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應(yīng)用開發(fā)

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↓在新聞中搜索到 156 條關(guān)于“HBM”的信息，用時(shí):0.002 sec.

AI三巨頭聯(lián)手！SK海力士、臺(tái)積電、NVIDIA共同開發(fā)下一代HBM

半導(dǎo)體行業(yè)的三大巨頭SK海力士、臺(tái)積電和NVIDIA即將展開深度合作，共同開發(fā)下一代高頻寬內(nèi)存技術(shù)（HBM）。這一合作計(jì)劃預(yù)計(jì)將在9月的中國臺(tái)灣國際半導(dǎo)體展（Semicon Taiwan）上正式宣布，屆時(shí)SK海力士社長金柱善將發(fā)表專題演講。三方的合作將聚焦于HBM技術(shù)的研發(fā)，以期掌握AI服務(wù)器關(guān)鍵零組件的制高點(diǎn)，...
AIHBM 2024-08-26

SK海力士將開發(fā)性能高30倍HBM

SK海力士副社長柳成洙（Ryu Seong-su）在論壇上公開表示，SK海力士要開發(fā)比目前的HBM性能高30倍的產(chǎn)品。柳成洙表示，SK海力士的目標(biāo)是開發(fā)出比現(xiàn)有HBM性能高出20~30倍的產(chǎn)品，并專注于推出差異化產(chǎn)品。報(bào)道稱，SK海力士根據(jù)客戶的具體需求，正在準(zhǔn)備定制HBM第6代HBM4。據(jù)悉，SK海力士的HBM受到了包括蘋...
HBMSK海力士 2024-08-21

HBM內(nèi)存嚴(yán)重供不應(yīng)求！存儲(chǔ)龍頭擴(kuò)產(chǎn)激戰(zhàn)：產(chǎn)能一搶而空

隨著人工智能技術(shù)的飛速發(fā)展，作為AI芯片的關(guān)鍵技術(shù)支持，高頻寬存儲(chǔ)器（HBM）成為市場(chǎng)上的新寵，導(dǎo)致HBM內(nèi)存目前面臨嚴(yán)重的供不應(yīng)求局面。因此存儲(chǔ)器行業(yè)的領(lǐng)軍企業(yè)，包括SK海力士、三星和美光，都在積極擴(kuò)充HBM的產(chǎn)能，以應(yīng)對(duì)這一挑戰(zhàn)。HBM技術(shù)以其高速數(shù)據(jù)傳輸能力，成為AI芯片設(shè)計(jì)中不可或缺的一部...
HBM內(nèi)存存儲(chǔ) 2024-07-17

三星成立新的HBM團(tuán)隊(duì)：推進(jìn)HBM3E和HBM4開發(fā)工作

三星公司近期宣布成立全新的“HBM開發(fā)團(tuán)隊(duì)”，這一戰(zhàn)略舉措標(biāo)志著三星在高性能內(nèi)存（HBM）技術(shù)領(lǐng)域的雄心與決心邁入了一個(gè)新階段。該團(tuán)隊(duì)將專注于前沿技術(shù)的研發(fā)，特別是HBM3、HBM3E以及備受期待的下一代HBM4技術(shù)，旨在顯著提升三星在全球HBM市場(chǎng)的競(jìng)爭力和市場(chǎng)份額。回顧過往，三星自2015年起便在...
HBMHBM3EHBM4 2024-07-08

有望改變 AI 半導(dǎo)體規(guī)則，消息稱三星電子年內(nèi)將推出 HBM 三維封裝技術(shù) SAINT－D

三星電子將于年內(nèi)推出可將 HBM 內(nèi)存與處理器芯片 3D 集成的 SAINT-D 技術(shù)。報(bào)道同時(shí)指出，在今年發(fā)布后，三星有望于明年推出的 HBM4 內(nèi)存中正式應(yīng)用 SAINT（IT之家注：即 Samsung Advanced INterconnect Technology 的簡寫）-D 技術(shù)。SAINT-D 是三星電子的一項(xiàng) 3DIC 先進(jìn)封裝技術(shù)，...
AIHBM三維封裝技術(shù)SAINT－D 2024-06-19

