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↓在新聞中搜索到 269 條關(guān)于“FinFET??”的信息，用時:0.002 sec.

中芯國際正努力重新獲得芯片訂單：聚焦 14nm FinFET 工藝

本月初，中芯國際發(fā)布公告稱，公司就購買用于生產(chǎn)晶圓的阿斯麥產(chǎn)品與阿斯麥集團簽訂購買單，根據(jù)阿斯麥購買單購買的阿斯麥產(chǎn)品定價，阿斯麥購買單的總代價為 1201598880 美元。這部分主要為 DUV 光刻機。近日，據(jù)財聯(lián)社報道，消息人士透露，中芯國際正在努力重新獲得訂單，特別是其 14nm FinFET...
14nm FinFET中芯國際 2021-03-15

中芯國際在上海建設(shè) 12 英寸芯片項目，中國內(nèi)地第一條 FinFET 工藝生產(chǎn)線

據(jù)上海市發(fā)改委近日公布的 2021 年上海市重大建設(shè)項目清單，中芯國際的的 12 英寸芯片 SN1 項目入選，目前已處于在建狀態(tài)。據(jù)了解，12 英寸芯片 SN1 項目的載體是中芯國際旗下公司中芯南方，總投資額 90.59 億美元，其中生產(chǎn)設(shè)備購置及安裝費達(dá) 73 億美元；項目規(guī)劃月產(chǎn)能 3.5 萬片，已建設(shè)月產(chǎn)能...
FinFET中芯國際 2021-02-08

中芯國際：第二代FinFET已進(jìn)入小量試產(chǎn)，邏輯面積大大縮小

12月4日，有投資者在互動平臺提問“請問近來公司7納米產(chǎn)品生產(chǎn)研發(fā)進(jìn)展如何？在國內(nèi)外將產(chǎn)生怎樣的影響？”對此，中芯國際回復(fù)“公司第一代FinFET 14nm已于2019年四季度進(jìn)入量產(chǎn)，第二代FinFET已進(jìn)入小量試產(chǎn)。” 在中芯國際2019第四季度財報會議上，梁孟松博士透露了中芯國際下一代“N+1”工...
FinFET中芯國際 2020-12-07

中芯國際：第二代 FinFET N＋1 已進(jìn)入客戶導(dǎo)入階段，可望于 2020 年底小批量試產(chǎn)

上周有投資者向中芯國際求證中芯關(guān)于下一代芯片量產(chǎn)消息，中芯國際回答表示：中芯國際第二代 FinFET N+1 已進(jìn)入客戶導(dǎo)入階段，可望于 2020 年底進(jìn)行小批量試產(chǎn)。中芯國際于 2019 年實現(xiàn)了國內(nèi)最先進(jìn)的 14nm 工藝制程量產(chǎn)，并已為華為麒麟 710A 芯片等進(jìn)行代工。今年 6 月，中芯國際表示，14n...
FinFET中芯國際 2020-09-22

科學(xué)家模擬出13種用于替代硅FinFET的材料

瑞士科學(xué)家對像石墨烯這樣的二維材料進(jìn)行了計算研究，以確定哪種材料能制造出最好的晶體管。從100種候選化合物中，有13種顯示有機會，在某些情況下，比預(yù)期的硅FinFET的效果更好。來自蘇黎世ETH和EPFL的研究小組在Piz-Daint超級計算機上結(jié)合了密度泛函理論和量子輸運理論，對柵極長度從5nm到15...
FinFET 2020-08-18

英特爾FinFET專利被起訴為無效，賠償或超2億元

7月28日下午，國家知識產(chǎn)權(quán)局專利復(fù)審委員會（下稱“復(fù)審委”）口頭審理了201110240931.5（下稱“FinFET專利”）發(fā)明專利的無效申請。無效申請的請求人是英特爾（中國）有限公司（下稱“英特爾”），而專利權(quán)人為中國科學(xué)院微電子研究所（下稱“微電子所”）。這是英特爾為應(yīng)對微電子所2018年發(fā)...
FinFET英特爾 2020-08-03

臺積電首次公布3nm工藝詳情：FinFET技術(shù) 2021年試產(chǎn)

盡管2020年全球半導(dǎo)體行業(yè)會因為疫情導(dǎo)致下滑，但臺積電的業(yè)績不降反升，掌握著7nm、5nm先進(jìn)工藝的他們更受客戶青睞。今天的財報會上，臺積電也首次正式宣布3nm工藝詳情，預(yù)定在2022年下半年量產(chǎn)。臺積電原本計劃4月29日在美國舉行技術(shù)論壇，正式公布3nm工藝詳情，不過這個技術(shù)會議已經(jīng)延期到8月份，今...
臺積電3nm工藝FinFET晶體管技術(shù) 2020-04-17

新思科技擴展DesignWare MIPI IP產(chǎn)品組合推出適用于FinFET工藝的硅驗證集成C－PHY／D－PHY IP解決方案

-DesignWare PHY和控制器以高達(dá)24 Gb/s的速度運行，用于高性能成像和汽車SoC摘要：DesignWare MIPI C-PHY/D-PHY IP與新思科技的MIPI CSI-2、DSI/DSI-2、D-PHY和驗證IP可進(jìn)行互操作，帶來完整的相機和顯示器IP解決方案C-PHY/D-PHY以24 Gb/s的速度運行，提供低于1.3pJ/bit的功耗，能夠在高分辨率成像設(shè)備...
FinFET工藝新思科技 2020-04-09

基于7nm FinFET工藝的新思科技Die－to－Die PHY IP核加速云計算片上系統(tǒng)設(shè)計

-DesignWare Die-to-Die PHY支持在大型、多芯片模塊設(shè)計中實現(xiàn)超短距離連接重點：-- 超低功耗DesignWare Die-to-Die PHY IP核在超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心提供小于1pJ/bit的最佳能源效率-- 緊湊的模擬前端為大型多芯片模塊設(shè)計提供可達(dá)50毫米的可靠連接-- 靈活的架構(gòu)允許以極低延遲和誤碼率的連接把核心邏輯劃分...
新思科技7nm FinFET工藝 2019-12-03

MOSIS基于新思科技IC Validator進(jìn)行大型FinFET片上系統(tǒng)驗證

-IC Validator為DRC和LVS Signoff提供卓越性能重點：IC Validator高度可擴展的物理驗證解決方案提供顯著的運行時間優(yōu)勢 MOSIS在領(lǐng)先的FinFET工藝設(shè)計中為DRC和LVS signoff部署IC Validator新思科技(Synopsys, Inc.，納斯達(dá)克股票代碼：SNPS)近日宣布，MPW(多項目晶元)領(lǐng)先供應(yīng)商MOSIS已選擇新思科技IC ...
FinFET工藝設(shè)計 2019-07-29

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