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日前，安森美 (onsemi) 宣布已完成以1.15億美元現(xiàn)金收購(gòu)Qorvo碳化硅結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(SiC JFET) 技術(shù)業(yè)務(wù)及其子公司United Silicon Carbide。 據(jù)悉，SiC JFET技術(shù)的加入將補(bǔ)足安森美廣泛的EliteSiC電源產(chǎn)品組合，使其能應(yīng)對(duì)人工智能（AI）數(shù)據(jù)中心電源AC-DC段對(duì)高能效和高功率密度的需求。在電動(dòng)汽車(chē)... （來(lái)源：新聞?lì)l道）
安森美碳化硅 2025-1-21 10:08
收購(gòu)Qorvo的SiC JFET業(yè)務(wù)及其子公司United Silicon Carbide，預(yù)計(jì)將在5年內(nèi)為安森美帶來(lái)13億美元的市場(chǎng)機(jī)會(huì)安森美（onsemi，納斯達(dá)克股票代碼：ON）宣布已與Qorvo達(dá)成協(xié)議，以1.15億美元現(xiàn)金收購(gòu)其碳化硅結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(SiC JFET) 技術(shù)業(yè)務(wù)及其子公司United Silicon Carbide。該收購(gòu)將補(bǔ)足安森美廣泛... （來(lái)源：新聞?lì)l道）
安森美 碳化硅 JFET 技術(shù) 電源 2024-12-11 10:25
３月下旬，全球領(lǐng)先的連接和電源解決方案供應(yīng)商 Qorvo® 在京召開(kāi)了以“連接與電源——新主題、新Qorvo”的媒體活動(dòng)。通過(guò)此次活動(dòng)，Qorvo旨在向業(yè)內(nèi)介紹Qorvo在自身移動(dòng)產(chǎn)品和基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用上的射頻領(lǐng)導(dǎo)地位進(jìn)面向電源、物聯(lián)網(wǎng)和汽車(chē)等領(lǐng)域的最新進(jìn)展。Matter出世，化解萬(wàn)物互聯(lián)生態(tài)壁壘物聯(lián)網(wǎng)讓我們... （來(lái)源：新聞?lì)l道）
物聯(lián)網(wǎng) 連接 電源 UWB技術(shù) 2023-3-28 15:05
全球領(lǐng)先的連接和電源解決方案供應(yīng)商 Qorvo® （納斯達(dá)克代碼：QRVO）今日宣布，將展示一種全新的無(wú)引線表面貼裝 (TOLL) 封裝技術(shù)，其高性能具體表現(xiàn)在：750V SiC FET 擁有全球最低的5.4 (mΩ) 的導(dǎo)通阻抗。這也是 Qorvo 公司 750V SiC FETs 產(chǎn)品 TOLL 封裝系列中的首發(fā)產(chǎn)品，其導(dǎo)通電阻范圍從 5.4 m... （來(lái)源：新聞?lì)l道）
QorvoTOLL 封裝 5．4mΩ 750V SiC FETs 2023-3-21 14:18
根據(jù) Omdia 的《2020 年 SiC 和 GaN 功率半導(dǎo)體報(bào)告》，在混合動(dòng)力及電動(dòng)汽車(chē)、電源和光伏逆變器需求的拉動(dòng)下，碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體的新興市場(chǎng)預(yù)計(jì)在 2021 年突破 10 億美元。 報(bào)告表示，全球 SiC 和 GaN 功率半導(dǎo)體的銷(xiāo)售收入，預(yù)計(jì)從 2018 年的 5.71 億美元... （來(lái)源：新聞?lì)l道）
氮化鎵碳化硅功率 2020-11-19 11:13
新型功率半導(dǎo)體企業(yè)美商聯(lián)合碳化硅股份有限公司（UnitedSiC）宣布將推出四種新型SiC FET，其RDS（ON）值可低至7mΩ，并可提供前所未有的性能和高效率，適用于電動(dòng)汽車(chē)（EV）逆變器、高功率DC/DC轉(zhuǎn)換器、大電流電池充電器和固態(tài)斷路器等高功率應(yīng)用。在這四款全新UF3C SiC FET器件中，一款產(chǎn)品額定電壓值為... （來(lái)源：新聞?lì)l道）
UnitedSiC碳化硅FET大電流電池充電器 2019-12-10 10:27
新型功率半導(dǎo)體企業(yè)美商聯(lián)合碳化硅股份有限公司（UnitedSiC）宣布，在公司快速發(fā)展的650V SiC FET硬開(kāi)關(guān)UF3C FAST產(chǎn)品系列中新增兩種TO220-3L封裝選項(xiàng)。 新產(chǎn)品的RDS（on）值分別為30mΩ（UF3C065030T3S）和80mΩ（UF3C065080T3S），采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的三引腳TO220-3L封裝，結(jié)合了UnitedSiC自己開(kāi)發(fā)的燒結(jié)... （來(lái)源：新聞?lì)l道）
UnitedSiC 電動(dòng)汽車(chē)充電650V SiC FET封裝 2019-7-25 10:23
碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體制造商UnitedSiC/美商聯(lián)合碳化硅股份有限公司宣布，已經(jīng)為UJ3C（通用型）和UF3C（硬開(kāi)關(guān)型）系列650V SiC FET新增加了7種新的TO220-3L和D2PAK-3L器件/封裝組合產(chǎn)品。 這些新器件能夠提供新級(jí)別的高壓電源性能，適用于快速增長(zhǎng)的數(shù)據(jù)中心服務(wù)器電源、5G基站電信整流器以及電... （來(lái)源：新聞?lì)l道）
UnitedSiC UJ3C和UF3C FET產(chǎn)品 5G基站電信整流器 電動(dòng)汽車(chē)車(chē)載充電器 2019-5-8 11:31
2019年3月19日，美國(guó)加州Anaheim應(yīng)用電源電子會(huì)議（APEC），美國(guó)新澤西州普林斯頓 --- 碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體制造商UnitedSiC宣布已經(jīng)推出一系列適用于與具備內(nèi)置低壓MOSFET的控制器IC共同封裝的SiC JFET晶片，由此可制造出速度極快，基于共源共柵的20～100W反激式產(chǎn)品。這些常導(dǎo)通型SiC JFET的工作電... （來(lái)源：新聞?lì)l道）
SiC JFET晶片低功率AC－DC反激式轉(zhuǎn)換器控制器IC 2019-3-20 11:52
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