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安森美具有卓越 RDS（on）*A 性能的 SiC JFET，特別適用于需要大電流處理能力和較低開關速度的應用，如固態斷路器和大電流開關系統。得益于碳化硅（SiC）優異的材料特性和 JFET 的高效結構，可實現更低的導通電阻和更佳的熱性能，非常適合需要多個器件并聯以高效管理大電流負載的應用場景。 ... （來源：技術文章頻道）
SiC Combo JFET 2025-6-26 10:30
當今的電源設計要求高效率和高功率密度。因此，設計人員將氮化鎵 (GaN) 器件用于各種電源轉換拓撲。 GaN 可實現高頻開關，這樣可減小無源器件的尺寸，從而增加密度。與硅和碳化硅 (SiC) 之類的技術相比，GaN 還可降低開關、柵極驅動和反向恢復損耗，從而提高電源設計效率。 您可以使用 650V GaN ... （來源：技術文章頻道）
TOLL 封裝 GaN 電源設計TI 2025-6-4 16:08
根據Synergy Research Group的報告顯示，截至2024年底，超大規模運營商運營的數據中心數量達到1136個，較2019年第四季度的不到600個大幅增加，意味著全球超大規模數據中心數量在過去五年中幾乎翻了一番。 此外，未來幾年規劃中的數據中心項目數量自2022年3月以來增長了60%，從314個增加到2025年3月的... （來源：技術文章頻道）
寬禁帶半導體數據中心電源 2025-4-18 14:05
在功率半導體領域，氮化鎵（GaN）因其高頻高效特性被譽為 “下一代開關器件的核心”，這一技術如今已經通過快充進入到了千家萬戶，但如何持續發揮出氮化鎵的功率優勢，在不同領域都實現如快充頭一樣的普及，一直是行業難題。 德州儀器（TI）日前推出了行業標準TOLL封裝的GaN LMG365x，滿足... （來源：技術文章頻道）
氮化鎵TI 2025-4-16 11:18
• 新款發布的具有電源路徑保護功能的 48V 集成式熱插拔電子保險絲簡化了數據中心設計，助力設計人員達到 6kW 以上的功率水平。• 新型集成式氮化鎵 (GaN) 功率級采用行業標準的晶體管外形無引線 (TOLL) 封裝，將 德州儀器的 GaN 和高性能柵極驅動器與先進的保護功能相結合。 德州儀器... （來源：新品頻道）
德州儀器電源管理芯片數據中心 2025-4-9 13:20
隨著全球對可再生能源和清潔電力系統的需求不斷增長，光儲充一體化市場為實現能源的高效利用和優化配置提供了創新解決方案。在此趨勢引領下，碳化硅（SiC）產業生態正迅速發展，逐漸成為替代傳統硅基功率器件的有力市場競爭者。本文將聚焦于SiC材料的卓越屬性，探討安森美（onsemi）系列先進的封裝技術... （來源：技術文章頻道）
SiC 封裝技術 安森美 碳化硅 2024-8-29 11:16
全球領先的連接和電源解決方案供應商 Qorvo®（納斯達克代碼：QRVO）今日宣布，率先在業界推出采用 TOLL 封裝的 4mΩ 碳化硅（SiC）結型場效應晶體管（JFET）——UJ4N075004L8S。該產品專為包括固態斷路器在內的電路保護應用而設計，UJ4N075004L8S 所具有的低電阻、卓越的熱性能、小巧的尺寸和高可靠... （來源：新品頻道）
Qorvo TOLL 封裝 SiC JFET 斷路器技術 2024-6-13 09:50
新封裝提供了更高的功率輸出、便于光學檢查、節省了系統成本，并提高了可靠性無晶圓廠環保科技半導體公司 Cambridge GaN Devices (CGD) 開發了一系列高能效 GaN 功率器件，致力于打造更環保的電子器件。CGD 今日推出兩款新型 ICeGaN™ 產品系列 GaN 功率 IC 封裝，它們具有低熱阻并便于... （來源：新品頻道）
CGD GaN 功率 IC 封裝 2024-6-5 09:52
作者：Wolfspeed 產品市場經理 Eric Schulte碳化硅（SiC）功率器件已經被廣泛應用于服務器電源、儲能系統和光伏逆變器等領域。近些年來，汽車行業向電力驅動的轉變推動了碳化硅（SiC）應用的增長， 也使設計工程師更加關注該技術的優勢，并拓寬其應用領域。選擇器件技術無論應用領域如何，每個電源設計... （來源：技術文章頻道）
碳化硅 PFC技術 Wolfspeed 2024-1-2 15:10
三款新器件為SMD的高功率系統帶來了SuperGaN的常閉型(Normally-Off D-Mode)平臺優勢，此類高功率系統需要在高功率密度的情況下實現更高的可靠性和性能，并產生較低的熱量新世代電力系統的未來、氮化鎵(GaN)功率半導體的全球領先供應商 Transphorm, Inc.（納斯達克股票代碼：TGAN）近日宣布，推出三款TO... （來源：新品頻道）
TransphormTOLL封裝FET人工智能 2023-11-7 10:22
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