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Nexperia在APEC 2024上發布拓寬分立式FET解決方案系列

專業研發提供節省空間的PoE ASFET和EMC優化型NextPowerS3 MOSFET。 2024年2月29日：Nexperia再次在APEC上展示產品創新，今天宣布發布幾款新型MOSFET，以進一步拓寬其分立開關解決方案的范圍，可用于多個終端市場的各種應用。此次發布的產品包括用于PoE、eFuse和繼電器替代產品的100 V 應用專用MOSFET (...
NexperiaAPEC 2024NextPowerS3 MOSFET 2024-02-29

基于eGaN FET的50 W、12 V/60 V升壓轉換器

50 W、12 V/60 V且基于eGaN FET的同步升壓轉換器采用簡單、低成本的拓撲結構，可實現 95.3%的峰值效率和低溫升。宜普電源轉換公司（EPC）宣布推出雙向降壓或反向升壓轉換器演示板（EPC9162）。該演示板用于同步轉換器時采用100 V的EPC2052器件，以及用于同步自舉FET電路時，采用EPC2038器件。 E...
Digi－KeyGaN宜普電源轉換器 2021-10-22

UnitedSiC宣布推出六款新型D2PAK－7L碳化硅FET

新產品能夠為表面貼裝型功率系統設計提供性能、可靠性和尺寸等優勢全球領先的碳化硅（SiC）功率半導體制造商美商聯合碳化硅股份有限公司（UnitedSiC）宣布繼續擴展FET產品組合，并推出六款全新的650V和1200V產品，所有這些器件均采用行業標準D2PAK-7L表面貼裝封裝。這些最新的SiC FET可提供30、4...
UnitedSiC器件 2021-05-20

安華高推出小尺寸場效應晶體管(FET)產品VMMK-12xx

Avago推出業內封裝尺寸最小的場效應晶體管(FET, Field Effect Transistor)產品，尺寸大小僅1.0 x 0.5 x 0.25 mm，這些超小型低厚度分立式低噪器件占用空間只有標準SOT-343封裝的5%以下，新推出的VMMK-1218和-1225通過采用Avago創新的芯片級封裝技術，帶來具備高頻工作能力和卓越散熱效果的小型化晶體管...
FETVMMK-12xx場效應晶體管 2008-04-14

飛兆半導體的FET模塊可節省50%的電路板空間

飛兆半導體公司推出兩款高集成度模塊產品FDMS9600S和FDMS9620S，能夠顯著減少電路板空間，同時可在同步降壓設計中達到較高的轉換效率。FDMS96xx系列中每個模塊均在節省空間的單一5mm x 6mm MLP封裝中，集成了一個高邊和低邊N溝道MOSFET和一個單片集成肖特基二極管，成功為空間嚴格受限的應用提供高功效...
FDMS9600SFDMS9620SFET模塊 2007-09-29

Intersil推出高功效同步降壓集成式FET穩壓器ISL8009

Intersil 公司推出 ISL8009 - 高功效、1.5A 同步降壓集成式 FET 穩壓器，是數據通信/電信、電池供電系統、醫療器械和多種工業應用的負載點調節的理想之選。 ISL8009設計用于利用特殊的多操作功能，從而可以在強制性PWM模式和自動PWM/PFM模式之間進行選擇。這種在2種模式之間切換的能力使得穩壓器在滿負...
ISL8009同步降壓集成式FET穩壓... 2007-09-24

飛兆推出DrMOS FET加驅動器多芯片模塊FDMF6700

飛兆半導體公司推出全面優化的集成式FET加驅動器功率級解決方案FDMF6700，采用超緊湊型6mm x 6mm MLP封裝。對于空間極度受約束的應用，比如小外形尺寸的臺式電腦、媒體中心PC、超密集服務器、刀片服務器、先進的游戲系統、圖形卡、網絡和電信設備，以及其它電路板空間有限的DC-DC應用，FDMF6700為設計人...
DrMOS FET多芯片模塊 2007-07-18

TI推出高性能 ORing-FET控制器TPS241x

TI推出具備高級功能的 ORing 電源控制器系列--TPS241x。這些高性能器件能夠提高多種設備的功率分配能力，如 12 V 刀片服務器、N+1 電信系統與冗余低壓處理器電源。這種集成電路不僅為 ORing 二極管提供了高效的替代產品，而且還能智能監控電源，以防止在工作期間因總線瞬態事件而出現電壓峰值導致主板損...
Ring-FET控制器TPS241x 2007-03-02

飛思卡爾推出高功率多級射頻功率LDMOS FET

飛思卡爾半導體公司日前為適用于時分同步碼分多址(TD-SCDMA)無線基站推出高功率多級射頻功率LDMOS FET。 TD-SCDMA標準是第三代無線接入方法，這種標準有望在中國廣泛采用。飛思卡爾是第一家專門針對新興的標準提供商用射頻集成電路(RFIC)的公司。新近優化的飛思卡爾MW6IC2240NB的高輸出水平使OEM能夠把...
MW6IC2240NB多級射頻功率LDMOS FE... 2007-02-28

ATF-511P8:大功率6GHz E-PHEMT FET

12月16日訊，Agilent公司推出業界最高輸出功率，動態范圍和效率(PAE)的增強型假高電子遷移率晶體管(E-pHEMT)場效應晶體管(FET)ATF-511P8，它是無引線的微型塑料芯片承載封裝，用在高達6GHz的無線應用。在2GHz，單電源4.5V工作的ATF-511P8 E-pHEMT FET在1dB增益壓縮時的輸出功率為30dBm，41.7dBm三階輸出...
FET 2002-12-20

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