電力電子器件高度依賴于硅(Si)、碳化硅(SiC)和氮化鎵高電子遷移率晶體管(GaN HEMT)等半導體材料。雖然硅一直是傳統的選擇,但碳化硅器件憑借其優異的性能與可靠性而越來越受歡迎。相較于硅,碳化硅具備多項技術優勢(圖1),這使其在電動汽車、數據中心,以及直流快充、儲能系統和光伏逆變器等能... (來源:新聞頻道)
碳化硅Cascode JFET碳化硅器件氮化鎵 2025-10-15 13:15
日前,安森美 (onsemi) 宣布已完成以1.15億美元現金收購Qorvo碳化硅結型場效應晶體管(SiC JFET) 技術業務及其子公司United Silicon Carbide。 據悉,SiC JFET技術的加入將補足安森美廣泛的EliteSiC電源產品組合,使其能應對人工智能(AI)數據中心電源AC-DC段對高能效和高功率密度的需求。在電動汽車... (來源:新聞頻道)
安森美碳化硅 2025-1-21 10:08
收購Qorvo的SiC JFET業務及其子公司United Silicon Carbide,預計將在5年內為安森美帶來13億美元的市場機會安森美(onsemi,納斯達克股票代碼:ON)宣布已與Qorvo達成協議,以1.15億美元現金收購其碳化硅結型場效應晶體管(SiC JFET) 技術業務及其子公司United Silicon Carbide。該收購將補足安森美廣泛... (來源:新聞頻道)
安森美 碳化硅 JFET 技術 電源 2024-12-11 10:25
3月下旬,全球領先的連接和電源解決方案供應商 Qorvo® 在京召開了以“連接與電源——新主題、新Qorvo”的媒體活動。通過此次活動,Qorvo旨在向業內介紹Qorvo在自身移動產品和基礎設施應用上的射頻領導地位進面向電源、物聯網和汽車等領域的最新進展。Matter出世,化解萬物互聯生態壁壘物聯網讓我們... (來源:新聞頻道)
物聯網 連接 電源 UWB技術 2023-3-28 15:05
全球領先的連接和電源解決方案供應商 Qorvo® (納斯達克代碼:QRVO)今日宣布,將展示一種全新的無引線表面貼裝 (TOLL) 封裝技術,其高性能具體表現在:750V SiC FET 擁有全球最低的5.4 (mΩ) 的導通阻抗。這也是 Qorvo 公司 750V SiC FETs 產品 TOLL 封裝系列中的首發產品,其導通電阻范圍從 5.4 m... (來源:新聞頻道)
QorvoTOLL 封裝 5.4mΩ 750V SiC FETs 2023-3-21 14:18
根據 Omdia 的《2020 年 SiC 和 GaN 功率半導體報告》,在混合動力及電動汽車、電源和光伏逆變器需求的拉動下,碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率半導體的新興市場預計在 2021 年突破 10 億美元。 報告表示,全球 SiC 和 GaN 功率半導體的銷售收入,預計從 2018 年的 5.71 億美元... (來源:新聞頻道)
氮化鎵碳化硅功率 2020-11-19 11:13
新型功率半導體企業美商聯合碳化硅股份有限公司(UnitedSiC)宣布將推出四種新型SiC FET,其RDS(ON)值可低至7mΩ,并可提供前所未有的性能和高效率,適用于電動汽車(EV)逆變器、高功率DC/DC轉換器、大電流電池充電器和固態斷路器等高功率應用。在這四款全新UF3C SiC FET器件中,一款產品額定電壓值為... (來源:新聞頻道)
UnitedSiC碳化硅FET大電流電池充電器 2019-12-10 10:27
新型功率半導體企業美商聯合碳化硅股份有限公司(UnitedSiC)宣布,在公司快速發展的650V SiC FET硬開關UF3C FAST產品系列中新增兩種TO220-3L封裝選項。 新產品的RDS(on)值分別為30mΩ(UF3C065030T3S)和80mΩ(UF3C065080T3S),采用行業標準的三引腳TO220-3L封裝,結合了UnitedSiC自己開發的燒結... (來源:新聞頻道)
UnitedSiC 電動汽車充電650V SiC FET封裝 2019-7-25 10:23
碳化硅(SiC)功率半導體制造商UnitedSiC/美商聯合碳化硅股份有限公司宣布,已經為UJ3C(通用型)和UF3C(硬開關型)系列650V SiC FET新增加了7種新的TO220-3L和D2PAK-3L器件/封裝組合產品。 這些新器件能夠提供新級別的高壓電源性能,適用于快速增長的數據中心服務器電源、5G基站電信整流器以及電... (來源:新聞頻道)
UnitedSiC UJ3C和UF3C FET產品 5G基站電信整流器 電動汽車車載充電器 2019-5-8 11:31
2019年3月19日,美國加州Anaheim應用電源電子會議(APEC),美國新澤西州普林斯頓 --- 碳化硅(SiC)功率半導體制造商UnitedSiC宣布已經推出一系列適用于與具備內置低壓MOSFET的控制器IC共同封裝的SiC JFET晶片,由此可制造出速度極快,基于共源共柵的20~100W反激式產品。這些常導通型SiC JFET的工作電... (來源:新聞頻道)
SiC JFET晶片低功率AC-DC反激式轉換器控制器IC 2019-3-20 11:52