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應(yīng)用開發(fā)

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↓在新聞中搜索到 613 條關(guān)于“DRAM”的信息，用時(shí):0.003 sec.

SK海力士宣布開始量產(chǎn)超高速DRAM‘HBM2E’

SK海力士（或‘公司’，https://www.skhynix.com/cha/main.do）宣布開始量產(chǎn)超高速DRAM‘HBM2E’。這是公司去年8月宣布完成HBM2E開發(fā)僅十個(gè)月之后的成果。圖1. SK海力士宣布開始量產(chǎn)超高速DRAM, HBM2E SK海力士的HBM2E以每個(gè)pin 3.6Gbps的處理速度，通過1,024個(gè)I/Os（Inputs/Outputs, 輸入/輸出）能...
SK海力士DRAMHBM2E 2020-07-02

國(guó)產(chǎn)DRAM內(nèi)存抱團(tuán)發(fā)展合肥長(zhǎng)鑫與長(zhǎng)三角3家公司達(dá)成合作

長(zhǎng)三角一體化發(fā)展重大合作事項(xiàng)簽約儀式在湖州舉行，合肥長(zhǎng)鑫與蘇州瑞紅電子化學(xué)品有限公司、寧波江豐電子材料股份有限公司、上海新昇半導(dǎo)體科技有限公司共同簽約，一致同意支持長(zhǎng)鑫12英寸存儲(chǔ)器晶圓制造基地項(xiàng)目建設(shè)。 2019年國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)芯片取得了兩個(gè)突破——長(zhǎng)江存儲(chǔ)的3D閃存、合肥長(zhǎng)鑫的DRAM內(nèi)存雙...
DRAM內(nèi)存3D閃存 2020-06-08

美光公布最新DRAM路線圖，4F2Memory Cell能否成為關(guān)鍵技術(shù)

筆者于2020年5月17日-20日參加了“2020 IEEE 12th International Memory Workshop(IMW 2020, 國(guó)際內(nèi)存研討會(huì))”的在線會(huì)議，其中，5月18日，鎂光科技在會(huì)議上做了《最尖端DRAM》的主題演講，本文筆者就鎂光的DRAM主題演講（論文編號(hào)：1-1）簡(jiǎn)單展開論述。 International Memory Workshop(IMW 2020, ...
dram美光 2020-06-03

南亞科技：DRAM合約價(jià)格三季度仍將繼續(xù)上漲

據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，研究機(jī)構(gòu)此前公布的數(shù)據(jù)顯示，雖然一季度主要DRAM廠商的銷售額環(huán)比下滑，但全球DRAM產(chǎn)品的價(jià)格卻有上升。而DRAM廠商南亞科技預(yù)計(jì)，由于居家經(jīng)濟(jì)對(duì)相關(guān)設(shè)備的需求依然強(qiáng)勁，對(duì)DRAM的需求也依然會(huì)保持強(qiáng)勁，DRAM的合約價(jià)格，在今年三季度仍將繼續(xù)上漲。預(yù)計(jì)DRAM合約價(jià)格...
dram 2020-06-01

三星首次將EUV技術(shù)應(yīng)用于DRAM生產(chǎn)

據(jù)ZDnet報(bào)道，三星宣布，已成功將EUV技術(shù)應(yīng)用于DRAM的生產(chǎn)中。三星已經(jīng)出貨了100萬(wàn)個(gè)使用EUV工藝制造的10nm級(jí)DDR4 DRAM模塊，并得到了客戶的評(píng)估。三星表示，評(píng)估工作完成后，將為明年大規(guī)模生產(chǎn)新的DRAM鋪平道路。三星在平澤工廠的EUV專用V2生產(chǎn)線將于下半年開始生產(chǎn)DRAM模塊。該生產(chǎn)線預(yù)計(jì)將生產(chǎn)4代...
EUV技術(shù)DDR4 DRAM模塊 2020-03-27

