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安森美：智能醫(yī)療領(lǐng)域的創(chuàng)新引領(lǐng)者

在智能醫(yī)療蓬勃發(fā)展的時(shí)代，半導(dǎo)體技術(shù)成為推動(dòng)行業(yè)進(jìn)步的關(guān)鍵力量。安森美（onsemi）作為該領(lǐng)域的重要參與者，憑借深厚的技術(shù)積累與前瞻布局，正積極塑造智能醫(yī)療的未來格局。近日，中電網(wǎng)采訪了安森美模擬與混合信號(hào)事業(yè)部業(yè)務(wù)拓展高級(jí)經(jīng)理 Henry Yang，與其一同探討在智能醫(yī)療領(lǐng)域，安森美如何深耕細(xì)...
半導(dǎo)體技術(shù)安森美智能醫(yī)療 2025-03-11

X-FAB推出基于其110nm車規(guī)BCD-on-SOI技術(shù)的嵌入式數(shù)據(jù)存儲(chǔ)解決方案

新IP將閃存與EEPROM元件相結(jié)合，增強(qiáng)數(shù)據(jù)保持能力，具備同類最佳的運(yùn)行可靠性全球公認(rèn)的卓越的模擬/混合信號(hào)晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）今日宣布一項(xiàng)非易失性存儲(chǔ)領(lǐng)域的重大創(chuàng)新。該創(chuàng)新利用X-FAB同類最佳的SONOS技術(shù)：基于其高壓BCD-on-SOI XT011這一110nm工藝節(jié)點(diǎn)平臺(tái)，X-FAB可為...
X－FABBCD－on－SOI技術(shù)嵌入式數(shù)據(jù)存儲(chǔ) 2024-12-05

安森美推出業(yè)界領(lǐng)先的模擬和混合信號(hào)平臺(tái)

Treo 平臺(tái)采用模塊化架構(gòu)，可加快智能電源管理、傳感器接口和通信解決方案的開發(fā)速度新聞概要• Treo 平臺(tái)基于 65 納米節(jié)點(diǎn)的 BCD 工藝技術(shù)，支持同行業(yè)領(lǐng)先的 1- 90V 寬電壓范圍和高達(dá) 175°C 的工作溫度• Treo 平臺(tái)將幫助客戶簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)流程，降低系統(tǒng)成本，并加快在汽車、醫(yī)療、工業(yè)、...
安森美模擬和混合信號(hào)平臺(tái)Treo 平臺(tái) 2024-11-12

SK啟方半導(dǎo)體推出HVIC工藝技術(shù)，擴(kuò)大高壓代工服務(wù)組合

韓國(guó)8英寸純晶圓代工廠SK啟方半導(dǎo)體 (SK keyfoundry) 今日宣布推出HVIC（高壓集成電路）工藝技術(shù)，從而擴(kuò)大和增強(qiáng)了高壓代工服務(wù)組合。SK啟方半導(dǎo)體的HVIC工藝特點(diǎn)在于，它可以在一個(gè)工藝中實(shí)現(xiàn)5V邏輯、25V高壓器件、650V+ nLDMOS（橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體）以及650V以上自舉二極管，這使得客...
SK啟方半導(dǎo)體HVIC工藝技術(shù) 2024-10-25

北方華創(chuàng)攜手睿科微賦能全球首顆嵌入式RRAM顯示驅(qū)動(dòng)芯片

日前，全球首顆采用嵌入式RRAM（Resistive Random Access Memory，阻變存儲(chǔ)器）存儲(chǔ)技術(shù)AMOLED顯示驅(qū)動(dòng)芯片完成開發(fā)和認(rèn)證。該新型嵌入式RRAM顯示驅(qū)動(dòng)芯片由存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)公司?？莆㈦娮覽1]提供技術(shù)支持，由北方華創(chuàng)提供刻蝕和薄膜設(shè)備及工藝解決方案。[1]合肥?？莆㈦娮佑邢薰?，專注于新型存儲(chǔ)器領(lǐng)域的...
北方華創(chuàng)?？莆?/a>嵌入式RRAM顯示驅(qū)動(dòng)芯... 2024-08-28

X－FAB增強(qiáng)其180納米車規(guī)級(jí)高壓CMOS代工解決方案

XP018平臺(tái)新增極具競(jìng)爭(zhēng)力的第二代高壓基礎(chǔ)器件全球公認(rèn)的卓越的模擬/混合信號(hào)晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）今日宣布，更新其XP018高壓CMOS半導(dǎo)體制造平臺(tái)，增加全新40V和60V高壓基礎(chǔ)器件——這些器件具有可擴(kuò)展SOA，提高運(yùn)行穩(wěn)健性。與上一代平臺(tái)相比，此次更新的第二代高壓基礎(chǔ)器件...
X－FABCMOS代工 2024-05-20

啟方半導(dǎo)體更名為“SK啟方半導(dǎo)體”

韓國(guó)8英寸純晶圓代工廠啟方半導(dǎo)體(Key Foundry)今日宣布，該公司正式更名為SK啟方半導(dǎo)體(SK keyfoundry)。新名稱已獲股東批準(zhǔn)，自2024年1月1日起生效。SK啟方半導(dǎo)體于去年年底在韓國(guó)及海外提交了商標(biāo)注冊(cè)申請(qǐng)，現(xiàn)已完成注冊(cè)。SK啟方半導(dǎo)體是一家8英寸代工廠，于2020年9月自美格納半導(dǎo)體獨(dú)立，2022年8月...
啟方半導(dǎo)體SK啟方半導(dǎo)體 2024-01-03

X－FAB率先向市場(chǎng)推出110納米BCD－on－SOI代工解決方案

新一代針對(duì)數(shù)字設(shè)計(jì)占比高的車規(guī)級(jí)工藝全球公認(rèn)的卓越的模擬/混合信號(hào)晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）今日宣布，X-FAB成為業(yè)界首家推出110納米BCD-on-SOI解決方案的代工廠，由此加強(qiáng)了其在BCD-on-SOI技術(shù)領(lǐng)域的突出地位。全新XT011 BCD-on-SOI平臺(tái)反映了模擬應(yīng)用中對(duì)更高數(shù)字集成和處理...
X－FABBCD－on－SOI代工解決... 2023-06-02

2022年全球成熟制程晶圓代工產(chǎn)能將增長(zhǎng)20%

根據(jù)TrendForce資料顯示，2022年全球晶圓代工產(chǎn)能年增約14%，其中八英寸產(chǎn)能因擴(kuò)產(chǎn)較不符合成本效益，增幅遠(yuǎn)低于整體產(chǎn)業(yè)平均，年增約6%，而12英寸年增幅則為18%。其中，12英寸新增產(chǎn)能當(dāng)中約65%為成熟制程（28nm及以上），該制程產(chǎn)能年增率達(dá)20%，顯見2022年各晶圓代工廠多半將擴(kuò)產(chǎn)重心放置于12英寸晶...
晶圓代工 2022-06-24

X-FAB宣布升級(jí)其襯底耦合分析工具，將BCD-on-SOI工藝納入其中

全球公認(rèn)的卓越的模擬/混合信號(hào)晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）今日宣布，擴(kuò)展其SubstrateXtractor工具應(yīng)用范圍，讓用戶可以借助這一工具檢查不想要的襯底耦合效應(yīng)。作為全球首家為BCD-on-SOI工藝提供此類分析功能的代工廠，X-FAB將這一最初面向XH018和XP018 180nm Bulk CMOS工藝...
X－FABBCD－on－SOI 2022-04-21

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