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應(yīng)用開發(fā)

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↓在新聞中搜索到 572 條關(guān)于“GAN”的信息，用時:0.004 sec.

GaN Systems公司和合作伙伴應(yīng)對零排放挑戰(zhàn)

氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體的全球領(lǐng)導(dǎo)者GaN Systems 公司今天宣布，其合作伙伴的生態(tài)系統(tǒng)不斷壯大，通過加速全球可持續(xù)發(fā)展和清潔技術(shù)革命，應(yīng)對凈零排放挑戰(zhàn)，中和二氧化碳（CO2）和其他溫室氣體的排放。高效的發(fā)電、配電和轉(zhuǎn)換是推動可持續(xù)性和減少排放的關(guān)鍵因素。由于氮化鎵在本質(zhì)上比硅和碳化硅更高...
GaN Systems零排放 2021-12-21

GaN快充市場賽道提速，SRII交付半導(dǎo)體晶圓設(shè)備助力中國產(chǎn)能擴充

隨著蘋果公司正式推出140W氮化鎵（GaN）快充，以智能手機、筆記本電腦為代表的消費電子快充市場迎來了又一標(biāo)桿性產(chǎn)品的重要拐點。近兩年來，全球GaN充電器的出貨量已經(jīng)突破了數(shù)千萬只。然而，這僅僅只是開端。 Yole Développement的最新調(diào)研報告顯示，預(yù)計2026年全球GaN功率器件的市場規(guī)模達(dá)到11億美元...
GaNSRII思銳智能 2021-11-01

TI推出全新GaN技術(shù)，攜手臺達(dá)打造高效能服務(wù)器電源供應(yīng)器

德州儀器（TI）今宣布其氮化鎵（GaN）技術(shù)和 C2000™ 實時微控制器（MCU），輔以臺達(dá)（Delta Electronics）長期耕耘之電力電子核心技術(shù)，為數(shù)據(jù)中心開發(fā)設(shè)計高效、高功率的企業(yè)用服務(wù)器電源供應(yīng)器（PSU）。與使用傳統(tǒng)架構(gòu)的企業(yè)服務(wù)器電源供應(yīng)器相比，臺達(dá)研發(fā)的服務(wù)器電源供應(yīng)器將功率密度提高了...
GaN技術(shù)TI臺達(dá)電源供應(yīng)器 2021-09-24

國產(chǎn)SiC ＆ GaN功率器件已達(dá)國際一流水平，組建歐洲銷售團隊“出海”

日前，SiC & GaN功率器件設(shè)計和方案商派恩杰官方正式宣告與德國Foxy Power合作組建歐洲&北美銷售團隊。派恩杰負(fù)責(zé)市場與銷售的副總裁高治廷先生表示：“過去三年，派恩杰潛心研發(fā)，已經(jīng)發(fā)布了50余款650V/1200V/1700V SiC SBD、650V , 1200V , 1700V , 750V SiC MOS、650V GaN HEMT...
國產(chǎn)SiCGaN功率器件 2021-09-09

ST 和Exagan開啟GaN發(fā)展新篇章

氮化鎵(GaN)是一種III-V族寬能隙化合物半導(dǎo)體材料，能隙為3.4 eV，電子遷移率為1,700 cm2/Vs，而硅的能隙和電子遷移率分別為1.1 eV和1,400 cm2/Vs。因此，GaN的固有性質(zhì)讓器件具有更高的擊穿電壓和更低的通態(tài)電阻，這就是說，與同尺寸的硅基器件相比，GaN器件可以處理更大的負(fù)載，能效更高，物料清單成...
STExaganGaNCMOS晶圓半導(dǎo)體材料 2021-09-07

50余款達(dá)國際一流水平的國產(chǎn)SiC SBD、SiCMOS、GaN HEMT及應(yīng)用DEMO即將亮相PCIM展

據(jù)2021深圳國際電力元件、可再生能源管理展覽會（PCIM展）主辦方公布的信息，第三代半導(dǎo)體設(shè)計和方案商派恩杰半導(dǎo)體已確定參展，展位號E43。成立于2018年9月的派恩杰半導(dǎo)體，目前已是國際標(biāo)準(zhǔn)委員會JC-70會議的主要成員之一，參與制定寬禁帶半導(dǎo)體功率器件國際標(biāo)準(zhǔn)。2019年3月，派恩杰成立僅6個月即...
SiC SBDSiCMOSGaNHEMTPCIM展 2021-08-25

恩智浦將GaN用于5G多芯片模塊，以實現(xiàn)高能效移動網(wǎng)絡(luò)

Ÿ 用于5G基礎(chǔ)設(shè)施的恩智浦多芯片模塊中的GaN性能可將效率提高8個百分點 Ÿ 縮小基站射頻單元尺寸，減輕重量；加快5G系統(tǒng)的設(shè)計和部署 Ÿ 恩智浦整合了多項技術(shù)，以實現(xiàn)最優(yōu)性能恩智浦半導(dǎo)體（NXP Semiconductors N.V.，納斯達(dá)克代碼：NXPI）宣...
恩智浦GaN5G多芯片模塊 2021-07-06

聞泰科技：安世半導(dǎo)體GaN FETs產(chǎn)品即將迎來大規(guī)模出貨

近日，在SEMICON China大展的功率與化合物半導(dǎo)體國際論壇上，聞泰科技副總裁吳友文演講中表示，“第三代化合物功率半導(dǎo)體將全方位助力電動車零排放革命”。電動汽車的未來是“行駛里程延長、充電時間縮短，電池容量更大”，第三代化合物功率半導(dǎo)體將是實現(xiàn)該項目標(biāo)的關(guān)鍵性因素。在十四五規(guī)劃綱要中...
GaN安世半導(dǎo)體氮化鎵聞泰科技 2021-03-24

TI 推首款汽車和工業(yè)級GaN FET 功率密度再翻倍

隨著半導(dǎo)體技術(shù)的提升，人們逐漸將目標(biāo)轉(zhuǎn)向了尋找Si以外新一代的半導(dǎo)體材料。在這個過程中，GaN近年來作為一個高頻詞匯，進(jìn)入了人們的視野。 GaN和SiC同屬于第三代高大禁帶寬度的半導(dǎo)體材料的代表，由于禁帶寬度大、導(dǎo)熱率高等特性，利用GaN人們可以獲得具有更大帶寬、更高放大器增益、更高能效、尺...
GaN FET功率密度電源磁性器件 2020-11-20

NXP加大GaN射頻投資，亞利桑那州工廠啟用

NXP日前位于亞利桑那的fab正式開啟，生產(chǎn)用于功率放大器的GaN器件，它可以跨越5G頻率，從Sub-6GHz到毫米波。 5G基站需要向用戶設(shè)備傳輸?shù)皖l、中頻和毫米波信號。隨著頻率的增加，在有效距離上傳輸所需的功率也隨之增加。由于氮化鎵（GaN）的高頻特性，它在5G基站功率放大器中比其他工藝具有優(yōu)勢。20...
GaNNXP 2020-11-11

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