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應(yīng)用開(kāi)發(fā)

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美光將在西安封測(cè)工廠(chǎng)投資逾 43 億元，引入新產(chǎn)線(xiàn)制造 DRAM、NAND 及 SSD

美光科技今天宣布，計(jì)劃在未來(lái)幾年中對(duì)其位于中國(guó)西安的封裝測(cè)試工廠(chǎng)投資逾 43 億元人民幣。公告稱(chēng)，美光科技已決定收購(gòu)力成半導(dǎo)體（西安）有限公司（力成西安）的封裝設(shè)備，還計(jì)劃在美光西安工廠(chǎng)加建新廠(chǎng)房，并引進(jìn)全新且高性能的封裝和測(cè)試設(shè)備，以期更好地滿(mǎn)足中國(guó)客戶(hù)的需求。美光科技表示：“該項(xiàng)...
美光西安封測(cè)工廠(chǎng)投資DRAMNANDSSD 2023-06-16

TrendForce：賣(mài)方庫(kù)存壓力沉重，三季度 NAND 閃存價(jià)格跌幅擴(kuò)大到 30% 至 35%

據(jù) TrendForce 集邦咨詢(xún) 9 月 1 日發(fā)布的調(diào)查報(bào)告，進(jìn)入 2022 年第三季下半年，旺季不足導(dǎo)致去庫(kù)存延遲。NAND 閃存市場(chǎng)的交易一直冷淡，買(mǎi)家處于被動(dòng)觀(guān)望狀態(tài)，傾向于不協(xié)商定價(jià)。工廠(chǎng)庫(kù)存壓力已達(dá)到臨界點(diǎn)，制造商正在觸底反彈以達(dá)成交易。此舉將導(dǎo)致制造商定價(jià)進(jìn)一步下降，集邦咨詢(xún)?cè)俅蜗抡{(diào) 3...
NAND 閃存 2022-09-02

消息稱(chēng) NAND 閃存價(jià)格今年下半年進(jìn)一步下跌，季度降幅達(dá)近 20%

據(jù) DIGITIMES 報(bào)道，業(yè)內(nèi)人士透露，NAND 閃存的價(jià)格將在 2022 年下半年進(jìn)一步下降，因?yàn)楣?yīng)商處理過(guò)剩庫(kù)存的壓力越來(lái)越大。圖源：DIGITIMES 消息人士指出，NAND 閃存芯片供應(yīng)商現(xiàn)在面臨四到五個(gè)月的庫(kù)存。今年下半年，芯片價(jià)格將迅速下降，季度價(jià)格降幅達(dá)到近 20%。消息人士稱(chēng)，NAND 閃存...
NAND 閃存 2022-08-24

緊追 SK 海力士，三星電子將在今年推出 236 層 NAND 閃存

據(jù) BusinessKorea 報(bào)道，三星電子將在今年內(nèi)發(fā)布 236 層 NAND 閃存產(chǎn)品。此外，它還計(jì)劃在本月開(kāi)設(shè)一個(gè)新的研發(fā)中心，負(fù)責(zé)更先進(jìn) NAND 閃存產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)。當(dāng)前，存儲(chǔ)芯片制造商正在競(jìng)相增加其產(chǎn)品層數(shù)。SK 海力士最近完成了 238 層產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)，美光科技宣布開(kāi)發(fā)出全球首款 232 層 NAND 閃存產(chǎn)...
NAND三星電子閃存 2022-08-17

消息稱(chēng) SK 海力士正開(kāi)發(fā)基于 238 層 NAND 的 UFS4.0 閃存，有望明年上半年量產(chǎn)

據(jù)外媒 THELEC 今日?qǐng)?bào)道，半導(dǎo)體業(yè)界人士透露，SK 海力士計(jì)劃最早明年上半年量產(chǎn)采用 238 層 NAND（V8）的最新 UFS 4.0 閃存。根據(jù) SK 海力士制定的 UFS 4.0 內(nèi)存開(kāi)發(fā)計(jì)劃，其將在 UFS 4.0 閃存上主要搭載 V7 和 V8 NAND，其中 V8 是 SK 海力士開(kāi)發(fā)的世界上首個(gè) 238 層 NAND 閃存，與 176 層...
SK 海力士NAND 2022-08-17

