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↓在新聞中搜索到 127 條關于“12nm”的信息，用時:0.002 sec.

英睿達E100系列SSD上市：慧榮主控、美光原廠顆粒

英睿達E100系列固態硬盤目前已經上市，首發279元。據悉，E100系列SSD采用緊湊的M.2 2280規格設計，核心搭載了慧榮科技前沿的SM2268XT主控芯片。此款主控攜手美光原廠高品質的G7 NAND閃存顆粒，共同鑄就了令人矚目的數據傳輸速度——最大順序讀取速度高達5000MB/s，最大順序寫入速度亦達到...
英睿達E100系列固態硬盤 2025-02-12

Ceva 推出突破性多協議無線連接平臺 IP產品Ceva－Waves Links200

Ceva 推出具有下一代藍牙高數據吞吐量和 IEEE 802.15.4 功能的突破性多協議無線連接平臺 IP產品Ceva-Waves Links200 交鑰匙集成式硬件和軟件平臺 IP 結合了功能齊全的藍牙雙模和下一代高數據吞吐量，以及適用于 Thread/Zigbee/Matter 的 IEEE 802.15.4標準，并包含了Ceva采...
Ceva無線連接平臺Ceva－Waves Links200 2025-01-08

Imagination GPU為邊緣智能提供高效率的加速

作者：Imagination作為奕斯偉計算的重要合作伙伴，Imagination 公司受邀出席了9月10日在北京亦莊舉辦的“2024奕斯偉計算開發者伙伴大會”，來自Imagination英國總部的專家在大會上發表了主題為《用RISC-V CPU + PowerVR GPU迎接邊緣生成式AI的到來》的演講。在人工智能（AI）浪潮中成立的奕斯偉計算...
Imagination GPU邊緣智能人工智能 2024-09-11

億分享第一財經專訪：存算一體或開啟AI時代算力第二增長曲線

以下文章轉載自第一財經《對話億鑄科技董事長熊大鵬：存算一體或開啟AI時代算力第二增長曲線》人工智能（AI）的爆發帶來了海量算力需求，而在后摩爾時代，芯片先進制程逼近物理極限，存算一體有望成為未來重要技術路線之一。存算一體，即數據存儲與計算融合在同一個芯片的同一片區之中。存算一體...
AI億鑄科技 2024-08-15

恒玄科技12nm旗艦芯片即將在明年量產

國產TWS耳機芯片廠商恒玄科技近日在互動平臺上表示，旗下12nm芯片將在明年量產。近年來，隨著蘋果AirPods的帶動，真無線藍牙耳機（TWS耳機）已經成為了我們日常生活中非常常見的音頻設備，在這個小小的設備中，其實包含著復雜的零部件，其中音頻芯片的性能很大程度上決定了耳機的音質表現。理論上來...
芯片恒玄科技 2021-11-25

恒玄科技：公司采用 12nm 先進工藝的新一代旗艦芯片預計明年量產

恒玄科技在投資者互動平臺表示，公司采用 12nm 先進工藝的新一代旗艦芯片預計將于 2022 年量產。據了解，恒玄科技主要產品為：普通藍牙音頻芯片、智能藍牙音頻芯片、Type-C 音頻芯片和 WiFi 智能音頻芯片。公司智能音頻 SoC 芯片集成多核 CPU、WiFi/藍牙基帶和射頻、音頻 CODEC、電源管理、存儲、嵌...
恒玄科技 2021-11-25

傳臺積電四季度將全面漲價！12nm以下先進制程漲10%，12nm以上成熟制程漲20%

據臺灣經濟日報報道，由于晶圓代工產能持續供不應求，市場傳出，晶圓代工龍頭臺積電近日已通知所有IC設計客戶，將擴大晶圓代工費用調漲范圍，第四季起全線調漲。其中，12nm以下先進制程漲價10%，12nm以上成熟型制程調漲20%。此舉將有助于臺積電的毛利率提升，守穩50%大關。對此傳聞，臺積電表示，不...
臺積電 2021-08-25

“中國最大”AI 單芯片邃思 2.0 發布：12nm 工藝，支持 HBM2E 內存

今天，中國最大 AI 單芯片邃思 2.0 在上海正式發布，這款芯片面向 AI 云端訓練，尺寸為 57.5 毫米 ×57.5 毫米（面積為 3306mm2），達到了芯片采用的日月光 2.5D 封裝的極限，與上代產品一樣采用格羅方德 12nm 工藝，單精度 FP32 算力為 40TFLOPS，單精度張量 TF32 算力為 160TFLOPS，整數精度 INT8 算力...
AI邃思 2燧原科技 2021-07-08

阿里AI芯片“含光800”真身首曝：12nm工藝、709平方毫米大核心

在傳統的X86、GPU等芯片領域，國內公司已經落后了，但在AI芯片上，國內半導體行業有望趕超，阿里巴巴旗下的平頭哥去年就推出了性能堪比GPU的AI芯片——含光800。含光出自《列子·湯問》篇有“上古三劍”一章，寓意含而不露，光而不耀，象征含光800無形卻強勁的算力。含光800是一款AI芯片，偏重推理。據...
阿里AI芯片含光800 2020-02-20

格芯為何放棄7nm轉攻3D封裝

近日，全球第二大晶圓代工廠格芯（GlobalFoundries）宣布，采用12nm FinFET工藝，成功流片了基于ARM架構的高性能3D封裝芯片。這意味著格芯亦投身于3D封裝領域，將與英特爾、臺積電等公司一道競爭異構計算時代的技術主動權。放棄7nm 格芯轉攻3D封裝據報道，格芯攜手ARM公司驗證了3D設計測試（DFT）方法，...
3D封裝12nm FinFET工藝 2019-08-23

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