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安森美推出電信用PureEdge時鐘產(chǎn)生器件NB3N3002/5573

安森美半導(dǎo)體擴(kuò)展其PureEdge高性能時鐘產(chǎn)生產(chǎn)品系列，推出NB3N3002和NB3N5573。NB3N3002和NB3N5573是3.3伏(V)時鐘產(chǎn)生器，生成頻率可在25、100、125和200兆赫(MHz)之間選擇的主時鐘信令等級(HCSL)和亞皮秒(ps)抖動的優(yōu)質(zhì)時鐘。這些器件非常適合于PCI Express、千兆位以太網(wǎng)(GbE)和雙列直插內(nèi)存模塊(FBD...
NB3N3002時鐘產(chǎn)生器件 2007-12-17

安森美半導(dǎo)體推出新的晶閘管浪涌保護(hù)器件系列

ON Semiconductor針對電信應(yīng)用推出新的NPxxx系列晶閘管浪涌保護(hù)器件(TSPD)，擴(kuò)充了公司的電路保護(hù)解決方案陣容。 NPxxx系列的44款器件為中心局(CO)、接入端和用戶前端設(shè)備中電信電路提供過壓保護(hù)。這系列器件的應(yīng)用包括調(diào)制解調(diào)器(MODEM)、住宅網(wǎng)關(guān)、數(shù)字用戶線路接入復(fù)用器(DSLAM)和集成語音數(shù)據(jù)(IVD)...
NPxxx晶閘管TSPD 2007-11-21

安森美推出超低電容靜電放電保護(hù)器件系列的首款產(chǎn)品

安森美推出新的超低電容靜電放電(ESD)保護(hù)器件系列的首款產(chǎn)品。新的ESD9L是一款單線ESD保護(hù)器件，提供0.5皮法(pF)電容和業(yè)界領(lǐng)先的低鉗位電壓。這元件采用適合ESD保護(hù)應(yīng)用的業(yè)內(nèi)最小封裝，非常適用于手機(jī)、MP3播放器、個人數(shù)字助理(PDA)和數(shù)碼相機(jī)等便攜應(yīng)用的高速數(shù)據(jù)線路保護(hù)。隨著更新的集成電路(I...
超低電容靜電放電保護(hù)器件 2007-10-16

安森美推出雙輸出、超高精度低壓降穩(wěn)壓器NCP590

安森美推出極高精度的NCP590系列雙輸出CMOS低壓降(LDO)穩(wěn)壓器。該系列器件采用超小、低高度的封裝，非常適合電池供電的消費(fèi)類產(chǎn)品和微處理器控制的便攜應(yīng)用，如手機(jī)、個人數(shù)字助理(PDA)、GPS和便攜式媒體播放器(PMP)。 NCP590 LDO系列每路輸出能夠提供高達(dá)300毫安(mA)的電流，特別結(jié)合了工藝與架構(gòu)，能...
NCP590超高精度低壓降穩(wěn)壓器 2007-09-26

安森美推出兩款新的時鐘分配器件NB4N121K/111K

安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)推出兩款新的時鐘分配器件，擴(kuò)展了高性能ECLinPS時鐘管理產(chǎn)品系列。新的NB4N121K和NB4N111K為全面緩沖雙列直插內(nèi)存模塊(FBDIMM)應(yīng)用提供差分主時鐘信令等級(HCSL)輸出和極低傳輸延遲變異。器件新的NB4N121K和NB4N111K都是3.3伏(V)時鐘分配器件，帶有差分HCSL輸出，針對...
NB4N111KNB4N121K 2007-08-10

安森美推出集成充電和電源開關(guān)電路NUS3116

安森美半導(dǎo)體為手機(jī)等小形狀系數(shù)便攜電子產(chǎn)品推出集成充電和電源開關(guān)電路NUS3116。這電路整合了主電池開關(guān)、墻式充電開關(guān)和USB充電開關(guān)于一身，優(yōu)化手持電子產(chǎn)品的充電性能和節(jié)省彌足珍貴的電路板占用空間。 NUS3116 集成了主電源開關(guān) 12 伏 (V)、6.2 安培 (A) 的 μCool單 P 溝道 MOSFET，處理主電池開...
NUS3116電源開關(guān)電路 2007-08-01

安森美推出超小型三路輸出LED驅(qū)動器NCP5623

安森美半導(dǎo)體推出高能效三路輸出LED驅(qū)動器 - NCP5623，帶有I2C接口，并且內(nèi)置漸進(jìn)調(diào)光功能。該器件特別設(shè)計用于驅(qū)動手機(jī)和MP3播放器等便攜產(chǎn)品中的三色RGB (紅、綠、藍(lán))LED裝飾光和增強(qiáng)型LCD背光。NCP5623采用小巧LLGA-12封裝，是目前市場上采用非凸點式塑料封裝中體積最小的RGB LED電荷泵驅(qū)動器。 NCP...
NCP5623三路輸出LED驅(qū)動器 2007-07-23

安森美擴(kuò)展高能效低 Vce(sat) 雙極結(jié)晶體管產(chǎn)品

安森美半導(dǎo)體推出采用先進(jìn)硅技術(shù)的 PNP 與 NPN 器件，豐富了其業(yè)界領(lǐng)先的低 Vce(sat) 雙極結(jié)晶體管 (BJT) 產(chǎn)品系列。這兩種新型晶體管與傳統(tǒng)的 BJT 或平面 MOSFET相比，不僅實現(xiàn)了能效的最大化，而且還延長了電池的使用壽命。最新的低 Vce(sat) BJT 包括WDFN、SOT-23、SOT-223、SOT-563、ChipFET 及 SC...
NPN器件雙極結(jié)晶體管 2007-07-10

安森美高能效雙輸出直流-直流轉(zhuǎn)換器NCP5810

安森美半導(dǎo)體（ON Semiconductor）推出2瓦（W）雙輸出直流-直流轉(zhuǎn)換器NCP5810，提供正負(fù)輸出電壓。該器件的輸出電壓精確、高轉(zhuǎn)換頻率和小尺寸封裝使其尤為適合為有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管（有源矩陣OLED或AMOLED）面板的顯示驅(qū)動供電，用于便攜式應(yīng)用的新興顯示技術(shù)。有源矩陣OLED這項最新的顯示技術(shù)，盡...
NCP5810雙輸出直流-直流轉(zhuǎn)換器 2007-06-14

安森美將先進(jìn)的制造工藝擴(kuò)展到HighQ硅-銅IPD領(lǐng)域

安森美半導(dǎo)體（ON Semiconductor）宣布，將其先進(jìn)的制造工藝技術(shù)擴(kuò)大到HighQ硅-銅集成無源器件(IPD)的制造服務(wù)領(lǐng)域。與昂貴、超高性能的基于砷化鎵-金工藝無源器件相比，這創(chuàng)新的8英寸晶圓技術(shù)比原來較低精密程度的硅-銅工藝成本更低，性能更高。 HighQ IPD工藝技術(shù)是諸如不平衡變換器、耦合器和濾波器...
HighQ硅-銅IPD領(lǐng)域 2007-06-13

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