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↓在新品中搜索到 445 條關于“Nand”的信息，用時:0.002 sec.

WEDC公司近日推出表面貼裝數據存儲器件NAND SSD產品線

WEDC公司近日推出表面貼裝數據存儲器件，設計專門應用于國防和航空中苛刻和嵌入式要求的環境中。該產品提供1、2和4 GB 容量密度，采用22mm x 27mm塑料球柵陣列（PBGA）封裝，支持各種PATA接口協議。該產品為嵌入式計算提供高度可靠的高密度數據存儲，應用于飛機、通信和導彈。 SSD結構采用32位RISC處理...
NAND SSD產品線WEDC公司數據存儲器件表面貼裝 2009-06-16

TDK 推出兼容串行ATA II的Driver RS2系列NAND閃存控制器

TDK公司日前宣布開發出兼容串行ATA (SATA) II的NAND閃存控制器芯片GBDriver RS2 系列，并計劃于五月份開始銷售。 TDK新型GBDriver RS2是一款高速SATA控制器芯片，支持有效速率達95MB/S的高速訪問。該產品支持2KB/頁和4KB/頁結構的SLC(單層單元)內存以及MLC(多層單元)NAND閃存，可用于制造容量為128MB...
Driver RS2系列NAND閃存控制器TDK串行ATA II 2009-04-24

美光發布行業密度最高的塊抽象化NAND閃存產品系列

美光公布其高密度系列的塊抽象化(BA) NAND閃存，可用于個人媒體播放機和其他應用中。BA NAND是個單封裝解決方案，使用美光業內領先的34納米工藝技術 - 將MLC NAND與一個內存控制器相結合，無需對控制器/系統進行費力的重設計即可采用后續世代的NAND。當前，多數NAND閃存的主控制器的任務是管理關鍵的...
NAND閃存產品系列塊抽象美光 2009-03-16

TOSHIBA 3位/單元32nm和4位/單元43nm NAND閃存技術突破性進展

近日，Toshiba公司宣布在NAND閃存的“多位/單元”技術領域取得突破性進展，將使下一代器件的芯片密度更高，成本更低。在32納米技術時代，Toshiba已經以業界最小晶片尺寸實現了3位/單元的32 Gb芯片，體積小于目前市場常見的采用43nm技術的2位/單元16Gb芯片。這款前沿的芯片將于2009下半年開始量產。該公...
3位/單元32nm4位/單元43nmNAND閃存技術toshiba 2009-02-16

SANDISK開發出先進的32納米NAND閃存技術

SanDisk和東芝宣布，兩公司使用32納米（nm）處理技術生產出32GB 3 bits/單元（3-bits-per-cell） (X3)存儲芯片，共同開發出多層式芯片(MLC) NAND 快閃存儲器。該項突破預期將很快為從存儲卡到固態硬盤（SSD）等市場帶來能夠提高產品容量、降低制造成本的先進技術。 32納米 X3 技術—micro...
32納米NAND閃存技術SanDisk 2009-02-12

NUMONYX針對無線通信/嵌入式系統等市場推出新系列NAND閃存

恒憶公司（Numonyx）針對無線通信、嵌入式設計和數據存儲市場推出新系列NAND閃存產品。新系列產品包括32Gb（gigabits）的多級單元 (MLC) NAND閃存、32GB（gigabytes）的eMMC存儲芯片和高達8 GB的 microSD產品，全部采用先進的41nm制造工藝。對于手機、便攜導航儀等消費電子產品廠商，這些新產品將是一系...
NAND閃存NUMONYX嵌入式系統無線通信 2008-12-19

美光面向嵌入式應用推出串行NAND閃存

美光科技推出了一項串行NAND閃存技術，使嵌入式應用產品能夠靈活方便地升級存儲容量。美光串行NAND閃存的最低芯片密度為1Gb，這樣一來，客戶就能夠輕松地在串行NOR閃存現有存儲能力之外，以高性價比擴展存儲容量；此外，美光的這款閃存還具有顯著的每數據位成本（cost-per-bit）優勢。隨著嵌入式系統...
串行NAND閃嵌入式應用美光 2008-12-11

Spansion公布基于最小NAND裸片尺寸的NAND閃存計劃

Spansion布了即將推出的MirrorBit? ORNAND2產品系列的生產計劃，該系列產品的寫入速度可提高25%，讀取速度最高可提升一倍，其裸片尺寸也比目前的浮動門NAND閃存顯著減小。Spansion計劃通過MirrorBit ORNAND2系列產品進一步提高產品線的多樣化，以滿足更為廣泛的高附加值無線和嵌入式市場的需求。首批產...
最小NAND裸片尺寸NAND閃存計劃高附加值嵌入式閃存應用 2008-09-25

東芝推出最大容量為32GB的嵌入式NAND閃存模塊

東芝日前宣布推出多款最大容量為32GB的嵌入式NAND閃存模塊，并宣布這些產品完全符合e-MMC和eSD標準。這些嵌入式產品用于移動數碼消費產品，包括手機和數碼相機。樣品將于2008年9月出廠，從第四季度開始量產。該款32GB嵌入式新產品采用東芝先進的43nm制程技術，收納了8枚32Gbit（=4GB）的NAND芯片和一個...
32GBe-MMCESD嵌入式NAND閃存模塊 2008-09-05

TDK推出GBDriver RA8系列NAND閃存控制器LSI

TDK 公司開發出 GBDriver RA8 系列 NAND 閃存控制器 LSI，該產品計劃于九月份開始銷售。 GBDriver RA8 系列是用于 U.DMA6 的高速 NAND 控制器 IC，與 2 K 字節/頁和 4 K 字節/頁的 NAND 閃存兼容。該控制器支持單級單元 (SLC) 和多級單元 (MLC) NAND 閃存，實現了從 128 M 字節到 16 G 字節 (SLC) 和 2...
GBDriver RA8系列lsiNAND閃存控制器 2008-08-12

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