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GlobalFoundries、Everspin聯合宣布,雙方已經達成新的合作,將利用GF 12LP(12nm FinFET)工藝來制造新一代STT-MRAM(自旋轉移矩磁阻內存),包括獨立的MRAM芯片和嵌入式的eMRAM。MRAM是一種非易失性存儲,其前景被廣泛看好,Intel、IBM、TDK、三星、希捷等行業巨頭多年來一直都在研究,讀寫速度可以媲美S... (來源:新聞頻道)
GF 12nm工藝MRAM芯片 2020-3-16 14:12
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