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↓在新品中搜索到 335 條關于“GaN”的信息，用時:0.002 sec.

意法半導體ST－ONE系列USD PD控制器功率提高到140W

意法半導體推出了率先業界通過USB-IF的USB Power Delivery Extended Power Range (USB PD 3.1 EPR)規范認證的集成化數字控制器芯片ST-ONEHP。作為 ST-ONE 系列中的第三款控制器，ST-ONEHP的輸出電壓為28V，可簡化最高額定功率 140W的充電器和電源適配器的開發設計。該轉換器采用ST-ONE 架構，是一種...
意法半導體ST－ONE系列USD PD控制器 2023-04-12

Nexperia推出能源采集PMIC，以加速開發環境友好型能源自主式低功耗器件

電容式DC-DC轉換器有助于節省高達90%的BOM成本基礎半導體器件領域的專家Nexperia今日宣布推出能量采集解決方案，進一步豐富其電源管理IC系列。該方案可簡化低功耗物聯網(IoT)及其嵌入式應用，并增強應用性能。NEH2000BY是高性能電源管理集成電路(PMIC)，可從環境中收集能源（例如借助光伏電池采集光能）...
Nexperia能源采集PMICNEH2000BY 2023-04-07

EPC新推ePower IC，可在不同功率預算提高功率密度和簡化設計

宜普電源轉換公司(EPC) 擴展了其封裝兼容的ePower™ IC系列，提高功率密度和簡化設計以滿足DC/DC應用、電機驅動器和D類音頻放大器的不同功率要求。繼早前推出的100 V、35 A功率級IC（EPC23102）之后，EPC公司新推兩款新型100V功率級IC，其額定電流分別為15A(EPC23104)和25A(EPC23103)。這三款集成...
EPCePower IC功率密度 2023-03-24

Nexperia推出首款采用SMD銅夾片LFPAK88封裝的熱插拔專用MOSFET(ASFET)，管腳尺寸縮小60%

RDS(on)額外降低40%，功率密度提高58倍，適合電信和熱插拔計算應用基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia今日宣布推出首批80 V和100 V熱插拔專用MOSFET(ASFET)，該系列產品采用緊湊型8x8 mm LFPAK88封裝，且具有增強安全工作區(SOA)的特性。這些新型ASFET針對要求嚴格的熱插拔和軟啟動應用進行了...
NexperiaLFPAK88MOSFET 2023-03-22

Power Integrations推出900V氮化鎵反激式開關IC

新款PowiGaN InnoSwitch IC面向工業應用和400V系統汽車電源，輸出功率可高達100W深耕于高壓集成電路高能效功率變換領域的知名公司Power Integrations（納斯達克股票代號：POWI）今日宣布推出900V氮化鎵(GaN)器件，為InnoSwitch3™系列反激式開關IC再添新品。新IC采用該公司特有的PowiGaN™技...
Power Integrations900V氮化鎵反激式開關... 2023-03-21

Nexperia推出適用于24 V電源系統的車載網絡ESD保護產品組合

各種封裝、電容等級和36 V VRWM為商用車輛應用提供了設計靈活性基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia今天推出符合AEC-Q101標準的產品組合，其中包含六個ESD保護器件(PESD2CANFD36XX-Q)，旨在保護LIN、CAN、CAN-FD、FlexRay和SENT等車載網絡(IVN)中的總線免受靜電放電(ESD)和其他瞬變造成的損壞。...
Nexperia24 V電源系統ESD保護器件PESD2CANFD36XX－Q 2023-03-06

意法半導體ST－ONEMP數字控制器簡化高能效雙端口USB－PD適配器設計

意法半導體的高集成度、高能效ST-ONE系列USB供電(USB-PD)數字控制器新增一個支持雙充電口的ST-ONEMP芯片。 ST-ONEMP數字控制器基于市場首個ST-ONE架構，在一個封裝內集成Arm® Cortex®-M0+ 微控制器、高能效非互補有源鉗位反激式控制器和USB-PD 3.1接口。ST-ONE 架構的初級側和次級側電路之間...
意法半導體ST－ONEMP芯片 2023-02-08

Nexperia宣布面向高速數據線的TrEOS系列ESD保護器件再添兩款新產品

PESD4V0Y1BBSF和PESD4V0X2UM兼具高浪涌耐受性、非常低的觸發電壓和極低的鉗位電壓，為敏感系統的保護提供了一種高效的解決方案基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia宣布Nexperia TrEOS產品組合再添新產品，即PESD4V0Y1BBSF和PESD4V0X2UM極低鉗位電壓ESD保護二極管。這些器件兼具高浪涌耐受性、非...
NexperiaTrEOS系列ESD保護器 2022-12-19

村田將量產可應對高功率和高頻率的下一代功率半導體的絕緣DC－DC

株式會社村田制作所（以下簡稱“本公司”）已將面向下一代功率半導體之一的GaN(1)器件門驅動器的絕緣DC-DC轉換器“MGN1系列”（以下簡稱“本產品”）商品化。現已開始量產。 (1)GaN：由鎵和氮的化合物制成的化合物半導體。被認為是下一代功率半導體之一，因為它與目前用于半導體的硅同樣耐電壓，并且...
村田DC－DC控制器功率半導體功率轉換器 2022-12-15

AOS推出低導通電阻的30V MOSFET

日前，集設計研發、生產和全球銷售一體的著名功率半導體及芯片供應商（AOS, 納斯達克代碼:AOSL) 宣布推出一款低導通電阻的30V MOSFET——AONS30300，它具有較高的安全工作區（SOA），非常適合熱插拔和eFuse等高要求應用。寬范圍安全工作區(SOA)對于MOSFET在服務器熱插拔應用是必不可少的...
AOS30V MOSFETAONS30300 2022-12-06

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