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隨著半導體技術的提升，人們逐漸將目標轉(zhuǎn)向了尋找Si以外新一代的半導體材料。在這個過程中，GaN近年來作為一個高頻詞匯，進入了人們的視野。 GaN和SiC同屬于第三代高大禁帶寬度的半導體材料的代表，由于禁帶寬度大、導熱率高等特性，利用GaN人們可以獲得具有更大帶寬、更高放大器增益、更高能效、尺... （來源：新聞頻道）
GaN FET功率密度電源磁性器件 2020-11-20 15:38
德州儀器（TI）今天推出了面向汽車和工業(yè)應用的下一代650V和600V氮化鎵（GaN）場效應晶體管（FET），進一步豐富拓展了其高壓電源管理產(chǎn)品線。與現(xiàn)有解決方案相比，新的GaN FET系列采用快速切換的2.2 MHz集成柵極驅(qū)動器，可幫助工程師提供兩倍的功率密度和高達99％的效率，并將電源磁性器件的尺寸減少59... （來源：新聞頻道）
TI GaN FET 2020-11-10 16:28
市場上對視頻、信息交換、數(shù)據(jù)互聯(lián)互通的需求在不斷攀升，帶動了具有擴展功能的電力電子器件和分布式電源管理需求的增長，如何在更小的終端產(chǎn)品上提供更高的功率是業(yè)內(nèi)迫切需要解決的問題。針對以上需求，近日德州儀器（TI） 在線上發(fā)布了其全新一代高功率密度產(chǎn)品，以及分享了該公司在氮化鎵領域的最新... （來源：新聞頻道）
TIBQ25790／2 TPS546D24A TPSM53604－36VUCC12050TI GaN 2020-7-10 11:08
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