<strike id="swwse"></strike>
隨著SSD（固態(tài)硬盤）向 “更高速度、更小體積、更低功耗” 升級，其對供電方案的要求愈發(fā)嚴(yán)格——既需在高速讀寫時(shí)提供穩(wěn)定大電流，又要在休眠時(shí)降低功耗；既要避免紋波影響數(shù)據(jù)準(zhǔn)確性，又能夠在掉電時(shí)快速放電保障安全。 為此，帝奧微專門推出3A同步降壓DC-DC DIO60843，以 &l... （來源：新品頻道）
SSD帝奧微DIO60843降壓DCDC 2025-10-31 09:09
盡管面臨產(chǎn)能過剩、工廠利用率低下及地緣政治動(dòng)蕩等多重挑戰(zhàn)，晶圓制造設(shè)備（WFE）市場仍憑借技術(shù)創(chuàng)新、器件架構(gòu)演進(jìn)和頭部企業(yè)的引領(lǐng)，保持穩(wěn)健增長態(tài)勢。預(yù)計(jì)至2030年，該市場規(guī)模將攀升至1840億美元。 當(dāng)前半導(dǎo)體行業(yè)呈現(xiàn)出明顯的產(chǎn)能過剩與結(jié)構(gòu)冗余。晶圓代工廠和IDM（整合設(shè)備制造商）雖面臨利... （來源：新聞?lì)l道）
晶圓制造 2025-10-13 09:11
繼日前業(yè)內(nèi)傳出存儲(chǔ)芯片大廠美光計(jì)劃對DDR4/DDR5漲價(jià)20%-30%的消息之后，近日三星也被傳出將在四季度對內(nèi)存產(chǎn)品漲價(jià)15%-30%的消息。 爆料稱，三星已通知大客戶今年第四季度DRAM類的LPDDR4X、LPDDR5/5X的協(xié)議價(jià)格預(yù)計(jì)上漲15%-30%以上。NAND類eMMC/UFS協(xié)議價(jià)格預(yù)計(jì)漲幅5%-10%。而將逐步停產(chǎn)的DDR4相關(guān)... （來源：新聞?lì)l道）
三星DRAM漲價(jià) 2025-9-22 09:13
吞吐量仍然是一個(gè)問題，解決方案需要多種技術(shù)的結(jié)合。 事實(shí)證明，電子束檢測對于發(fā)現(xiàn) 5 納米以下尺寸的關(guān)鍵缺陷至關(guān)重要。現(xiàn)在的挑戰(zhàn)是如何加快這一流程，使其在經(jīng)濟(jì)上符合晶圓廠的接受度。 電子束檢測因靈敏度和吞吐量之間的權(quán)衡而臭名昭著，這使得在這些先進(jìn)節(jié)點(diǎn)上利用電子束進(jìn)行全面缺陷覆蓋尤... （來源：技術(shù)文章頻道）
電子束 2025-5-14 09:49
隨著汽車電子化和智能化的加速發(fā)展，車用存儲(chǔ)市場的需求日益增長，成為推動(dòng)汽車產(chǎn)業(yè)升級的重要支柱。作為汽車電子的核心組件之一，NAND存儲(chǔ)方案與技術(shù)在滿足車規(guī)級高性能、高可靠性需求的同時(shí)，也面臨更高標(biāo)準(zhǔn)的挑戰(zhàn)。為滿足國內(nèi)市場的技術(shù)需求，北京矽成宣布推出自主技術(shù)研發(fā)的車用UFS 3.1存儲(chǔ)方案：&... （來源：新品頻道）
北京矽成 UFS 3．1 NAND存儲(chǔ) 2024-12-27 10:20
三星最新的QLC V-NAND綜合采用了多項(xiàng)突破性技術(shù)，其中通道孔蝕刻技術(shù)能基于雙堆棧架構(gòu)實(shí)現(xiàn)最高單元層數(shù) 推出的三星首批QLC和TLC第九代V-NAND，為各種AI應(yīng)用提供優(yōu)質(zhì)內(nèi)存解決方案三星電子今日宣布，三星首款1太比特（Tb）四層單元（QLC）第九代V-NAND（V-NAND）已正式開始量產(chǎn)。 三星半導(dǎo)體1TB QL... （來源：新聞?lì)l道）
三星V－NAND 2024-9-12 11:01
DRAM和NAND產(chǎn)品的可持續(xù)供貨渠道羅徹斯特電子與Intelligent Memory攜手合作，確保為工業(yè)應(yīng)用和嵌入式應(yīng)用提供傳統(tǒng)和成熟的DRAM和NAND存儲(chǔ)解決方案。 Intelligent Memory作為一家全球性企業(yè)，多年來專注服務(wù)于工業(yè)用內(nèi)存市場和頂級用戶，時(shí)刻支持各行業(yè)客戶在工業(yè)市場領(lǐng)域中的持續(xù)發(fā)展。雖然領(lǐng)先的存... （來源：新聞?lì)l道）
羅徹斯特電子Intelligent Memory存儲(chǔ)解決方案 2024-3-28 10:55
基于大語言模型的人工智能（AI）技術(shù)在過去十幾個(gè)月的時(shí)間里呈現(xiàn)出爆發(fā)式發(fā)展，全球已有多家企業(yè)向公眾開放其大模型產(chǎn)品，并且不乏多模態(tài)、內(nèi)容生成等進(jìn)階應(yīng)用。然而，算力需求和部署速度之間的落差仍是推進(jìn)生成式AI應(yīng)用落地的主要障礙之一。據(jù)測算，從小模型發(fā)展到大模型，10年間AI對算力的需求提升了... （來源：新聞?lì)l道）
芯片成品制造微系統(tǒng)集成 2023-10-17 12:13
雙方簽訂合作協(xié)議，為優(yōu)質(zhì)的NAND產(chǎn)品提供持續(xù)支持羅徹斯特電子攜手天海存儲(chǔ)（SkyHigh Memory），為低容量、優(yōu)質(zhì)的NAND存儲(chǔ)解決方案提供持續(xù)支持。羅徹斯特電子是半導(dǎo)體全周期解決方案提供商，產(chǎn)品不僅包括停產(chǎn)元器件，還包括仍在量產(chǎn)的型號，而SkyHigh Memory專注于SLC和e.MMC NAND存儲(chǔ)解決方案。基于此... （來源：新聞?lì)l道）
羅徹斯特電子天海存儲(chǔ)存儲(chǔ)器 2023-8-14 16:25
作者：泛林集團(tuán)公司副總裁兼電介質(zhì)原子層沉積產(chǎn)品總經(jīng)理Aaron Fellis提升集成電路中的介電層性能可以在現(xiàn)在和未來的存儲(chǔ)器和邏輯電路發(fā)展中產(chǎn)生巨大的戰(zhàn)略影響。想象一下，在一個(gè)擠滿人的大房間里，每個(gè)人都有一條您需要的重要信息。他們都很樂意告訴您他們的信息，但問題是，他們都在同一時(shí)間說話。房... （來源：技術(shù)文章頻道）
沉積技術(shù)SPARC電薄膜串?dāng)_ 2023-7-28 16:10
搜索到56條【NAND存儲(chǔ)】相關(guān)的全部。
搜索到56條【NAND存儲(chǔ)】相關(guān)的全部。
查看關(guān)鍵詞的分類頻道