TrendForce 預(yù)計(jì) NAND 閃存需求明年增長(zhǎng) 28.9%，供給增長(zhǎng) 32%

據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，研究機(jī)構(gòu) TrendForce 預(yù)計(jì)，DRAM 供過(guò)于求的狀況在明年將會(huì)更嚴(yán)重，預(yù)計(jì)市場(chǎng)規(guī)模增長(zhǎng) 8.5%，首次低于 10%，但供給預(yù)計(jì)增長(zhǎng) 14%，價(jià)格預(yù)計(jì)會(huì)繼續(xù)下滑。而從外媒的報(bào)道來(lái)看，研究機(jī)構(gòu)預(yù)計(jì)供給增速超過(guò)需求增速的，不只是 DRAM，NAND 閃存預(yù)計(jì)也會(huì)供過(guò)于求。外媒在報(bào)道中...
NAND 閃存 2022-08-08

SK 海力士介紹 238 層 4D NAND 閃存：傳輸速度提升 50%，能耗減少 21%

早些時(shí)候，SK 海力士官宣全球首發(fā) 238 層 512Gb TLC 4D NAND 閃存，將于明年上半年投入量產(chǎn)。現(xiàn)在，SK 海力士官方發(fā)文對(duì)其最新技術(shù)進(jìn)行了介紹。據(jù)介紹，SK 海力士 238 層 NAND 閃存在達(dá)到業(yè)界最高堆棧層數(shù)的同時(shí)實(shí)現(xiàn)了全球最小的面積。 SK 海力士在 2018 年研發(fā)的 96 層 NAND 閃存就超越了傳...
SK 海力士NAND閃存 2022-08-04

SK 海力士開(kāi)發(fā)出 238 層 NAND 閃存芯片，明年上半年量產(chǎn)

韓國(guó) SK 海力士（SK Hynix）已經(jīng)開(kāi)發(fā)出 238 層 NAND 閃存芯片，它可以用于 PC 存儲(chǔ)設(shè)備、智能手機(jī)和服務(wù)器。上周美光也開(kāi)始出貨 232 層 NAND 閃存芯片。 SK 海力士宣稱(chēng)新的 238 層芯片是最小的 NAND 閃存芯片，數(shù)據(jù)傳輸速度相比上代產(chǎn)品提升 50%，讀取數(shù)據(jù)消耗的能量降低 21%。SK 海力士準(zhǔn)備于...
SK 海力士NAND閃存芯片 2022-08-03

SK 海力士擬年內(nèi)試產(chǎn) 238 層 NAND 閃存

SK 海力士在近日舉行的二季度財(cái)報(bào)電話(huà)會(huì)議上透露，計(jì)劃在年內(nèi)完成 238 層 NAND 試產(chǎn)，并在 2023 年上半年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。針對(duì)美光近期量產(chǎn) 232 層 NAND 的動(dòng)態(tài)，海力士方面表示各家廠(chǎng)商產(chǎn)品發(fā)布節(jié)奏不同，存儲(chǔ)市場(chǎng)目前應(yīng)專(zhuān)注于提高盈利能力，海力士的目標(biāo)是實(shí)現(xiàn)行業(yè)最高水平的盈利能力。公司方面...
SK 海力士NAND 閃存 2022-07-29

美光詳解全球首款 232 層 NAND：速度提升 50%，實(shí)現(xiàn)最高 TLC 密度

昨晚，美光公司宣布全球首款 232 層 NAND 已在該公司的新加坡工廠(chǎng)量產(chǎn)，初期將以封裝顆粒形式通過(guò) Crucial 英睿達(dá) SSD 消費(fèi)產(chǎn)品線(xiàn)向客戶(hù)發(fā)貨。現(xiàn)在，美光發(fā)文介紹了 232 層 NAND 的相關(guān)技術(shù)。官方表示，該技術(shù)節(jié)點(diǎn)達(dá)到了現(xiàn)今業(yè)界最快的 NAND I / O 速度：2.4 GB / s，比美光 17...
NAND美光 2022-07-27

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