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↓在新聞中搜索到 269 條關(guān)于“FinFET??”的信息，用時(shí):0.002 sec.

臺(tái)積電與三星的下一個(gè)賽點(diǎn)：3nm技術(shù)

這一年半導(dǎo)體業(yè)的諸多巨變，埋下了日后草蛇灰線的因子，但追趕先進(jìn)工藝的步伐不曾放緩。作為可在先進(jìn)工藝上一較長(zhǎng)短的臺(tái)積電與三星，下一個(gè)“賽點(diǎn)”也鎖定在了3nm。盡管3nm在當(dāng)下還只堪遠(yuǎn)眺，但它的步伐已然愈行愈近。進(jìn)度作為代工頭號(hào)大拿，臺(tái)積電可謂睥睨天下，...
臺(tái)積電三星3nm 2020-12-28

實(shí)現(xiàn)5nm以下制程的關(guān)鍵技術(shù)：復(fù)旦教授成功攻克GAA晶體管技術(shù)

來(lái)自“復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院”的消息顯示，該校周鵬團(tuán)隊(duì)針對(duì)具有重大需求的3nm至5nm節(jié)點(diǎn)晶體管技術(shù)，驗(yàn)證了雙層溝道厚度分別為0.6 /1.2nm的圍柵多橋溝道晶體管（GAA，Gate All Around），實(shí)現(xiàn)了高驅(qū)動(dòng)電流和低泄漏電流的融合統(tǒng)一，為高性能低功耗電子器件的發(fā)展提供了新的技術(shù)途徑。據(jù)悉，相關(guān)成果已經(jīng)在...
5nmGAA晶體管 2020-12-18

中芯國(guó)際CEO梁孟松辭職，蔣尚義走馬上任

12月15日晚間，中芯國(guó)際連發(fā)4條公告，主要涉及三方面內(nèi)容，其一是管理層的人事變動(dòng)，其二是回應(yīng)了來(lái)自美國(guó)加州的民事訴訟，其三是當(dāng)天臨時(shí)股東大會(huì)的情況披露。根據(jù)中芯國(guó)際發(fā)布的人事決議公告，蔣尚義獲委任為中芯國(guó)際第二類執(zhí)行董事、董事會(huì)副董事長(zhǎng)及戰(zhàn)略委員會(huì)成員，自2020年12月15日起生效。蔣尚...
中芯國(guó)際 2020-12-16

中芯國(guó)際500億元建廠，大力生產(chǎn)12寸晶圓

中芯國(guó)際作為中國(guó)芯近期被關(guān)注最多的公司之一，三番五次被美國(guó)打壓。不過最近中芯國(guó)際持續(xù)加大投入，聯(lián)合亦莊國(guó)際投資和國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金投資500億元建廠，振奮了行業(yè)的決心。據(jù)企查查信息顯示，日前中芯國(guó)際正式成立了中芯京城集成電路制造（北京）有限公司，這個(gè)企業(yè)就是12月4...
中芯國(guó)際 2020-12-14

KLA推出兩種全新的系統(tǒng)來(lái)解決半導(dǎo)體制造業(yè)中最棘手的問題

今天，KLA公司（納斯達(dá)克股票代碼：KLAC）宣布推出兩款全新產(chǎn)品：PWG5™ 晶圓幾何系統(tǒng)與Surfscan®SP7XP晶圓缺陷檢測(cè)系統(tǒng)。新系統(tǒng)專注解決先進(jìn)的存儲(chǔ)器與邏輯集成電路制造中遇到的極其困難的問題。 KLA全新的PWG5™ 圖形晶圓幾何量測(cè)系統(tǒng)和Surfscan®SP7XP無(wú)圖案晶圓缺陷檢測(cè)系統(tǒng)...
KLA 2020-12-14

