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↓在新品中搜索到 132 條關(guān)于“Nexperia”的信息，用時:0.002 sec.

Nexperia推出全新高性能碳化硅(SiC)二極管系列，繼續(xù)擴充寬禁帶半導體產(chǎn)品

基礎半導體元器件領(lǐng)域的專家Nexperia，今天宣布推出650V、10A SiC肖特基二極管，正式進軍高功率碳化硅(SiC)二極管市場。這對于高效功率氮化鎵(GaN) FET的可靠供應商Nexperia而言是一項戰(zhàn)略性舉措，旨在擴展高壓寬禁帶半導體器件產(chǎn)品范圍。 Nexperia的首款SiC肖特基二極管為工業(yè)級器件，重復反向峰...
NexperiaSiC二極管碳化硅 2021-11-05

Nexperia面向USB4標準接口推出極低鉗位的雙向ESD保護器件

基礎半導體器件領(lǐng)域的專家Nexperia今日宣布推出兩款PESD5V0R1BxSF器件，即具有極低鉗位和電容的雙向靜電放電(ESD)保護二極管。該器件采用NexperiaTrEOS的主動可控硅整流技術(shù)的技術(shù)，可確保筆記本電腦和外圍設備、智能手機及其他便攜式電子設備上的USB4TM（高達2 x 20 Gbps）數(shù)據(jù)線擁有最佳信號完整性。...
NexperiaPESD5V0R1BxSF 2021-10-21

Nexperia表面貼裝器件通過汽車應用的板級可靠性要求

基礎半導體器件領(lǐng)域的專家Nexperia宣布，公司研發(fā)的表面貼裝器件-銅夾片F(xiàn)latPower封裝CFP15B首次通過領(lǐng)先的一級供應商針對汽車應用的板級可靠性(BLR)測試。該封裝將首先應用于發(fā)動機控制單元。 BLR是一種評估半導體封裝堅固性和可靠性的方法。測試遵循極為嚴格的程序，在十分注重安全性和可靠性的...
Nexperia表面貼裝器件CFP15B 2021-09-10

適用于熱插拔的Nexperia新款特定應用MOSFET (ASFET)將SOA增加了166%，并將PCB占用空間減小80%

基礎半導體器件領(lǐng)域的專家Nexperia今日宣布推出新款80 V和100 V ASFET，新器件增強了SOA性能，適用于5G電信系統(tǒng)和48 V服務器環(huán)境中的熱插拔與軟啟動應用以及需要e-fuse和電池保護的工業(yè)設備。 ASFET是一種新型MOSFET，經(jīng)過優(yōu)化，可用于特定應用場景。通過專注于對某一應用至關(guān)重要的特定參數(shù)，有...
MOSFETNexperia 2021-08-04

Nexperia的新型雙極結(jié)晶體管采用DPAK封裝，為汽車和工業(yè)應用提供高可靠性

Nexperia是基礎半導體器件領(lǐng)域的專家，今日宣布推出9款新的功率雙極性晶體管，擴大了具有散熱和電氣優(yōu)勢的DPAK封裝的產(chǎn)品組合，涵蓋2 A - 8 A 和45 V - 100 V應用。新的MJD系列器件與其他DPAK封裝的MJD器件引腳兼容，且在可靠性方面有著顯著優(yōu)勢。新的MJD系列雙極性晶體管滿足AEC-Q101汽車級器件和...
Nexperia 2021-07-29

Nexperia全球最小且最薄的14、16、20和24引腳標準邏輯DHXQFN封裝

基礎半導體器件領(lǐng)域的專家Nexperia今日宣布推出用于標準邏輯器件的全球最小且最薄的14、16、20和24引腳封裝。例如，16引腳DHXQFN封裝比行業(yè)標準DQFN16無引腳器件小45%。新封裝不但比競爭產(chǎn)品管腳尺寸更小，而且還節(jié)省了25%的PCB面積。封裝尺寸僅為2 mm x 2 mm（14 引腳）、2 mm x 2.4 mm（16引...
NexperiaDHXQFN封裝 2021-06-30

Nexperia位于曼徹斯特的新8英寸晶圓生產(chǎn)線啟動，首批產(chǎn)品為行業(yè)領(lǐng)先的Qrr品質(zhì)因數(shù)80 V/100 V MOSFET

基礎半導體器件領(lǐng)域的專家Nexperia今日宣布，位于英國曼徹斯特的新8英寸晶圓生產(chǎn)線啟動，首批產(chǎn)品使用最新的NextPower芯片技術(shù)的低RDS(on)和低Qrr，80 V和100 V MOSFET。新生產(chǎn)線將立即擴大Nexperia的產(chǎn)能，新的PSMN3R9-100YSF (100 V)和PSMN3R5-80YSF (80 V)器件將具有行業(yè)內(nèi)極低的Qrr品質(zhì)因數(shù)(RDS(on...
MOSFETNexperia 2021-06-25

Nexperia新型40 V低RDS(on) MOSFET助力汽車和工業(yè)應用實現(xiàn)更高功率密度

領(lǐng)先的SOA和雪崩特性提高了耐用性和可靠性基礎半導體器件領(lǐng)域的專家Nexperia今日宣布推出新型0.55 m?6?8 RDS(on) 40 V功率MOSFET，該器件采用高可靠性的LFPAK88封裝，適用于汽車(BUK7S0R5-40H)和工業(yè)(PSMNR55-40SSH)應用。這些器件是Nexperia所生產(chǎn)的RDS(on) 值最低的40 V器件，更重要...
Nexperia助力汽車 2021-05-27

Nexperia推出全新Trench肖特基整流器旨在為快速開關(guān)應用提高效率

基礎半導體器件領(lǐng)域的專家Nexperia宣布擴充了旗下的Trench肖特基整流器產(chǎn)品組合，最新推出額定電壓和電流分別高達100 V和20 A的全新器件，具有出色的開關(guān)性能和領(lǐng)先的熱性能。新器件采用Nexperia的夾片式FlatPower (CFP)封裝，管腳尺寸遠小于SMA/SMB/SMC器件。 Trench工藝可在降低漏電流的同時，大幅...
NexperiaTrench 2021-05-10

Nexperia第二代650 V氮化鎵場效應管使80 PLUS鈦金級電源可在2 kW或更高功率下運行

基礎半導體器件領(lǐng)域的專家Nexperia今天宣布其第二代650 V功率GaN FET器件系列開始批量供貨。與之前的技術(shù)和競爭對手器件相比，新款器件具有顯著的性能優(yōu)勢。全新的功率GaN FET具有低至35mΩ（典型值）的RDS(on)性能，適用于2 kW至10 kW的單相AC/DC和DC/DC工業(yè)開關(guān)模式電源(SMPS)，特別是必須滿足80 PLUS...
Nexperia 2021-04-27

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