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據韓國媒體《THEELEC》報導指出，三星電子在23 日舉行的在全球半導體產業會議Hotchips 33 上宣布，三星電子將于2022 年底開始量產8 層堆疊的DDR5內存芯片。 據介紹，該8層堆疊的DDR5內存芯片將使用其矽通孔(TSV) 技術，將512GB DDR5 內存模組進一步堆疊起來。而目前該公司已經生產出采用TSV 技術4 層堆... （來源：新聞頻道）
三星DDR5芯片 2021-8-27 10:07
隨著年底英特爾 12 代酷睿 Alder Lake 系列以及 AMD 下一代 Zen4 處理器的到來，DDR5 內存將步入大眾生活，在此之前，各家存儲半導體廠商已經開始推廣其新一代 DDR5 內存。 在今日的 HotChips 33 上，AMD 等一眾行業巨頭均有參會，其中三星便揭曉了業內首款單條 512GB 的 DDR5 內存條（消費級 64GB），... （來源：新聞頻道）
三星512GB DDR5內存 2021-8-23 17:01
在 HotChips 33 大會上，三星確認正在開發具有 8 層 TSV（直通硅通孔）的 DDR5 內存模塊，是 DDR4 內存容量的兩倍。這意味著理論上，512GB 內存模塊是可能實現的。 通過優化封裝，三星的 DDR5 內存模塊高度將低于 DDR4 4 層內存。由于管芯之間的間隙更小（減少 40%）以及通過實施薄晶圓處理技術... （來源：新聞頻道）
三星DDR5 2021-8-23 11:01
最近，8月16-18日，Hotchips 32會議成功召開，由于新冠疫情原因，今年的大會首次僅向參加者提供在線會議形式。 會議上，Intel、AMD等半導體巨頭都做了最新研究和產品進展的匯報，我國的阿里巴巴和百度也有新技術匯報。 其中，有個初創企業Cerebras Systems再一次吸引了大家的注意，這... （來源：新聞頻道）
WES Cerebras 2020-8-21 10:24
我們現在使用的半導體大部分是硅基電路，問世已經60年了，多年來都是按照摩爾定律2年一次微縮的規律發展，但它終究是有極限的。臺積電在突破5nm、3nm及未來的2nm之后，下一步就要進軍1nm工藝了。 根據臺積電的規劃，今年會量產5nm工藝，2022年則會量產3nm工藝，2nm工藝已經在研發中了，預計會在20... （來源：新聞頻道）
臺積電1nm工藝 2020-4-27 16:12
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