英特爾推出第二代低溫控制芯片 Horse Ridge II

據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，在當(dāng)?shù)貢r(shí)間周四的英特爾實(shí)驗(yàn)室虛擬活動(dòng)上，英特爾推出了第二代低溫控制芯片 Horse Ridge II，這是該公司在克服量子計(jì)算最大障礙之一的可擴(kuò)展性方面取得的又一個(gè)里程碑。據(jù)悉，Horse Ridge II 使用英特爾的 22nm FinFET（22FFL）工藝制造。英特爾表示，它支持增強(qiáng)的能力和更高級(jí)別的...
英特爾 2020-12-04

28nm 將在未來(lái) 5 年成為半導(dǎo)體應(yīng)用長(zhǎng)節(jié)點(diǎn)制程工藝

據(jù) Omdia 研究報(bào)告，28nm 將在未來(lái) 5 年成為半導(dǎo)體應(yīng)用的長(zhǎng)節(jié)點(diǎn)制程工藝。在摩爾定律的指引下，集成電路的線寬不斷縮小，基本上是按每?jī)赡昕s小至原尺寸的 70% 的步伐前進(jìn)。如 2007 年達(dá)到 45nm，2009 年達(dá)到 32nm，2011 年達(dá)到 22nm。28nm 工藝處于 32nm 和 22nm 之間，業(yè)界在更早的 45nm（HKMG...
28nm半導(dǎo)體應(yīng)用 2020-12-03

臺(tái)媒：臺(tái)積電現(xiàn)已采購(gòu) 35 臺(tái) EUV 光刻機(jī)，占 ASML 過半產(chǎn)量

據(jù)中國(guó)臺(tái)灣經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)報(bào)道，EUV 光刻機(jī)制造商 ASML 首席執(zhí)行官 Peter Wennink 帶領(lǐng)高管拜訪三星，雙方尋求技術(shù)與投資合作。三星希望能搶在臺(tái)積電之前，取得 ASML 下一代 EUV 設(shè)備供應(yīng)。業(yè)內(nèi)人士分析稱，三星積極追趕臺(tái)積電，不過臺(tái)積電在高良率與低功耗方面擁有優(yōu)勢(shì)。7nm 制程方面，臺(tái)積電先推出 Fin...
臺(tái)積電EUV 光刻機(jī)ASML 2020-12-02

臺(tái)積電將于 2022 年下半年開始量產(chǎn) 3 納米芯片

據(jù)彭博報(bào)道，臺(tái)積電將于 2022 年下半年開始量產(chǎn) 3 納米芯片，單月產(chǎn)能 5.5 萬(wàn)片起。報(bào)道援引臺(tái)積電董事長(zhǎng)劉德音稱，3納米芯片開始量產(chǎn)時(shí)公司在臺(tái)南科學(xué)園的雇員數(shù)將達(dá)到約2萬(wàn)人，目前為1.5萬(wàn)人。今年 8 月份，臺(tái)積電高級(jí)副總裁米玉杰表示，該公司有計(jì)劃繼續(xù)提供有意義的節(jié)點(diǎn)改進(jìn)，直到 N3 及以...
臺(tái)積電 2020-11-25

中芯國(guó)際落難臺(tái)廠大補(bǔ)

據(jù)外媒報(bào)導(dǎo)，美國(guó)近期將擴(kuò)大對(duì)中國(guó)進(jìn)行貿(mào)易制裁，包括可能將中國(guó)晶圓代工廠中芯國(guó)際列入黑名單。半導(dǎo)體業(yè)內(nèi)分析，此事如若成真，臺(tái)灣晶圓代工廠及NOR Flash廠都將迎來(lái)更多客戶的轉(zhuǎn)單。業(yè)界指出，原本在中芯生產(chǎn)的晶圓代工或NOR Flash訂單將加速轉(zhuǎn)單到臺(tái)灣半導(dǎo)體廠，包括高通、博通等中芯非陸系客戶...
中芯國(guó)際 2020-11-25

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