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↓在新品中搜索到 789 條關于“SRAM”的信息，用時:0.003 sec.

瑞薩電子宣布片上SRAM的新進展

瑞薩電子株式會社（TSE：6723），先進半導體解決方案的領先供應商，今天宣布其成功的片上一個新的雙端口靜態隨機存取存儲器（SRAM）的開發IN-車載信息娛樂系統級芯片（SoC的）的16納米（nm）和后人。新的SRAM被優化用作視頻緩沖存儲器中的汽車信息娛樂系統芯片以實現所需的將來自主駕駛車輛技術的實時圖...
IN－車載信息娛樂系統...雙端口靜態隨機存取存...瑞薩 2015-12-11

瑞薩發布采用1MB片上SRAM的MCU SH7262/64

瑞薩發布采用1MB片上SRAM的MCU SH7262/64 瑞薩推出總共八款SH7262和SH7264高性能32位微控制器新產品型號，這些集成了1M字節片上SRAM的器件適用于數字音頻和圖形儀表盤應用。樣品將從2008年8月開始在日本交付。作為SuperH系列32位RISC微控制器/微處理器的組成部分，SH7262和SH7264屬于針對數字音頻應...
SH7262/64微控制器微控制器汽車電子 2008-05-22

瑞薩發布64 Mb先進低功耗SRAM R1WV6416R系列

瑞薩科技開發出了目前市場上最高容量的64 Mb先進低功耗SRAM（先進LPSRAM） R1WV6416R系列，以及小尺寸的32 Mb先進LPSRAM產品R1LV3216R系列。32 Mb產品的樣品將于2008年4月開始在日本交付，64 Mb產品的樣品交付時間為7月份。這兩個新系列將進一步擴展瑞薩科技采用專有存儲單元技術實現更小芯片尺寸和無...
64 MbR1WV6416R系列低功耗SRAM汽車電子 2008-04-14

瑞薩開發出實現32納米工藝片上SOI SRAM的前瞻技術

瑞薩科技（Renesas ）宣布，開發出一種可在32 nm（納米）及以上工藝有效實現SRAM的技術，以用于集成在微處理器或SoC（系統級芯片）中的片上SRAM。新開發的技術采用SOI（絕緣硅）技術，可獨立控制基體電位，也就是構成SRAM的晶體管的三種襯底部分，從而顯著擴展SRAM的運行容限。對采用這一技術的65 nm...
32納米工藝片上SOI SRAM 2007-06-27

瑞薩科技與松下合作開發片上SRAM制造技術

瑞薩科技與松下電器產業有限公司宣布，共同開發出一種可以使45nm工藝傳統CMOS的SRAM（靜態隨機存取存儲器）穩定工作的技術，這種SRAM可以嵌入在SoC（系統級芯片）器件和微處理器（MPU）當中。采用這種技術的512Kb SRAM的實驗芯片的測試已經得到證實，可以在寬泛的溫度條件下（-40度－125度）穩定工作，...
45nm工藝SRAM制造技術 2007-02-27

賽普拉斯推出小型非易失性SRAM系列產品

5月25日訊，賽普拉斯宣布推出首款非易失性SRAM（nvSRAM），該存儲器在斷電情況下，無需電池就能實現內部數據存儲。由于不再需要外部電池，因此Cypress提供的符合RoHS標準的高速器件比其他備選解決方案所采用的封裝尺寸更小。nvSRAM理想適用于要求連續高速數據寫入且確保非易失數據絕對安全的任何應用，...
SRAMs系列小型非易失性 2006-05-31

Epson的業內首款柔性TFT SRAM存儲器

11月10日訊，Seiko Epson 公司("Epson")宣布，它已經開發出業內首款柔性TFT-SRAM (16 kbits)。公司期望TFT-SRAM在未來被用作小而輕的柔性電子器件的關鍵元件。近年來，Epson在開發小型節約能源的電子器件方面享有盛譽。基于它的技術與專業經驗，Epson現在開始注重薄而輕的柔性器件開發。為了...
TFTSRAM存儲器柔性存儲器 2005-11-22

K7R643684M:72Mb QDR II SRAM

10月27日訊,Samsung 電子公司推出業界最高容量的72Mb QDR II SRAM器件K7R643684M,用于高性能網絡系統的下一代存儲設備. Samsung新的72Mb QDR II SRAM器件是當今市場上容量最高的SRAM.器件能同時處理多達4個不同的數據流,容量為目前的36Mb QDR II的兩倍. 72Mb QDR II SRAM器件工作在300MHz,比通常的QD...
存儲器 2004-11-05

superSRAM:沒有軟錯誤的低功耗SRAM

6月17日訊, 瑞薩科技(Renesas Technology)公司推出一種新型的業界第一個實際上沒有軟錯誤的低功耗SRAM,稱作superSRAM. 由于采用新的單元類型和DRAM電容器技術，與瑞薩科技先前的產品相比，軟錯誤率大約減少了4位數，同時大大減小了元件尺寸、降低了功耗。這種新型SRAM將投入商業性生產，并用于移動應用...
存儲器 2004-07-06

AT60142E:空間應用耐輻射4Mb SRAM

3月15日訊,Atmel公司推出新的耐輻射的4Mb SRAM AT60142E,能滿足航空航天應用嚴格的輻射,性能,尺寸和重量的要求. AT60142E采用耐輻射的0.25um CMOS工藝制造,功耗非常低,結構為512Kx8位. AT60142E耐輻射的閂鎖(Latch up)閾值和總劑量分別大于70MeV和300K拉德(rad),在整個軍用溫度內存取時間20ns .AT6014...
存儲器 2004-05-04

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