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富士通推出面向便攜設備的DC-DC轉換器MB39C326

富士通半導體（上海）有限公司今日宣布推出面向便攜設備的DC-DC轉換器MB39C326，可通過自動切換降壓/升壓工作模式來擴大工作電壓范圍。MB39C326通過內置開關FET和采用2.15mm×1.94mm的小型封裝構成貼裝面積小、物料清單成本低的電源系統，且可通過DAC信號動態控制輸出電壓，支持APT、ET功能。目前，MB39...
DC－DCMB39C326富士通 2012-07-23

TI為智能手機及平板電腦推出超小型升壓電源模塊

日前，德州儀器 (TI) 宣布面向智能手機、平板電腦以及其它便攜式電子設備推出業界最小型的集成升壓 DC/DC 電源模塊。最新高效率 TPS81256 MicroSiP™ 轉換器集成電感器與輸入/輸出電容器，支持面積不足 9 平方毫米、高度不足 1 毫米的解決方案尺寸，與同類競爭解決方案相比，可簡化設計，節省達 5...
TITPS81256 MicroSiP平板電腦智能手機 2012-07-18

TI推出三款模擬輸入D類立體聲放大器

日前，德州儀器 (TI) 宣布推出三款模擬輸入 D 類立體聲放大器，以充分滿足條形音箱、后市汽車解決方案、便攜式音箱 (audio docks) 以及液晶電視的使用需求。該 TPA3116D2、TPA3118D2 以及 TPA3130D2 具有業界最高的可編程開關速率與最寬泛的供電，可實現高質量、高效率的音頻輸出。這些器件引腳對引腳及...
TITPA3116D2TPA3118D2TPA3130D2放大器 2012-07-02

Maxim推出數款用于下一代基站設備的HetNet方案

Maxim Integrated Products (NASDAQ: MXIM)推出數款用于下一代基站設備的HetNet方案。這些方案包括單芯片多頻段無線收發器、寬帶增益模塊、直接RF合成DAC以及智能數字負載點控制器。蜂窩無線接入網絡(RAN)正逐步向異構網絡演進，而后者則需要一系列不同的模擬和混合信號基站方案，用于無線主信號通...
HetNet方案Maxim 2012-06-27

NXP推出2 mm x 2 mm、采用可焊性鍍錫側焊盤的MOSFET

恩智浦半導體（納斯達克代碼：NXPI）今日推出業內首款2 mm x 2 mm、采用可焊性鍍錫側焊盤的超薄DFN （分立式扁平無引腳）封裝MOSFET。這些獨特的側焊盤提供光學焊接檢測的優勢，與傳統無引腳封裝相比，焊接連接質量更好。即將面世的新型 PMPB11EN和 PMPB20EN 30V N溝道MOSFET是采用恩智浦 DFN2020...
MOSFETNXP可焊性鍍錫側焊盤 2012-06-20

德州儀器電源轉換器為智能電表及傳感器設計節能

日前，德州儀器 (TI) 宣布推出一款支持 90% 高效率與低噪聲性能的 200 mA、60 V SWIFT 高密度同步降壓穩壓器，為智能電網與傳感器控制應用簡化電源設計。該 TPS54061 解決方案面積僅為 125 平方毫米，集成高側及低側功率 MOSFET，可提高效率，充分滿足工業自動化、4 mA 至 20 mA 傳感器控制應用以及智能...
SWIFTTI電源轉換器 2012-06-06

羅姆開發出車載用內置絕緣元件的柵極驅動器

日本知名半導體制造商羅姆株式會社（總部位于日本京都市）開發出內置絕緣元件的柵極驅動器“BM6103FV-C”，最適合作為電動汽車（EV）和混合動力車（HEV）逆變回路中IGBT以及功率MOSFET的驅動元件。本產品融合了羅姆獨創的BiCDMOS技術與新開發的片...
BM6103FV－C柵極驅動器羅姆 2012-05-22

科銳推出全新產品系列 — 50A碳化硅功率器件

碳化硅功率器件的市場領先者科銳公司（Nasdaq: CREE）將重新界定大功率應用的性能和能效，推出全新產品系列 — 50A碳化硅功率器件。該產品系列不僅包括業界首款1700V Z-FET™碳化硅 MOSFET器件，還包括1200V Z-FET™碳化硅MOSFET器件和三款Z-Rec®碳化硅肖特基二極管，能夠提供創紀錄的能...
50A碳化硅功率器件科銳 2012-05-09

ADI推出針對高效率AC-DC和隔離式DC-DC電源系統的數字電源控制器ADP1046

Analog Devices, Inc. (NASDAQ: ADI)，全球領先的高性能信號處理解決方案供應商，最近推出針對高效率AC-DC和隔離式DC-DC電源系統的數字電源控制器ADP1046。ADP1046是一款靈活的控制器，具有7個PWM（脈沖寬度調制）邏輯輸出，可以通過I2C接口和簡單易用的圖形用戶界面(GUI)輕松編程。該器件可用于控制和...
ADIADP1046數字電源控制器 2012-04-27

TI推出面向高密度開關電源設計的緊湊型高速單通道柵極驅動器

日前，德州儀器 (TI) 宣布推出首批具有業界領先速度及驅動電流性能的 4 A/8 A 與 4 A/4 A 單通道低側柵極驅動器，其可最大限度減少 MOSFET、IGBT 電源器件以及諸如氮化鎵 (GaN) 器件等寬帶隙半導體的開關損耗。該 UCC27511 與 UCC27517 驅動器是 TI 最新 UCC2751x 系列的新成員，可有效取代使用雙極...
TI柵極驅動器 2012-04-23

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