應用需求。最新4 Mb、8 Mb和16 Mb Spansion® FL-2K系列面向消費電子領域的代碼存儲應用，例如光盤驅動器、電纜和DSL調制解調器、打印機、路... （來源：新品頻道）
SpansionDDR器件 2012-9-20 15:09
賽普拉推出了首款單片具有144-Mbit密度的SRAM，該產品成為其65納米SRAM產品系列中的最新成員。新的144-Mbit QDRII, QDRII+, DDRII 和 DDRII+存儲器采用65納米工藝技術，由臺灣聯華電子（UMC）的芯片工廠代工生產。該產品擁有市場上最快的時鐘，速率可達550MHz，在36-bit I/O寬度的QDRII+器件中，整體數... （來源：新品頻道）
Cypress144-Mbit SRAM CY7C16xxKV18 2009-10-30 10:05
7月18日訊,Micron公司推出2Gb雙數據速率(DDR2)存儲器元件MT47H512M4HG.這種2Gb元件設計用來組成8GB大容量存儲器模塊,以比現有元件更小的空間和功耗為每個服務器提供更多的存儲器容量. MT47H512M4HG 2Gb DDR2元件樣品為用戶提供了先進存儲器解決方案.以前,Micron公司曾推出用于所有主要x86服務器平臺的... （來源：新品頻道）
存儲器 DDR2 DRAM 2005-8-3 15:40
MT18HTF12872Y:1GB VLP DDR RDIMM 6月29日訊,Micron公司推出非常小尺寸(VLP)的容量為512MB(64Mx72)和1GB(128Mx72)雙數據速率(DDR)和DDR2注冊的雙列直插存儲器模塊(RDIMM) MT18HTF6472Y-40EB3和MT18HTF12872Y-40EB4.Micron的VLP DDR RDIMM的高度只有18.3mm(0.72吋),采用垂直而不是斜角的存儲器插座,使... （來源：新品頻道）
存儲器 2005-6-30 15:26
2月20日訊，Infineon公司推出無緩沖的雙列直插存儲器模塊(DIMM)系列產品，容量有128MB,256MB 和512MB。她是基于256MB雙數據速率400Mbps(DDR400)存儲器，已經證明和Intel的指標兼容，能滿足JEDEC PC3200 3.2GBps帶寬指標，用作高性能臺式PC和工作站的主存儲器。DDR400支持最高性能的奔騰4處理器臺式機和... （來源：新品頻道）
存儲器 2003-2-26 13:44
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