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↓在新品中搜索到 31 條關于“eGaN”的信息，用時:0.001 sec.

EPC新推100 V GaN FET助力實現更小的電機驅動器，用于電動自行車、機器人和無人機

基于氮化鎵器件的EPC9194逆變器參考設計顯著提高了電機驅動系統的效率、扭矩而同時使得單位重量功率（比功率）增加了一倍以上。該逆變器非常微型，可集成到電機外殼中，從而實現最低的電磁干擾、最高的密度和最輕的重量。宜普電源轉換公司宣布推出三相BLDC電機驅動逆變器參考設計(EPC9194)。它的工...
EPCGaN FET電機驅動器電動自行車機器人無人機 2023-11-09

EPC推實現超低導通電阻的200V耐輻射晶體管，用于要求嚴格的航天應用

宜普電源轉換公司(EPC)擴展了其耐輻射氮化鎵產品系列，新推的200 V產品用于要求嚴格的機載和其他高可靠性環境下的電源轉換解決方案，它具備超低的導通電阻和極小型化等優勢。 EPC公司宣布推出200 V、25 mΩ、80 APulsed的耐輻射GaN FET EPC7007。尺寸小至5.76 mm2，其總劑量等級大于1 Mrad...
EPC晶體管EPC7007 2022-08-15

基于eGaN FET的50 W、12 V/60 V升壓轉換器

50 W、12 V/60 V且基于eGaN FET的同步升壓轉換器采用簡單、低成本的拓撲結構，可實現 95.3%的峰值效率和低溫升。宜普電源轉換公司（EPC）宣布推出雙向降壓或反向升壓轉換器演示板（EPC9162）。該演示板用于同步轉換器時采用100 V的EPC2052器件，以及用于同步自舉FET電路時，采用EPC2038器件。 E...
Digi－KeyGaN宜普電源轉換器 2021-10-22

EPC推出170 V eGaN FET，實現優越同步整流，極具成本效益

宜普電源轉換公司（EPC）宣布推出170 V、6.8 mΩ的EPC2059氮化鎵場效應晶體管(eGaN®FET），與目前用于高性能48 V同步整流的器件相比，EPC為設計工程師提供更小型化、更高效、更可靠且成本更低的器件。宜普電源轉換公司是增強型硅基氮化鎵（eGaN）功率場效應晶體管和集成電路的全球領先...
EPCeGaN 2020-11-13

EPC推出 100 V eGaN FET產品，性能更高成本更低

新一代100 V 氮化鎵場效應晶體管（eGaN FET）是48 VOUT同步整流、D類音頻放大器、汽車信息娛樂及激光雷達系統的理想功率器件。增強型硅基氮化鎵（eGaN）功率場效應晶體管和集成電路的全球領導廠商宜普電源轉換公司（EPC）最新推出的兩款100 V eGaN FET（EPC2218及EPC2204），性能更高并且...
eGaNEPC 2020-09-24

EPC推出低成本高功率密度eGaN FET，用于高頻功率變換

高效的電源轉換公司El Segundo的，CA，USA，這使得增強型氮化鎵上硅（的eGaN）功率場效應晶體管（FET）的電源管理應用程序（EPC），推出了EPC2039高功率密度的eGaN功率晶體管。該EPC2039是一個非常小的1.35毫米x1.35毫米（1.82平方毫米）80VDS，6.8A功率與最大的RDS（on）22MΩ具有5V的施加到柵晶體管...
El Segundo EP03C29高功率密度eGaN功率晶... 2015-08-17

EPC推出eGaN功率IC,具有集成自舉FET

埃爾塞貢多，CA，USA，這使得增強型氮化鎵上硅高效電源轉換公司（EPC）（的eGaN）功率場效應晶體管（FET）電源管理應用，推出了EPC2107（100V）和EPC2108（ 60V）的eGaN單片半橋功率集成電路具有集成自舉場效應管，消除柵極驅動誘導的反向恢復損失以及需要一個高邊鉗位。 EPC說，這是第一次，自舉FET已...
eGaN單片半橋功率集成...EPCEPC2107EPC2108FET功率場效應晶體管 2015-07-17

EPC公司推出5mΩ150V和7MΩ260V FET eGaN功率晶體管

EPC推出了兩個的eGaN場效應晶體管具有最大運行150°C的溫度和最大脈沖漏電流260A為150V EPC2033和140A為200V EPC2034，其中有一個典型的典型導通電阻（RDS（ON））和5mΩ的7MΩ，分別。應用包括DC-DC轉換器，同步整流DC / DC和AC / DC轉換器，電機驅動器，LED照明和工業自動化。該產品進一步擴大“寬松的間...
eGaN功率晶體管EPCEPC2033EPC2034 2015-05-29

EPC推出寬間距eGaN FET系列（40V，60V和100V版）

EPC（的eGaN）功率場效應晶體管（FET），用于功率管理的應用程序，已經推出設計有wider- 3的eGaN FET的間距連接布局。該產品擴大“寬松的間距”設備配備為1mm球距EPC的家人。更寬的間距允許額外的和更大的通孔的設備下的位置，以使高電流承載能力，盡管非常小2.6毫米x4.6毫米足跡。具體而言，新的eGaN功...
EPC寬間距eGaN FET系列 2015-05-25

Efficient Power Conversion Corporation推出新型eGaN功率晶體管

Efficient Power Conversion Corporation （EPC）宣布60 V EPC2035和100伏EPC2036的eGaN功率晶體管設計在價格上競爭，而跑贏硅。這些產品表明，氮化鎵可以取代硅半導體和帶動行業放回摩爾定律的增長曲線。通過今天的發布，有一個非硅技術，同時具有卓越的性能和價格與硅的第一次60年相比。價格，最后障...
Efficient Power Conv...eGaN功率晶體管 2015-05-04

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