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氮化鎵(GaN)是一種III-V族寬能隙化合物半導體材料，能隙為3.4 eV，電子遷移率為1,700 cm2/Vs，而硅的能隙和電子遷移率分別為1.1 eV和1,400 cm2/Vs。因此，GaN的固有性質讓器件具有更高的擊穿電壓和更低的通態電阻，這就是說，與同尺寸的硅基器件相比，GaN器件可以處理更大的負載，能效更高，物料清單成... （來源：新聞頻道）
ST ExaganGaNCMOS 晶圓 半導體材料 2021-9-7 16:37
1984年，意法半導體（ST）在中國設立了第一個辦事處，成為首批在中國設立營業機構的國際半導體公司之一。從那時起，ST在中國逐步實現了完整產業鏈的戰略部署，在內地擁有16個辦事處，1家制造工廠以及約4,900名員工，分布在市場銷售、設計研發、技術創新中心、生產制造、供應鏈管理和各種支持職能。如今... （來源：新聞頻道）
ST新能源汽車 2021-4-21 13:34
橫跨多重電子應用領域的全球領先的半導體供應商意法半導體(STMicroelectronics,簡稱ST; 紐約證券交易所代碼:STM) 宣布，已經簽署收購法國氮化鎵（GaN）創新企業Exagan公司的多數股權的并購協議。Exagan的外延工藝、產品開發和應用經驗將拓寬并推進意法半導體的汽車、工業和消費用功率GaN的開發規劃和業... （來源：新聞頻道）
Exagan ST 功率GaN 2020-3-9 09:35
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