兆易創(chuàng)新：募集43億元，最晚2025年量產(chǎn)首款DRAM芯片

日前，據(jù)媒體報(bào)道，兆易創(chuàng)新將公司擬向不超過10名特定投資者非公開發(fā)行股票不超過64,224,315股（含本數(shù)），募集資金總額（含發(fā)行費(fèi)用）不超過人民幣432,402.36萬(wàn)元，用于DRAM芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化以及補(bǔ)充流動(dòng)資金。根據(jù)兆易創(chuàng)新公開的計(jì)劃，至2020年，將完成首款DRAM芯片產(chǎn)品定義，包括市場(chǎng)定位、產(chǎn)品規(guī)格...
DRAM芯片兆易創(chuàng)新 2020-01-02

紫光日本公司CEO坂本幸雄：DRAM內(nèi)存將在5年內(nèi)量產(chǎn)

在合肥長(zhǎng)鑫1500億元投資的內(nèi)存項(xiàng)目之后，紫光集團(tuán)也在6月底正式宣布組建DRAM內(nèi)存事業(yè)部，這是國(guó)內(nèi)在內(nèi)存行業(yè)又一次重要布局。本月中，紫光宣布前日本內(nèi)存公司爾必達(dá)董事長(zhǎng)坂本幸雄加盟，將擔(dān)任高級(jí)副總裁及日本公司CEO，負(fù)責(zé)開拓日本市場(chǎng)，他會(huì)負(fù)責(zé)在日本招募人才。坂本幸雄在DRAM領(lǐng)域具有30余年的從業(yè)...
DRAM內(nèi)存紫光 2019-12-02

集邦咨詢：第三季DRAM提前備貨需求大增，帶動(dòng)產(chǎn)值季成長(zhǎng)4%

集邦咨詢：第三季DRAM提前備貨需求大增，帶動(dòng)產(chǎn)值季成長(zhǎng)4%根據(jù)集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)調(diào)查顯示，2019年下半年DRAM需求端的庫(kù)存已回到較健康的水位，加上部分業(yè)者為避免日后可能加征關(guān)稅帶來的負(fù)面沖擊，在第三季提前備貨，帶動(dòng)DRAM供應(yīng)商第三季的銷售位元出貨量(sales bit)大增，連帶推升...
dram服務(wù)器存儲(chǔ)器 2019-11-19

兆易創(chuàng)新擬募資43億元設(shè)計(jì)和研發(fā)DRAM芯片

近日，兆易創(chuàng)新發(fā)布《非公開發(fā)行A股股票預(yù)案》公告，公司擬募集資金不超過43.24億元，用于DRAM芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目、補(bǔ)充流動(dòng)資金。公告顯示，本次發(fā)行的股票數(shù)量不超過本次發(fā)行前公司股份總數(shù)的20%，即不超過64,224,315股（含本數(shù)）。兆易創(chuàng)新自2005年設(shè)立并進(jìn)入閃存芯片設(shè)計(jì)行業(yè)，通過技術(shù)開拓、...
DRAM芯片傳感器模塊兆易創(chuàng)新 2019-10-08

長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)亮相閃存技術(shù)峰會(huì) 引領(lǐng)中國(guó)DRAM技術(shù)突破

在今日舉辦的中國(guó)閃存技術(shù)峰會(huì)(CFMS)上，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)副總裁、未來技術(shù)評(píng)估實(shí)驗(yàn)室負(fù)責(zé)人平爾萱博士做了題為《DRAM技術(shù)趨勢(shì)與行業(yè)應(yīng)用》的演講，披露了DRAM技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀和未來趨勢(shì)。作為中國(guó)DRAM產(chǎn)業(yè)的領(lǐng)導(dǎo)者，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)正在加速?gòu)腄RAM的技術(shù)追趕者向技術(shù)引領(lǐng)者轉(zhuǎn)變，用自主研發(fā)的DRAM技術(shù)和專利，引領(lǐng)中國(guó)實(shí)...
長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)DRAM技術(shù)閃存技術(shù)峰會(huì) 2019-09-19

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