消息稱三星電子 HBM 內(nèi)存開發(fā)部門雙軌化，新團(tuán)隊(duì)專責(zé) HBM4 開發(fā)

三星電子內(nèi)部已對(duì)其 HBM 內(nèi)存開發(fā)部門進(jìn)行“雙軌化”改造，以增強(qiáng)其在 HBM 業(yè)務(wù)上的競(jìng)爭力。具體而言，由現(xiàn)有 DRAM 設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)負(fù)責(zé) HBM3E 內(nèi)存的后續(xù)研發(fā)工作，而三月成立的 HBM 產(chǎn)能質(zhì)量提升團(tuán)隊(duì)則專注開發(fā)下一代 HBM 內(nèi)存 ——HBM4。新設(shè)立的 HBM 專門開發(fā)團(tuán)隊(duì)由三星電子 DRAM 開發(fā)副總裁 Hwang S...
三星電子HBM 2024-05-11

AI 火熱催生 HBM 需求，消息稱三星電子有意引入 SK 海力士使用的 MUF 封裝工藝

三星電子將采用競(jìng)爭對(duì)手 SK 海力士主導(dǎo)的 MR-MUF（批量回流模制底部填充）芯片封裝工藝，而非此前堅(jiān)持使用的非導(dǎo)電薄膜（NCF）技術(shù)。三位直接知情人士稱，三星已經(jīng)發(fā)出了處理 MR-MUF 技術(shù)的設(shè)備采購訂單。“三星必須采取一些措施來提高其 HBM 良率…… 采用 MUF 技術(shù)對(duì)三星來說有點(diǎn)像是拋棄自尊心的決定...
HBM三星電子MUFSK海力士 2024-03-13

AI大模型浪潮下，別讓HBM內(nèi)存控制器拖后腿

作者: 付斌AI狂潮下，我們都對(duì)GPU短缺有所耳聞，而讓它叱咤AI界背后最強(qiáng)“輔助”當(dāng)屬HBM（High Bandwidth Memory，高帶寬內(nèi)存），它已經(jīng)成為目前首選的AI訓(xùn)練硬件。簡單解釋，HBM是將很多DDR芯片堆疊在一起后和GPU封裝在一起，實(shí)現(xiàn)大容量、高位寬的DDR組合陣列。打個(gè)比方來說，傳統(tǒng)DDR是平房設(shè)計(jì)，HBM則...
AIHBM內(nèi)存控制器 2023-12-19

英特爾至強(qiáng)CPU Max系列：整合高帶寬內(nèi)存（HBM）和至強(qiáng)處理器內(nèi)核

加速內(nèi)存帶寬創(chuàng)新：英特爾至強(qiáng)CPU Max系列，率先集成高帶寬內(nèi)存的x86處理器治療癌癥、減緩全球變暖、保護(hù)生態(tài)健康——當(dāng)今世界充滿了各種挑戰(zhàn)。因此，通過科技緊跟時(shí)代發(fā)展步伐，并充分利用不斷增長的數(shù)據(jù)至關(guān)重要。這不僅涉及數(shù)據(jù)的處理速度，也涉及能夠處理的海量數(shù)據(jù)，以及數(shù)據(jù)在內(nèi)存和處理器之間的...
英特爾至強(qiáng)CPU Max系列高帶寬內(nèi)存（HBM） 2023-06-13

三星首發(fā) HBM-PIM 內(nèi)存計(jì)算技術(shù)，今年上半年可完成驗(yàn)證并交付

三星宣布，其新的基于HBM2的內(nèi)存具有集成的AI處理器，該處理器可以提供最高達(dá)1.2 TFLOPS的嵌入式計(jì)算能力，從而使內(nèi)存芯片本身能夠執(zhí)行通常由CPU，GPU，ASIC，或FPGA處理的工作。新的HBM-PIM（processing-in-memory）芯片將AI引擎注入每個(gè)存儲(chǔ)體中，從而將處理操作轉(zhuǎn)移到HBM本身。新型...
三星電子AIHBM 2021-02-18

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