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↓在新聞中搜索到 54 條關于“Nexperia”的信息，用時:0.002 sec.

聚焦汽車電動化、智能化創新，富昌電子在合肥舉辦技術日活動

全球知名的電子元器件授權代理商富昌電子很榮幸地宣布，于 9 月 25 日在合肥舉行技術日活動。此次活動是富昌技術日系列活動中的一站，以“推動中國汽車電子創新” 為主題，展示來自全球領先半導體供應商的先進解決方案，為與會者提供面對面探索汽車電子新技術演進與交流的機會。本次活動重點關注市場趨...
富昌技術日汽車電子新技術 2024-09-26

安世半導體將在漢堡投資2億美元研發下一代寬禁帶半導體產品

半導體制造商Nexperia（安世半導體）近日宣布，計劃投資2億美元（約合1.84億歐元）研發下一代寬禁帶半導體產品(WBG)，例如碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)，并在漢堡工廠建立生產基礎設施。同時，晶圓廠的硅(Si)二極管和晶體管產能將會增加。此項投資是在該工廠成立100周年之際，與漢堡經濟部長Melanie Leonh...
安世半導體寬禁帶半導體 2024-06-28

大聯大汽車技術應用路演重慶場圓滿落幕

鏈動生態，再次啟航：大聯大攜手產業上下游伙伴，共同賦能汽車技術生態圈致力于亞太地區市場的國際領先半導體元器件分銷商---大聯大控股宣布，以“駛向未來：預約下一個十五‧五馳騁世界”為主題的汽車技術峰會（重慶場）圓滿落下帷幕。繼2023年汽車技術應用路演上海場、深圳場以及合肥場的成功足...
大聯大汽車技術應用路演 2024-06-14

Nexperia迎來獨立公司成立五周年慶典，未來將繼續大展宏圖

Nexperia（安世半導體）今天隆重宣布 - 慶祝公司作為獨立實體進入半導體行業五周年。Nexperia仍是一個較為年輕的品牌，但憑借過去幾十年在半導體制造領域樹立的良好口碑和強勁表現，經過五個春秋的不懈努力，已經在市場站穩腳跟。回望2017年成立之初，Nexperia秉持滿懷激情和專業精深的精神...
安世半導體 2022-02-09

Nexperia“Power Live”在線研討會于2020年7月2日和3日正式上線

參與有關GaN、鍺化硅、汽車應用、先進封裝等等主題的現場討論；觀看點播視頻演示半導體基礎元器件生產領域的高產能生產專家Nexperia今日宣布將在7月2日和3日舉辦線上研討會“Power Live”，會議議程涵蓋有關電源電子的廣泛主題，包括GaN器件、鍺化硅(SiGe)整流器、汽車應用和封裝技術等。參與者可以...
Nexperia“Power Live”GaN器件鍺化硅(SiGe)整流器 2020-06-30

Nexperia推出采用小型無引腳耐用型DFN封裝的符合AEC－Q101的分立半導體產品組合

相比現有SMD器件可節省90%空間，支持AOI檢測奈梅亨，2020年6月23日：半導體基礎元器件生產領域的高產能生產專家Nexperia今日宣布推出面向汽車應用領域符合AEC-Q101的業界最寬廣的分立半導體產品組合，該系列器件采用了具有高熱效率、節省空間、兼容AOI檢測等優點的DFN（分立式扁平無引腳）封裝，涵...
DFN封裝二極管分立半導體 2020-06-24

Nexperia（安世半導體）宣布推出新一代 650V 氮化鎵 (GaN) 技術

新一代氮化鎵技術針對汽車、5G 和數據中心等應用；新器件采用了傳統的TO-247封裝和創新的銅夾片貼片封裝CCPAK半導體基礎元器件生產領域的高產能生產專家Nexperia宣布推出一系列采用新一代H2技術的全新高壓氮化鎵場效應管。新器件包含兩種封裝，TO-247 和Nexperia專有的CCPAK。兩者均實現了更出色的開關...
Nexperia650V 氮化鎵 (GaN) 技... 2020-06-10

Nexperia新一代 650V GaN 技術賦能汽車、5G等應用

半導體基礎元器件生產領域的高產能生產專家Nexperia宣布推出一系列采用新一代H2技術的全新高壓氮化鎵場效應管。新器件包含兩種封裝，TO-247 和Nexperia專有的CCPAK。兩者均實現了更出色的開關和導通性能，并具有更好的穩定性。由于采用了級聯結構并優化了器件相關參數，Nexperia的氮化鎵場效應管無需復...
Nexperia650V GaN 技術5G 2020-06-09

Nexperia與Ricardo合作開發基于GaN的EV逆變器設計

領先的汽車咨詢公司在技術演示器中采用Nexperia已獲AEC-Q101認證的GaN FET器件奈梅亨，2020年2月25日：分立器件、MOSFET器件、GaN FET器件及模擬和邏輯器件領域的生產專家Nexperia宣布與知名汽車工程咨詢公司Ricardo合作，以研制基于氮化鎵(GaN)技術的EV逆變器技術演示器。 GaN是這些應用的首選功率...
NexperiaRicardo氮化鎵(GaN)技術EV逆變器設計 2020-02-26

MJD 雙極晶體管（高達 8 A）豐富了 Nexperia 功率產品系列

符合 AEC－Q101 標準的高質量、高可靠性元件總部位于荷蘭的分立和 MOSFET 器件及模擬與邏輯 IC領域的專家Nexperia公司今日推出一款全新高質量、高可靠性的MJD 3 A 和 8 A 功率汽車雙極晶體管（符合 AEC-Q101 標準以及消費者/工業標準）。該款產品組合包括8款同時支持 80 V 和 100 V 及NPN 和 PNP 型的元...
NexperiaMJD 雙極晶體管 2019-12-02

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