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在半導(dǎo)體工藝演進(jìn)到2nm,1nm甚至0.7nm等節(jié)點(diǎn)以后,晶體管結(jié)構(gòu)該如何演進(jìn)?2017年,imec推出了叉片晶體管(forksheet),作為環(huán)柵(GAA)晶體管的自然延伸。不過(guò),產(chǎn)業(yè)對(duì)其可制造心存疑慮,根據(jù)imec在2025年VSLI研討會(huì)上的最新聲明,這家研究巨頭開(kāi)發(fā)了一種全新的尖端叉片晶體管設(shè)計(jì)方法,解決了制造難題... (來(lái)源:技術(shù)文章頻道)
晶體管 2025-6-19 16:12
在半導(dǎo)體領(lǐng)域,隨著技術(shù)的不斷演進(jìn),對(duì)CMOS(互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體)可靠性的要求日益提高。特別是在人工智能(AI)、5G通信和高性能計(jì)算(HPC)等前沿技術(shù)的推動(dòng)下,傳統(tǒng)的可靠性測(cè)試方法已難以滿足需求。本文將探討脈沖技術(shù)在CMOS可靠性測(cè)試中的應(yīng)用,以及它如何助力這些新興技術(shù)的發(fā)展。引言對(duì)于研究... (來(lái)源:技術(shù)文章頻道)
CMOS 脈沖技術(shù)AI5G 2025-4-9 11:02
高性能通信、服務(wù)器和計(jì)算系統(tǒng)中的ASIC、FPGA和處理器需要使用能直接從12 V或中間總線生成1.0 V(或更低)電壓的核心電源——最大負(fù)載電流有時(shí)候可能高于200 A。這些電源必須滿足嚴(yán)格的效率和性能規(guī)格,且通常具備相對(duì)較小的PCB尺寸。LTC7852/LTC7852-1 6相雙輸出降壓控制器為這些電源提供高性能的靈活... (來(lái)源:技術(shù)文章頻道)
LTC7852 電源控制器 2024-12-27 11:00
在電源管理集成電路 (PMIC) 設(shè)計(jì)中,為確保PowerMOS器件滿足電流密度(EM)和導(dǎo)通電阻(RDSon)的指標(biāo)要求,傳統(tǒng)方法依賴于人工重復(fù)工作和版圖迭代調(diào)整。這個(gè)過(guò)程繁瑣耗時(shí)且易出錯(cuò)。為了更好優(yōu)化,設(shè)計(jì)廠商積極嘗試?yán)米詣?dòng)化工具,以提升設(shè)計(jì)效率和產(chǎn)品質(zhì)量。Empyrean Andes™ Power解決方案針對(duì)... (來(lái)源:新聞?lì)l道)
華大九天 PowerMOS 2024-12-25 14:36
在現(xiàn)代ULSI電路中溝道熱載流子(CHC)誘導(dǎo)的退化是一個(gè)重要的與可靠性相關(guān)的問(wèn)題。載流子在通過(guò)MOSFET通道的大電場(chǎng)加速時(shí)獲得動(dòng)能。當(dāng)大多數(shù)載流子到達(dá)漏極時(shí),熱載流子(動(dòng)能非常高的載流子)由于原子能級(jí)碰撞的沖擊電離,可以在漏極附近產(chǎn)生電子—空穴對(duì)。其他的可以注入柵極通道界面,打破Si-H鍵,增... (來(lái)源:技術(shù)文章頻道)
泰克 4200A 矩陣開(kāi)關(guān) CHC 2024-12-13 11:11
韓國(guó)8英寸純晶圓代工廠SK啟方半導(dǎo)體 (SK keyfoundry) 今日宣布推出HVIC(高壓集成電路)工藝技術(shù),從而擴(kuò)大和增強(qiáng)了高壓代工服務(wù)組合。SK啟方半導(dǎo)體的HVIC工藝特點(diǎn)在于,它可以在一個(gè)工藝中實(shí)現(xiàn)5V邏輯、25V高壓器件、650V+ nLDMOS(橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體)以及650V以上自舉二極管,這使得客... (來(lái)源:新聞?lì)l道)
SK啟方半導(dǎo)體 HVIC工藝技術(shù) 2024-10-25 08:55
隨著MOSFET柵極長(zhǎng)度的減小,熱載流子誘發(fā)的退化已成為重要的可靠性問(wèn)題之一。在熱載流子效應(yīng)中,載流子被通道電場(chǎng)加速并被困在氧化物中。這些被捕獲的電荷會(huì)引起測(cè)量器件參數(shù)的時(shí)間相關(guān)位移,例如閾值電壓 (VTH)、跨導(dǎo) (GM)以及線性 (IDLIN) 和飽和 (IDSAT) 漏極電流。隨著時(shí)間的推移,可能會(huì)發(fā)生... (來(lái)源:技術(shù)文章頻道)
測(cè)試 MOSFET衰退半導(dǎo)體 2024-9-19 13:12
ITEC推出了ADAT3 XF TwinRevolve倒裝芯片貼片機(jī),其運(yùn)行速度比現(xiàn)有機(jī)器快五倍,每小時(shí)完成多達(dá)60,000個(gè)倒裝芯片貼片。ITEC旨在通過(guò)更少的機(jī)器實(shí)現(xiàn)更高的生產(chǎn)率,幫助制造商減少工廠占地面積和運(yùn)行成本,從而實(shí)現(xiàn)更具競(jìng)爭(zhēng)力的總擁有成本(TCO)。 ADAT3XF TwinRevolve的設(shè)計(jì)充分考慮了用戶精度對(duì)精度的... (來(lái)源:新品頻道)
ITEC突破性倒裝芯片貼片機(jī) 2024-5-29 10:02
XP018平臺(tái)新增極具競(jìng)爭(zhēng)力的第二代高壓基礎(chǔ)器件全球公認(rèn)的卓越的模擬/混合信號(hào)晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries(“X-FAB”)今日宣布,更新其XP018高壓CMOS半導(dǎo)體制造平臺(tái),增加全新40V和60V高壓基礎(chǔ)器件——這些器件具有可擴(kuò)展SOA,提高運(yùn)行穩(wěn)健性。與上一代平臺(tái)相比,此次更新的第二代高壓基礎(chǔ)器件... (來(lái)源:新聞?lì)l道)
X-FAB CMOS代工 2024-5-20 15:20
致力于亞太地區(qū)市場(chǎng)的國(guó)際領(lǐng)先半導(dǎo)體元器件分銷(xiāo)商---大聯(lián)大控股宣布,其旗下友尚推出基于安森美(onsemi)NCP1681和NCP4390芯片以及SiC MOSFET的3KW高密度電源方案。 圖示1-大聯(lián)大友尚基于onsemi產(chǎn)品的3KW高密度電源方案的展示板圖 當(dāng)前,無(wú)論是汽車(chē)電動(dòng)化轉(zhuǎn)型還是光伏、儲(chǔ)能等新興市場(chǎng)的快速發(fā)展都對(duì)... (來(lái)源:技術(shù)文章頻道)
大聯(lián)大友尚集團(tuán)onsemi3KW高密度電源方案 2024-1-16 10:08
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