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↓在新品中搜索到 24 條關于“FRD”的信息，用時:0.001 sec.

宏微科技推出分別針對汽車800V平臺和增程式混動的兩款IGBT模塊

產品介紹宏微科技本次推出適合汽車800V平臺電驅控制器的產品 MMG600V120X6RS，以及針對1.5L增程器70KW GCU的產品 MMG280VD075X6T7，采用宏微GV與GVD封裝，均擁有更低的通態損耗，在客戶應用工況下有著極高的效率。內部電路拓撲結構如下圖所示：電路拓撲：三相全橋MMG600V120X6RS ...
宏微科技IGBT模塊MMG600V120X6RSMMG280VD075X6T7 2024-04-22

芯能半導體推出1200V600A C2模塊

芯能半導體新推出一款1200V600A C2模塊，該模塊采用芯能自主研發的基于MPT工藝的IGBT芯片以及發射極控制技術的FRD芯片。封裝兼容62mm。該產品具有超低的飽和壓降、超低開關損耗的特點，內置全電流正溫度系數續流二極管，利于多并聯使用，主要應用在光伏、儲能、電機控制器等領域。該C2模塊由芯能半...
芯能半導體1200V600A C2模塊 2024-04-03

東芝推出用于直流無刷電機驅動的600V小型智能功率器件

通孔式小型封裝有助于減小表貼面積和電機電路板尺寸東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出兩款600V小型智能功率器件（IPD）——“TPD4163K”和“TPD4164K”，可用于空調、空氣凈化器和泵等直流無刷電機驅動應用。這兩款器件的輸出電流（DC）額定值分別為1A和2A，于今日開始支持批量...
東芝直流無刷電機驅動TPD4163KTPD4164K 2023-10-26

東芝推出用于直流無刷電機驅動的600V小型智能功率器件

表面貼裝型小型封裝有助于減小表貼面積和電機驅動電路板的尺寸東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出兩款600V小型智能功率器件（IPD）---“TPD4163F”和“TPD4164F”，可用于空調、空氣凈化器和泵等直流無刷電機驅動應用。“TPD4163F”和“TPD4164F”的輸出電流（DC）額定值分別為...
東芝直流無刷電機驅動TPD4163FTPD4164F 2023-08-24

瑞薩電子推出用于電動汽車逆變器的新一代硅基IGBT

全球半導體解決方案供應商瑞薩電子（TSE：6723）今日宣布，推出新一代Si-IGBT（硅基絕緣柵雙極晶體管）器件——該產品以更小的尺寸帶來更低的功率損耗。針對下一代電動汽車（EVs）逆變器應用，AE5代IGBT產品將于2023年上半年在瑞薩位于日本那珂工廠的200mm和300mm晶圓線上開始批量生產。此外，瑞薩將從...
瑞薩電子硅基IGBT電動汽車逆變器 2022-08-30

Bourns推出符合業界需求的高效 IGBT 產品組合

美國柏恩 Bourns 全球知名電子組件領導制造供貨商，隆重宣布以首款與快速恢復二極管 (FRD) 共同封裝的高效600V/650V離散式產品線進軍絕緣柵雙極晶體管 (IGBT discrete) 市場。五款全新的 Bourns® BID 系列離散式 IGBT 采用先進的溝槽柵場截止技術設計，不僅提供更好的動態特性控制，與上一代非穿通...
BournsIGBT 2022-08-17

ROHM開發出實現了低損耗性能和超低噪聲特性的第4代快速恢復二極管“RFL_RFS系列”

全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）面向在空調和電動汽車充電樁等需要大功率的工業設備和消費電子設備，開發出實現了低VF和高速trr特性*1以及超低噪聲特性的第4代快速恢復二極管（以下稱“FRD”）650V耐壓“RFL/RFS系列”。近年來，隨著全球電力消耗量的增加，如何有效利用電力...
rohm二極管RFL＿RFS 2022-06-24

2.5mm×1.3mm小型“PMDE封裝”二極管（SBD/FRD/TVS）產品陣容進一步擴大，助力應用產品實現小型化

全球知半導體制造商ROHM（總部位于日本京都）為滿足車載設備、工業設備和消費電子設備等各種應用中保護電路和開關電路小型化需求，推出了PMDE封裝（2.5mm×1.3mm）產品，此次，又在產品陣容中新增14款機型。從車載設備到工業設備和消費電子設備的廣泛應用中，二極管被廣泛用于電路整流、保護和開關用...
PMDE封裝二極管rohm 2022-03-31

適用于超低溫冷柜的BLDC電機解決方案

引言一些疫苗對溫度變化高度敏感，從開始生產到給患者注射前都必須在超低溫（ULT）下進行儲存。例如，一些疫苗最初需要超低溫儲存，儲存溫度要保持在-60 °C（-76 °F）以下。在制造工廠和相關的倉庫中保持這樣的溫度并不困難。但是，在疫苗被運輸到分發地點然后到達接種者的過程中維持這種超低溫度非常...
BLDC電機rohm 2021-11-09

ROHM開發出內置SiC二極管的IGBT（Hybrid IGBT）“RGWxx65C系列”

全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）開發出650V耐壓、內置SiC肖特基勢壘二極管的IGBT（Hybrid IGBT）“RGWxx65C系列”（RGW60TS65CHR、RGW80TS65CHR、RGW00TS65CHR），且均符合汽車電子產品可靠性標準“AEC-Q101*1”。該產品適用于以電氣化車輛為首的電動汽車（xEV）中的車載充電器和DC/DC...
rohmIGBTRGWxx65C 2021-07-08

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