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↓在新品中搜索到 335 條關于“GaN”的信息，用時:0.002 sec.

意法半導體發布50W GaN功率變換器，面向高能效消費及工業級電源設計

意法半導體 VIPerGaN50能夠簡化最高50 W的單開關反激式功率變換器設計，并集成一個 650V 氮化鎵 (GaN) 功率晶體管，使電源的能效和小型化達到更高水平。 VIPerGaN50 采用單開關拓撲，集成很多功能，包括內置電流采樣和保護電路，采用低成本的 5mm x 6mm 緊湊封裝。芯片內部集成的GaN 晶體管可應用...
意法半導體GaN功率變換器VIPerGaN50 2022-04-08

ROHM確立柵極耐壓高達8V的150V GaN HEMT的量產體制

全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）已確立150V耐壓GaN HEMT*1“GNE10xxTB系列（GNE1040TB）”的量產體制，該系列產品的柵極耐壓（柵極-源極間額定電壓）*2高達8V，非常適用于基站、數據中心等工業設備和各種物聯網通信設備的電源電路。一般而言，GaN器件具有優異的低導通電阻和高速開...
GaN HEMTrohm柵極 2022-03-24

EPC與ADI攜手推出基于GaN FET的最高功率密度DC/DC轉換器

EPC公司和ADI公司推出參考設計，采用全面優化的新型模擬控制器來驅動EPC的氮化鎵場效應晶體管(GaN FET)。新型模擬LTC7890同步氮化鎵降壓控制器與EPC的超高效eGaN®FET相結合，可實現高達2 MHz的開關頻率，從而實現高功率密度和低成本的DC/DC轉換。宜普電源轉換公司（EPC）宣布推出EPC...
ADIDC DC轉換器EPCGaN FET 2022-03-16

EPC與MPS合作開發基于新型GaN FET的更高效、更小、更快的雙向轉換器

EPC9165 是一款兩相、穩壓輸出電壓、48 V/14 V雙向轉換器，可實現2 kW 的功率和 96.8% 的峰值效率宜普電源轉換公司（EPC）宣布推出EPC9165，這是一款2 kW、兩相48 V/14 V雙向轉換器，在小尺寸內實現97%的峰值效率，非常適合具有高密度和高功率的48 V電池組，例如電動和輕型運輸所需的電池組。 ...
EPCMPSGaN FET雙向轉換器 2022-02-21

Microchip持續擴大氮化鎵（GaN）射頻功率器件產品組合

Microchip Technology Inc.（美國微芯科技公司）今日宣布大幅擴展其氮化鎵（GaN）射頻（RF）功率器件產品組合，推出頻率最高可達20千兆赫（GHz）的新款單片微波集成電路（MMIC）和分立晶體管。這些器件同時具備高功率附加效率（PAE）和高線性度，為5G、電子戰、衛星通信、商業和國防雷達系統及測試設備...
GaNmicrochip射頻功率器件氮化鎵 2021-12-02

ST單片 GaN 柵極驅動器加速工業和家庭自動化并提高靈活性

意法半導體的 STDRIVEG600半橋柵極驅動器輸出電流大，高低邊輸出信號傳播延遲相同，都是45ns，能夠驅動 GaN 增強型 FET 高頻開關。 STDRIVEG600 的驅動電源電壓高達 20V，還適用于驅動 N 溝道硅基 MOSFET管，在驅動 GaN 器件時，可以靈活地施加 6V 柵極-源極電壓 (VGS)，確保導通電阻 Rds(on)保持在...
stGaN柵極驅動器工業自動化家庭自動化STDRIVEG600 2021-09-10

意法半導體高能效功率變換應用，推出新的 45W和150W GaN 產品

為了更方便的轉型到高能效的寬禁帶半導體技術，意法半導體發布了MasterGaN3*和 MasterGaN5兩款集成功率系統封裝，分別面向高達 45W 和 150W的功率變換應用。連同面向 65W 至 400W 應用的MasterGaN1、MasterGaN2 和MasterGaN4，這兩款新產品為設計開關式電源、充電器、適配器、高壓功率因數校正 (PF...
意法半導體GaNMasterGaN3MasterGaN5 2021-08-30

意法半導體發布高性能車規級GaN產品系列

· 新系列產品整合功率氮化鎵(GaN)晶體管和智能電路，賦能尺寸更小、集成度更高的汽車系統解決方案，擁抱電動汽車時代的到來 · STi2GaN車規解決方案包括車載充電器、自動駕駛激光雷達、雙向直流-直流(DC-DC)變換器、D類放大器和電源變換系統服務多重電子應用領域的全球半導體領導者意...
意法半導體GaNSTi2GaN 2021-05-14

ROHM開發出針對150V GaN HEMT的8V柵極耐壓技術

解決了GaN器件的柵極耐壓問題，并有助于基站和數據中心等領域的電源實現更低功耗和小型化全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）面向以工業設備和通信設備為首的各種電源電路，開發出針對150V耐壓GaN HEMT*1（以下稱“GaN器件”）的、高達8V的柵極耐壓（柵極-源極間額定電壓）*2技術。近年...
GaNHEMTrohm電源電路 2021-04-09

GaN Systems推出兩款具650V GaN半橋評估板

GaN Systems開發了兩款650V半橋評估板（30 A和60 A），用于評估氮化鎵（GaN）驅動器和GaN晶體管在各種應用中的性能。該公司聲稱，這些子板是業界首款可提供具有可調閾值和可編程源電流，帶有過流保護功能，以實現可調節的導通壓擺率。子板具有兩種功率級別：最高3 kW（GS-EVB-HB-66508B-RN）和最高...
GaN Systems 2021-01-14

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