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↓在新聞中搜索到 572 條關于“GAN”的信息，用時:0.003 sec.

自動執行寬禁帶 SiC／GaN 器件的雙脈沖測試

減少碳排放的迫切需求推動了對電氣技術的投資，特別是數據中心和電動汽車領域。根據彭博社最新的電動汽車展望報告，到 2050 年，幾乎所有道路運輸都將實現電氣化，預計將導致全球電力需求激增 27%。這一趨勢凸顯了電氣解決方案在遏制溫室氣體排放和塑造更具可持續性的未來方面的重要意義。越來越多...
泰克SiC／GaN 器件雙脈沖測試 2023-09-06

Transphorm的GaN為DAH Solar Co., Ltd.的全球首個集成微型逆變器光伏系統提供動力

開創性的太陽能電池板系統通過使用Transphorm極其先進的GaN設備，以更小、更輕的外形尺寸提供更高的性能和效率強大GaN功率半導體是新一代電力系統的未來，該領域的全球領導者Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN)今日宣布，其GaN平臺為DAH Solar Co., Ltd.（Anhui Daheng New Energy Technology Co., ...
TransphormGaN逆變器光伏系統 2023-08-25

GaN Systems為瑞薩提供氮化鎵，用于48V／12V雙向DC／DC轉換器

GaN Systems 日前宣布，瑞薩電子公司的新型汽車 48V/12V 雙向 DC/DC 轉換器由 GaN Systems提供功率晶體管，從而顯著提高了功率密度。新的轉換器采用 GaN Systems 的 GS61008P（一款 100V 增強型硅基 GaN 功率晶體管），實現系統尺寸減小 46%。瑞薩電子的解決方案針對需要高效率 48V/12V DC/DC 轉換器的...
DC／DC轉換器GaN Systems氮化鎵瑞薩 2023-08-21

Transphorm的GaN首次達到對電機驅動應用至關重要的短路穩健性里程碑

Capability與Yaskawa Electric Corporation合作，充分發揮Transphorm常關平臺的根本優勢GaN功率半導體代表下一代電力系統的未來，此領域的領導企業Transphorm, Inc.（Nasdaq：TGAN）宣布，該公司借助專利技術在GaN功率晶體管上演示出高達5微秒的短路耐受時間（SCWT）。這是有記錄以來首次實現此類成就，...
TransphormGaN電機驅動應用 2023-08-11

PRESS RELEASE CGD 將首次亮相中國 PCIM Asia ，推出易用可靠的 ICeGaN GaN HEMT 系列

PRESS RELEASE CGD 將首次亮相中國 PCIM Asia（上海國際電力元件、可再生能源管理展覽會），推出易用可靠的 ICeGaN GaN HEMT 系列誠邀您于 8 月 29 至 31 日蒞臨上海新國際博覽中心參觀 2G18 展位英國劍橋 - Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家無晶圓廠環保科技半導體公司，開發并大批量生...
PRESS RELEASE CGDICeGaN GaN HEMT 系列 2023-08-04

實測案例：1200V GaN HEMT功率器件動態特性測試

未來高壓氮化鎵器件在工業和能源應用市場將會有更大的發展空間氮化鎵器件是第三代半導體中的典型代表，具有極快的開關速度，能夠顯著提升功率變換器的性能，受到電源工程師的青睞。同時，極快的開關速度又對其動態特性的測試提出了更高的要求，稍有不慎就會得到錯誤結果。傳統氮化鎵器件多用于消費類電...
GaN功率器件功率變換器 2023-07-19

泰克推出基于示波器的雙脈沖測試解決方案，加快SiC和GaN技術驗證速度

全球領先的測試測量解決方案提供商泰克科技公司日前宣布，推出最新雙脈沖測試解決方案 (WBG-DPT解決方案)。各種新型寬禁帶開關器件正推動電動汽車、太陽能、工控等領域快速發展，泰克WBG-DPT解決方案能夠對寬禁帶器件（如SiC和GaN MOSFETs）提供自動可重復的、高精度測量功能。下一代功率轉換器設計...
泰克示波器雙脈沖測試解決方案SiCGaN 2023-05-31

Transphorm 亮相 PCIM 2023 展會：卓越的 GaN 解決方案為電動汽車系統提供電源適配器

• 提供最廣泛的功率范圍：此次參展的全新 650 V Weltrend SuperGaN SiP 設計將揭示 1200 V SuperGaN 器件的設計資源• 觀眾將見證 SuperGaN 平臺無可比擬的可靠性、效率和性能Transphorm, Inc. (納斯達克代碼：TGAN) 是一家提供高可靠性、高性能氮化鎵 (GaN) 功率轉換產品的領軍企業和...
TransphormPCIM 2023GaN 解決方案 2023-04-21

ROHM確立可以更大程度激發GaN器件性能的“超高速驅動控制”IC 技術

將GaN器件與控制IC相結合，助力電源應用進一步節能和小型化全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）確立了一項超高速驅動控制IC技術，利用該技術可更大程度地激發出GaN等高速開關器件的性能。近年來，GaN器件因其具有高速開關的特性優勢而被廣泛采用，然而，如何提高控制IC（負責GaN器件的...
rohmGaN器件“超高速驅動控制”IC 技術 2023-03-07

英飛凌將收購氮化鎵系統公司（GaN Systems），在擴充氮化鎵產品線的同時

英飛凌將收購氮化鎵系統公司（GaN Systems），在擴充氮化鎵產品線的同時，進一步鞏固自身在全球功率系統領域的領導地位英飛凌科技股份公司（FSE 代碼：IFX / OTCQX 代碼：IFNNY）和氮化鎵系統公司（GaN Systems）聯合宣布，雙方已簽署最終協議。根據該協議，英飛凌將斥資 8.3 億美元收購氮化鎵系統公司...
英飛凌GaN Systems氮化鎵產品線 2023-03-03

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