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三菱電機開始提供集成SBD的SiC－MOSFET模塊樣品

三菱電機宣布將于5月31日開始提供一款新型集成SBD*1的SiC*2-MOSFET*3模塊樣品，該半橋模塊額定電壓為3.3kV，絕緣耐壓為6.0kVrms。將有助于為鐵路、電力系統及大型工業變流系統提供更大功率密度、更高效率和可靠性。該產品正在PCIM Europe 2023（5月9-11日，德國紐倫堡）上展出。 3.3kV 集成SBD SiC-MO...
三菱電機SiC－MOSFET模塊 2023-05-12

東芝推出新款數字隔離器，助力工業應用實現穩定的高速隔離數據傳輸

—高共模瞬態抑制（CMTI）和高速數據速率—東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）宣布推出新款高速四通道數字隔離器“DCL54xx01”系列，該系列具有100kV/μs（最小值）的高共模瞬態抑制（CMTI）和150Mbps的高速數據速率。該系列六款產品于今日開始支持批量出貨。想要確保工廠自動化設備的安全...
東芝數字隔離器隔離數據傳輸 2023-05-09

同時實現業內出色低噪聲特性和超快反向恢復時間的600V耐壓Super Junction MOSFET“R60xxRNx系列”

有助于配備小型電機的設備減少抗噪聲設計工時和部件數量，并降低功率損耗全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）在其600V耐壓Super Junction MOSFET*1 “PrestoMOS™”產品陣容中，又新增“R60xxRNx系列”3款新產品，非常適用于冰箱和換氣扇等對低噪聲特性要求很高的小型電機驅動。近...
小型電機驅動R60xxRNx系列 2023-03-30

Transphorm和偉詮電子合作發布集成式GaN SiP

該系統級封裝(SiP)氮化鎵功率管可以為USB-C PD適配器和其它低功耗應用提供結構緊湊、具成本效益、快速面市的解決方案。Transphorm將在APEC2023會議上展出該產品(展位#853)。加州戈利塔和臺灣新竹—March 1, 2023 -- 高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)功率轉換產品的先鋒企業和全球供貨商Transphorm, Inc...
Transphorm偉詮電子集成式GaN SiP 2023-03-21

Vishay推出采用先進Power DFN系列DFN3820A封裝的額定電流高達4 A的標準穩壓器

汽車級200 V、400 V和 600 V器件厚度僅為0.88 mm，采用可潤濕側翼封裝，改善熱性能并提高效率日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出三款新系列汽車級表面貼裝標準整流器---2 A SE20Nx、3 A SE30Nx和4 A SE40Nx，皆為業內先進的薄型可潤濕側翼DFN3820A封裝器件。SE2...
VishayDFN3820A封裝穩壓器 2023-03-03

Nordic推出全新PMIC，提供CSP封裝選項

Nordic Semiconductor今天發布了三款新的PMIC，提供了新的芯片級封裝（CSP）選項，并支持更高的電池終端電壓。電源管理IC（PMIC）是當今復雜的消費電子系統設計的關鍵部分。成本和規模仍然是PMIC工程師的驅動因素。為了滿足這些需求，今天Nordic宣布增加三個新版本的nPM1100 PMIC系列。 nPM1100是一...
NordicPMIC 2023-02-16

三星推出200MP圖像傳感器為旗艦智能手機提供超高分辨率影像體驗

三星最新ISOCELL HP2傳感器提高滿井容量，充分釋放其像素性能即使在光線昏暗的情況下，三星先進的像素技術也能提供生動的細節和絲滑流暢的攝影體驗今日，三星電子推出了其最新的2億像素（200MP）圖像傳感器ISOCELL HP2，其先進的像素技術和滿井容量將為未來的高端智能手機設備提供令人驚嘆的影像體驗。...
三星圖像傳感器ISOCELL－HP2 2023-01-17

三星發布高性能PC固態硬盤將計算和游戲體驗推向新高度

基于先進的5納米工藝控制器和第七代 V-NAND 技術PM9C1a將個人計算機日常工作效率提升至新高度同時，可處理高要求的計算和游戲任務今日，三星宣布高性能PCIe 4.0 NVMe SSD（固態硬盤）-- PM9C1a的生產工作準備就緒。PM9C1a是基于三星5納米（nm）高端工藝和第七代V-NAND技術的全新內存產品，將...
三星固態硬盤PM9C1aSSD 2023-01-12

瑞薩電子推出首款支持新Matter協議的Wi－Fi開發套件

作為物聯網技術的卓越開發商，瑞薩將在未來所有Wi-Fi、BLE和Thread產品中支持Matter協議全球半導體解決方案供應商瑞薩電子（TSE：6723）今日宣布，推出首款支持新Matter協議的開發套件，同時宣布將在未來所有Wi-Fi、低功耗藍牙®（BLE），和IEEE 802.15.4（Thread）方案中，以及最近收購的Dialog Se...
瑞薩電子Matter協議Wi－Fi開發套件 2023-01-05

三星電子首款12納米級DDR5 DRAM開發成功

- 三星電子新款DRAM將于2023年開始量產，以優異的性能和更高的能效，推動下一代計算、數據中心和AI應用的發展三星電子宣布，已成功開發出其首款采用12納米（nm）級工藝技術打造的16 Gb DDR5 DRAM，并與AMD一起完成了兼容性方面的產品評估。三星電子首款12納米級DDR5 DRAM 三星電子高級副...
三星電子DDR5 DRAM 2022-12-21

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