Allegro 創(chuàng)新柵極驅(qū)動(dòng)器助力工程師實(shí)現(xiàn)鈦金級(jí)效率和極佳功率密度,滿足嚴(yán)苛的 AI 和邊緣計(jì)算應(yīng)用需求 中國(guó) & 美國(guó)新罕布什爾州曼徹斯特,2025年11月25日 — 全球運(yùn)動(dòng)控制與節(jié)能系統(tǒng)電源及傳感解決方案領(lǐng)導(dǎo)者之一Allegro MicroSystems, Inc. (以下簡(jiǎn)稱“Allegro”,納斯達(dá)克... (來(lái)源:新聞?lì)l道)
開(kāi)關(guān)電源驅(qū)動(dòng)芯片 2025-11-25 13:20
隨著人工智能數(shù)據(jù)中心、電動(dòng)汽車等高能耗領(lǐng)域的能源需求激增,安森美半導(dǎo)體(Onsemi)推出垂直氮化鎵(vGaN)功率半導(dǎo)體,為相關(guān)領(lǐng)域的功率密度、效率和耐用性樹(shù)立新標(biāo)桿。這款新一代 GaN-on-GaN 功率器件采用垂直導(dǎo)電設(shè)計(jì),電流可垂直流經(jīng)化合物半導(dǎo)體,能實(shí)現(xiàn)更高工作電壓與更快開(kāi)關(guān)頻率,既達(dá)到節(jié)能... (來(lái)源:新聞?lì)l道)
安森美 2025-11-3 10:15
隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步,新型功率器件如碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)因其優(yōu)異的性能被廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。然而,這些器件在長(zhǎng)期連續(xù)使用后會(huì)出現(xiàn)老化現(xiàn)象,導(dǎo)致性能退化。如何在短時(shí)間內(nèi)準(zhǔn)確評(píng)估這些器件的老化特性,成為行業(yè)關(guān)注的焦點(diǎn)。 目前,針對(duì)功率器件的老化測(cè)試主要包括多種不同的測(cè)試... (來(lái)源:技術(shù)文章頻道)
泰克功率器件老化高溫老化測(cè)試 碳化硅 氮化鎵 2025-5-28 11:02
• 自劍橋大學(xué)分拆成立的CGD 獲得 C 輪融資,擴(kuò)大在劍橋、北美、中國(guó)臺(tái)灣和歐洲的業(yè)務(wù) • CGD 利用氮化鎵(GaN)開(kāi)發(fā)的節(jié)能半導(dǎo)體重塑電力電子的未來(lái) • CGD 的技術(shù)幫助電動(dòng)汽車和數(shù)據(jù)中心提高能效,為全球功率半導(dǎo)體行業(yè)帶來(lái)重大機(jī)遇 氮化鎵(GaN)功率器件的領(lǐng)先創(chuàng)新... (來(lái)源:新聞?lì)l道)
CGD功率半導(dǎo)體 2025-2-19 09:42
新封裝提供了更高的功率輸出、便于光學(xué)檢查、節(jié)省了系統(tǒng)成本,并提高了可靠性無(wú)晶圓廠環(huán)保科技半導(dǎo)體公司 Cambridge GaN Devices (CGD) 開(kāi)發(fā)了一系列高能效 GaN 功率器件,致力于打造更環(huán)保的電子器件。CGD 今日推出兩款新型 ICeGaN™ 產(chǎn)品系列 GaN 功率 IC 封裝,它們具有低熱阻并便于... (來(lái)源:新品頻道)
CGD GaN 功率 IC 封裝 2024-6-5 09:52
為電動(dòng)汽車、電動(dòng)工具、筆記本電腦和手機(jī)應(yīng)用開(kāi)發(fā)功率密度超過(guò)30 W/in3的140-240 W USB-PD適配器Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家無(wú)晶圓廠環(huán)保科技半導(dǎo)體公司,開(kāi)發(fā)了一系列高能效 GaN 功率器件,致力于打造更環(huán)保的電子器件。CGD 與與中國(guó)臺(tái)灣工業(yè)技術(shù)研究院(ITRI)簽署了諒解備忘錄,以鞏固... (來(lái)源:新聞?lì)l道)
CGD 中國(guó)臺(tái)灣工業(yè)技術(shù)研究院 GaN電源開(kāi)發(fā) 2024-5-30 10:26
Cascode GaN FET 動(dòng)態(tài)測(cè)試面臨的挑戰(zhàn) Cascode GaN FET 比其他類型的 GaN 功率器件更早進(jìn)入市場(chǎng),因?yàn)樗梢蕴峁┏jP(guān)操作并具有更寬的柵極驅(qū)動(dòng)電壓范圍。然而,電路設(shè)計(jì)人員發(fā)現(xiàn)該器件在實(shí)際電路中使用起來(lái)并不那么容易,因?yàn)樗苋菀装l(fā)生振蕩,并且其器件特性很難測(cè)量并獲得可重復(fù)的提取。許多設(shè)計(jì)人... (來(lái)源:技術(shù)文章頻道)
GaN 功率器件氮化鎵 2024-4-1 09:30
作者:Bill Schweber對(duì)更高效利用能源的推動(dòng)、更嚴(yán)格的法規(guī)要求以及低溫運(yùn)行的技術(shù)優(yōu)勢(shì),所有這些都為近來(lái)降低電機(jī)功耗的舉措提供了支持。雖然硅 MOSFET 等開(kāi)關(guān)技術(shù)已得到廣泛應(yīng)用,但它們往往無(wú)法滿足關(guān)鍵變頻器應(yīng)用對(duì)性能和效率的更高要求。氮化鎵 (GaN) 是一種寬帶隙 (WBG) FET 器件技術(shù),... (來(lái)源:技術(shù)文章頻道)
GaN 功率器件 電機(jī)變頻器 2024-3-29 11:03
GaN FET 在高頻 DC-DC 轉(zhuǎn)換器等電源系統(tǒng)中越來(lái)越受到青睞。因此,電力電子領(lǐng)域的大多數(shù)主要廠商都推出了氮化鎵 (GaN) 功率 FET,這些器件利用了GaN獨(dú)特的特性——減少柵極電荷 (Qg)、輸出電容 (COSS) 和反向恢復(fù)損耗——從而實(shí)現(xiàn)更快地切換并節(jié)省更多電量。GaN FET 的開(kāi)關(guān)速度非常快,因此可以使用更小... (來(lái)源:新聞?lì)l道)
氮化鎵功率器件 2024-3-25 14:36
2024年時(shí)逢應(yīng)用材料公司在華40周年,應(yīng)用材料公司將繼續(xù)參加3月20-22日在上海舉行的SEMICON China。同時(shí),集成電路科學(xué)技術(shù)大會(huì)(CSTIC)2024也將于3月17-18日在上海舉辦。應(yīng)用材料公司將在兩場(chǎng)盛會(huì)中發(fā)表多場(chǎng)主題演講并展示多篇學(xué)術(shù)海報(bào)。伴隨時(shí)代發(fā)展,半導(dǎo)體已成為電子信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展的基石,也是電子... (來(lái)源:新聞?lì)l道)
應(yīng)用材料公司 SEMICON CHINA 2024 2024-3-18 09:02