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↓在新品中搜索到 14 條關于“coolgan”的信息，用時:0.002 sec.

英飛凌推出用于超高功率密度設計的全新E型XDP 混合反激控制器IC

繼推出業界首款PFC和混合反激（HFB）組合IC后，全球功率系統和物聯網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）又推出E型混合反激控制器系列。專為高性能應用設計的全新XDP™混合反激數字控制器系列，采用先進的不對稱半橋（AHB）拓撲結構，將反激轉換器的簡易性和...
英飛凌E型XDP混合反激控制器... 2025-03-27

英飛凌推出采用Q－DPAK和TOLL封裝的全新工業CoolSiC MOSFET 650 V G2，實現更高的功率密度

電子行業正在向更加緊湊而強大的系統快速轉型。為了支持這一趨勢并進一步推動系統層面的創新，全球功率系統、汽車和物聯網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）正在擴展其CoolSiC™ MOSFET 650 V單管產品組合，推出了采用Q-DPAK和TOLL封裝的兩個全新產品系列...
英飛凌CoolSiC MOSFET 650 V... 2025-02-20

英飛凌全新一代氮化鎵產品重磅發布，電壓覆蓋700V！

作為第三代半導體材料的代表者，氮化鎵(GaN)憑借其優異的電氣性能、高熱導率、電子飽和率和耐輻射性等特性，引領了全球功率半導體產業革新，隨著氮化鎵技術的不斷成熟和應用領域的不斷拓展，其市場規模正呈現出爆發式增長態勢。英飛凌長期深耕氮化鎵領域，再次推動了氮化鎵革命，率先成功開發出了全球首...
英飛凌氮化鎵晶圓 2024-12-09

英飛凌推出CoolSiC MOSFET 400 V，重新定義AI服務器電源的功率密度和效率

隨著人工智能（AI）處理器對功率的要求日益提高，服務器電源（PSU）必須在不超出服務器機架規定尺寸的情況下提供更高的功率，這主要是因為高級GPU的能源需求激增。到本十年末，每顆高級GPU芯片的能耗可能達到2千瓦或以上。這些需求以及更高要求的應用和相關特定客戶需求的出現，促使英飛凌科技股份公司...
英飛凌CoolSiC MOSFET 400 VAI服務器電源 2024-06-25

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