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↓在新品中搜索到 375 條關于“SSD”的信息，用時:0.003 sec.

英特爾推出固態硬盤產品710系列

英特爾公司宣布推出最新固態硬盤（SSD）產品——英特爾® 固態硬盤710系列。這是一款面向數據中心的專用多層單元（Multi-Level Cell，MLC）固態硬盤，它將取代英特爾® X25-E Extreme固態硬盤。英特爾® X25-E固態硬盤基于更昂貴但高度可靠的單層單元（Single-Level Cell，SLC）NAND 閃存技術...
710系列固態硬盤英特爾 2011-09-15

LSI單片12Gb/s SAS ROC控制器突破百萬 IOPS 性能壁壘

LSI 公司（NYSE：LSI）日前宣布于本周在舊金山舉辦的英特爾開發者論壇 (IDF) 上演示其新一代 12Gb/s SAS 片上 RAID (ROC) 技術。此次展示的是一種單片 8 端口 12Gb/s SAS ROC 芯片，將該芯片連接到 8 塊6Gb/s Seagate® SAS 2.5 英寸硬盤驅動器，在 PCI Express® 2.0 直連存儲配置下，運行小數據...
lsi單片 2011-09-15

源科推出的2U加固型固態陣列采用機架式結構

源科推出的2U加固型固態陣列采用機架式結構，可根據客戶的應用進行定制。加固型固態陣列帶來了革命性的改變，與傳統的磁盤陣列相比，該產品具有高速的數據存取速率，只用1/3 的物理存儲空間組成的RAID 的性能就能相當于整個磁盤陣列的讀寫性能；功耗不到磁盤陣列的一半；環境適應能力更強，工作環境從穩...
2U加固型固態陣列采用...源科 2011-08-17

LSI向OEM客戶提供12Gb/s SAS IC 樣片

LSI公司（NYSE：LSI）日前宣布向服務器和外部存儲 OEM 廠商提供業界首批 12Gb/s SAS 片上 RAID (ROC)、控制器及擴展器 IC 樣片，從而充分凸顯了 LSI® 在 SAS 市場領域強大的領導地位。通過為客戶提供 12Gb/s SAS 芯片的早期樣片，LSI 不僅奠定了這項關鍵技術里程碑，同時也為參加預定于 2012 年中期...
12Gb／sSAS IC 樣片lsiOEM 2011-07-28

磐龍系列XMC固態存儲卡為數據安全保駕護航

源科推出的磐龍系列第一代XMC 固態存儲卡（RCV-I-MU3XX-XXX 系列Solid State Storage Card），按照VITA42 標準設計，采用風冷散熱的單卡形式，支持SLC 和MLC 兩種類型的Flash存儲介質，容量范圍分別達到32GB~128GB（SLC）和32GB~512GB（MLC）。與機械盤相比，RCV-I-MU3XX-XXX系列XMC固態存儲卡不采用任...
XMC固態存儲卡磐龍系列 2011-07-18

新漢NROK500 創新堅固型無風扇工業計算機“登陸”列控系統

新漢的NROK500系列是專門為鐵路應用而設計,一款尺寸非常緊湊和小型的無風扇工業計算機，它有24V直流輸入隔離保護，并可滿足大多數運輸標準。用于運輸自動化行業，NROK 500集成M12以太網連接器，專為工業應用中使用的各種環境設計，因此高集成功能確保了特殊環境的穩定運行，如強沖擊和振動...
NROK500新漢 2011-07-12

源科高新推出颶風系列第一代PMC固態存儲卡

源科高新技術有限公司（RunCore）推出颶風系列第一代 PMC（Portable Media Center）固態存儲卡（RCH-I-PU3 系列Solid State Storage Card），與機械盤相比，RCH-I-PU3 系列 PMC 固態存儲卡不采用任何機械活動部件，具有性能優越、可靠性高和功耗低等優點，能夠適應各種靈活的應用環境，在航空航天、國...
源科高新颶風系列PMC固態存儲卡 2011-06-17

三星電子在全球率先量產“超高速NAND ”

日前，記者從三星電子得知，從本月起三星電子將在全球率先量產采用“Toggle DDR 2.0”標準的20納米級(1納米: 十億分之一米)超高速MLC NAND Flash，今后NAND Flash全線產品將采用“Toggle DDR 2.0”。記者了解到，這是三星電子繼2009年全球率先量產利用133Mbp傳輸速度啟動的 30納米級32Gb Toggle DDR ...
三星電子超高速NAND 2011-05-12

IDT推出DDR3內存模塊溫度傳感器

擁有模擬和數字領域的優勢技術、提供領先的混合信號半導體解決方案的供應商 IDT® 公司(Integrated Device Technology, Inc.; NASDAQ: IDTI) 推出針對 DDR2 和 DDR3 內存模塊、固態硬盤 (SSD) 和電腦主板的低功耗、高精度溫度傳感器產品系列。這些新器件進一步補充了 IDT 的 PCI Express®、信號...
DDR3IDT內存模塊溫度傳感器 2011-05-11

英特爾攜手美光推出20納米制程技術

英特爾公司和美光科技公司今天針對NAND閃存的制造環節推出了一項更為精密的全新20納米（nm）制程技術。該技術將用于生產8GB容量的多層單元（MLC）NAND閃存設備，這種設備可為在智能手機、平板電腦和固態硬盤（SSD）等計算解決方案中保存音樂、視頻、書籍和其它數據提供兼具大容量和小尺寸特點的存儲產品...
20納米制程技術美光英特爾 2011-04-15

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