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繼日前業(yè)內(nèi)傳出存儲芯片大廠美光計劃對DDR4/DDR5漲價20%-30%的消息之后,近日三星也被傳出將在四季度對內(nèi)存產(chǎn)品漲價15%-30%的消息。 爆料稱,三星已通知大客戶今年第四季度DRAM類的LPDDR4X、LPDDR5/5X的協(xié)議價格預計上漲15%-30%以上。NAND類eMMC/UFS協(xié)議價格預計漲幅5%-10%。而將逐步停產(chǎn)的DDR4相關(guān)... (來源:新聞頻道)
三星DRAM漲價 2025-9-22 09:13
吞吐量仍然是一個問題,解決方案需要多種技術(shù)的結(jié)合。 事實證明,電子束檢測對于發(fā)現(xiàn) 5 納米以下尺寸的關(guān)鍵缺陷至關(guān)重要。現(xiàn)在的挑戰(zhàn)是如何加快這一流程,使其在經(jīng)濟上符合晶圓廠的接受度。 電子束檢測因靈敏度和吞吐量之間的權(quán)衡而臭名昭著,這使得在這些先進節(jié)點上利用電子束進行全面缺陷覆蓋尤... (來源:技術(shù)文章頻道)
電子束 2025-5-14 09:49
隨著汽車電子化和智能化的加速發(fā)展,車用存儲市場的需求日益增長,成為推動汽車產(chǎn)業(yè)升級的重要支柱。作為汽車電子的核心組件之一,NAND存儲方案與技術(shù)在滿足車規(guī)級高性能、高可靠性需求的同時,也面臨更高標準的挑戰(zhàn)。為滿足國內(nèi)市場的技術(shù)需求,北京矽成宣布推出自主技術(shù)研發(fā)的車用UFS 3.1存儲方案:&... (來源:新品頻道)
北京矽成 UFS 3.1 NAND存儲 2024-12-27 10:20
三星最新的QLC V-NAND綜合采用了多項突破性技術(shù),其中通道孔蝕刻技術(shù)能基于雙堆棧架構(gòu)實現(xiàn)最高單元層數(shù) 推出的三星首批QLC和TLC第九代V-NAND,為各種AI應(yīng)用提供優(yōu)質(zhì)內(nèi)存解決方案三星電子今日宣布,三星首款1太比特(Tb)四層單元(QLC)第九代V-NAND(V-NAND)已正式開始量產(chǎn)。 三星半導體1TB QL... (來源:新聞頻道)
三星V-NAND 2024-9-12 11:01
DRAM和NAND產(chǎn)品的可持續(xù)供貨渠道羅徹斯特電子與Intelligent Memory攜手合作,確保為工業(yè)應(yīng)用和嵌入式應(yīng)用提供傳統(tǒng)和成熟的DRAM和NAND存儲解決方案。 Intelligent Memory作為一家全球性企業(yè),多年來專注服務(wù)于工業(yè)用內(nèi)存市場和頂級用戶,時刻支持各行業(yè)客戶在工業(yè)市場領(lǐng)域中的持續(xù)發(fā)展。雖然領(lǐng)先的存... (來源:新聞頻道)
羅徹斯特電子Intelligent Memory存儲解決方案 2024-3-28 10:55
基于大語言模型的人工智能(AI)技術(shù)在過去十幾個月的時間里呈現(xiàn)出爆發(fā)式發(fā)展,全球已有多家企業(yè)向公眾開放其大模型產(chǎn)品,并且不乏多模態(tài)、內(nèi)容生成等進階應(yīng)用。然而,算力需求和部署速度之間的落差仍是推進生成式AI應(yīng)用落地的主要障礙之一。據(jù)測算,從小模型發(fā)展到大模型,10年間AI對算力的需求提升了... (來源:新聞頻道)
芯片成品制造微系統(tǒng)集成 2023-10-17 12:13
雙方簽訂合作協(xié)議,為優(yōu)質(zhì)的NAND產(chǎn)品提供持續(xù)支持羅徹斯特電子攜手天海存儲(SkyHigh Memory),為低容量、優(yōu)質(zhì)的NAND存儲解決方案提供持續(xù)支持。羅徹斯特電子是半導體全周期解決方案提供商,產(chǎn)品不僅包括停產(chǎn)元器件,還包括仍在量產(chǎn)的型號,而SkyHigh Memory專注于SLC和e.MMC NAND存儲解決方案。基于此... (來源:新聞頻道)
羅徹斯特電子天海存儲存儲器 2023-8-14 16:25
作者:泛林集團公司副總裁兼電介質(zhì)原子層沉積產(chǎn)品總經(jīng)理Aaron Fellis提升集成電路中的介電層性能可以在現(xiàn)在和未來的存儲器和邏輯電路發(fā)展中產(chǎn)生巨大的戰(zhàn)略影響。想象一下,在一個擠滿人的大房間里,每個人都有一條您需要的重要信息。他們都很樂意告訴您他們的信息,但問題是,他們都在同一時間說話。房... (來源:技術(shù)文章頻道)
沉積技術(shù)SPARC電薄膜串擾 2023-7-28 16:10
作者:Ralph Thomson隨著對新特性和功能需求的增加,大容量存儲在嵌入式工業(yè)應(yīng)用中的使用持續(xù)增長。雖然通過增加NAND芯片容量使更復雜的GUI和應(yīng)用成為可能;更快的接口和各種托管NAND解決方案的可用性;尋找能夠應(yīng)對極端環(huán)境需求的足夠固態(tài)存儲解決方案的挑戰(zhàn)仍然存在。幸運的是,NAND存儲介質(zhì)和控制器設(shè)... (來源:技術(shù)文章頻道)
3D NAND工業(yè)數(shù)據(jù)存儲 2022-11-30 10:48
隨著對新特性和功能需求的增加,大容量存儲在嵌入式工業(yè)應(yīng)用中的使用持續(xù)增長。雖然更復雜的GUI和應(yīng)用已經(jīng)通過增加NAND芯片容量而成為可能;更快的接口和各種托管NAND解決方案的可用性;尋找能夠應(yīng)對極端環(huán)境需求的足夠固態(tài)存儲解決方案的挑戰(zhàn)仍然存在。幸運的是,NAND存儲介質(zhì)和控制器設(shè)計的發(fā)展意味著現(xiàn)... (來源:技術(shù)文章頻道)
3D NAND 工業(yè)數(shù)據(jù)存儲 2022-10-25 14:21
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