引言自從1989年國(guó)際整流器公司(IR)率先推出首款單片式高壓驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品以來(lái),高壓集成電路(HVIC)技術(shù)就開(kāi)始利用獲得專(zhuān)利的單片式結(jié)構(gòu),集成雙極器件、CMOS及橫向DMOS器件,設(shè)計(jì)出了擊穿電壓分別高于700V和1400V的產(chǎn)品;這些高壓驅(qū)動(dòng)芯片可以工作在600V和1200V偏置電壓下。2016年英飛凌完全收購(gòu)IR后,英飛凌... (來(lái)源:技術(shù)文章頻道)
PN結(jié)隔離(JI)技術(shù) 驅(qū)動(dòng)芯片 2022-4-11 14:15
作者:沈嵩 李青霞 在之前的技術(shù)文章中,介紹了驅(qū)動(dòng)芯片的概覽和PN結(jié)隔離(JI)技術(shù),本文會(huì)繼續(xù)介紹英飛凌的絕緣體上硅(SOI)驅(qū)動(dòng)芯片技術(shù)。高壓柵極驅(qū)動(dòng)IC的技術(shù)經(jīng)過(guò)長(zhǎng)期的發(fā)展,走向了絕緣體上硅(silicon-on-insulator,簡(jiǎn)稱(chēng)SOI),SOI指在硅的絕緣襯底上再形成一層薄的單晶硅,相對(duì)于傳統(tǒng)的導(dǎo)... (來(lái)源:技術(shù)文章頻道)
絕緣體上硅(SOI) 驅(qū)動(dòng)芯片技術(shù) 2022-4-1 15:10