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助力智慧工業，艾邁斯歐司朗推出面向工業激光雷達應用的紅外激光器

· 艾邁斯歐司朗不僅提供領先的汽車激光雷達產品組合，還積極擴展面向工業應用的產品組合； · 新型邊發射脈沖激光器（EEL）SPL TL90AT03適合工業環境下的各種直接飛行時間（dToF）應用； · 該元器件具有較窄的發射寬度以及出色的性能和效率。全球領先的光學解決方案供應商艾邁斯...
艾邁斯歐司朗紅外激光器 2021-11-30

基于eGaN FET的50 W、12 V/60 V升壓轉換器

50 W、12 V/60 V且基于eGaN FET的同步升壓轉換器采用簡單、低成本的拓撲結構，可實現 95.3%的峰值效率和低溫升。宜普電源轉換公司（EPC）宣布推出雙向降壓或反向升壓轉換器演示板（EPC9162）。該演示板用于同步轉換器時采用100 V的EPC2052器件，以及用于同步自舉FET電路時，采用EPC2038器件。 E...
Digi－KeyGaN宜普電源轉換器 2021-10-22

EPC新產品高功率密度電信、網通和計算解決方案理想器件

EPC 推出了 40 V、1.6 mΩ的氮化鎵場效應晶體管（eGaN® FET），器件型號為EPC2069，專為設計人員而設，EPC2069比目前市場上可選的器件更小、更高效、更可靠，適用于高性能且空間受限的應用。宜普電源轉換公司（EPC）是增強型硅基氮化鎵功率晶體管和集成電路的全球領導者。新推的EPC2069（典...
EPC 2021-09-29

EPC推出新款80 V、3.6 mΩ的氮化鎵場效應晶體管

宜普電源轉換公司（EPC）是增強型硅基氮化鎵 (eGaN) 功率晶體管和集成電路的全球領導者。新推的EPC2065 和 EPC2054具備更高的性能和更低的成本等優勢。 EPC2065 是一款 80 V、3.6 mΩ的氮化鎵場效應晶體管（eGaN FET），可提供221 A脈沖電流，其芯片級封裝的尺寸為7.1 mm2。小尺寸和卓越的效率使得...
EPC氮化鎵場效應晶體管 2021-06-22

ROHM開發出SerDes IC“BU18xMxx－C”以及攝像頭用PMIC“BD86852MUF－C”

全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）開發出非常適用于ADAS（高級駕駛輔助系統）的車載攝像頭模塊的SerDes IC※1“BU18xMxx-C”以及攝像頭用PMIC※2“BD86852MUF-C”。這兩款產品不僅可以滿足對于模塊的小型化和低功耗的需求，而且由于其低電磁噪聲（低EMI）的特性，還有助于減少客戶的開發...
rohm 2021-06-01

EPC推出超高功率密度1226 W/in、1kW的48 V/12 VLLC轉換器

宜普電源轉換公司（EPC）宣布推出新型EPC9149演示板。該板為一款可提供1 kW功率的48 V輸入、12 V輸出的LLC轉換器，可作為直流變壓器，轉換比為4：1。EPC9149采用額定電壓為100V的EPC2218氮化鎵場效應晶體管（eGaNFET）和額定電壓為40V的EPC2024。 EPC9149的尺寸是根據DOSA標準的1/8磚型，僅為...
EPCVLLC轉換器EPC2024 2021-05-31

EPC新推由氮化鎵場效應晶體管驅動且可擴展的DC/DC演示板

EPC9137是一款兩相的48 V/12 V雙向轉換器，以小型化解決方案提供1.5 kW功率，效率為97%，適用于輕度混合動力汽車和電池備用裝置。宜普電源轉換公司（EPC）宣布推出EPC9137，這是一款1.5 kW的兩相48 V/12 V雙向轉換器，占板面積小，效率為97%。該演示板的設計是可擴展的–并聯兩個轉換器可實現3 k...
EPC演示板EPC9137 2021-05-14

意法半導體發布高性能車規級GaN產品系列

· 新系列產品整合功率氮化鎵(GaN)晶體管和智能電路，賦能尺寸更小、集成度更高的汽車系統解決方案，擁抱電動汽車時代的到來 · STi2GaN車規解決方案包括車載充電器、自動駕駛激光雷達、雙向直流-直流(DC-DC)變換器、D類放大器和電源變換系統服務多重電子應用領域的全球半導體領導者意...
意法半導體GaNSTi2GaN 2021-05-14

村田推出可在150C下運行的車載電源電路用多層扼流電感器

近年來，隨著ADAS※1等無人駕駛技術的進步，汽車正在逐漸實現電氣化，車載攝像頭、雷達、LiDAR※2、ECU※3等多種電子設備已開始被安裝在汽車中。然而，由于需要在有限的空間內安裝元件，因此對于元件本身必須體積小巧且可應對高溫環境的要求正有所增加。此外，為了使電子設備能夠正確運作，為各功能...
村田扼流電感器 2021-04-09

ROHM開發出針對150V GaN HEMT的8V柵極耐壓技術

解決了GaN器件的柵極耐壓問題，并有助于基站和數據中心等領域的電源實現更低功耗和小型化全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）面向以工業設備和通信設備為首的各種電源電路，開發出針對150V耐壓GaN HEMT*1（以下稱“GaN器件”）的、高達8V的柵極耐壓（柵極-源極間額定電壓）*2技術。近年...
GaNHEMTrohm電源電路 2021-04-09

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