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關鍵型IFF和航空電子應用的信號完整性和范圍得到大幅提升移動應用、基礎設施與航空航天、國防應用中 RF 解決方案的領先供應商 Qorvo®, Inc.近日推出全球功率最高的碳化硅基氮化鎵（GaN－on－SiC）RF晶體管－－－QPD1025。QPD1025在65 V下運行1.8KW，提供出色的信號完整性和更大的范圍，這對L頻段航... （來源：新品頻道）
Qorvo GaN－on－SiC晶體管 QPD1025 2018-3-22 09:30
ST推出S系列 1200V IGBT絕緣柵雙極晶體管。當開關頻率達到8kHz時，新系列雙極器件的導通和關斷綜合損耗創市場新低，大幅度提升不間斷電源、太陽能發電、電焊機、工業電機等類似設備的電源轉換效率。 新S系列擁有當前1200V IGBT市場上最低的飽和電壓（VCE(sat)），可確保更低的壓降與最小的功率耗散，... （來源：新品頻道）
STS系列1200V IGBT絕緣柵雙極晶體管雙極器件 2015-6-26 10:50
Diodes公司推出全新20V NPN及PNP雙極晶體管，它們采用超小型DFN1411-3表面貼裝封裝，能大大提升電源管理電路的功率密度和效率。該器件采用了Diodes第五代矩陣射極雙極工藝設計 (5 matrix emitter Bipolar process)。 這對互補性器件ZXTN26020DMF和ZXTP26020DMF的占位面積只有1.1 x 1.4毫米，離版高度為... （來源：新品頻道）
DiodesNPNPNP雙極晶體管 2010-7-20 10:13
Zetex推出一系列微型NPN及PNP晶體管，以迎合新一代電源設備中MOSFET柵極驅動需求。全新的ZXTN及ZXTP晶體管是首次采用SOT23FF封裝的雙極器件，占板面積為2.5 x 3mm，板外高度只有1mm。它們可提供更低的飽和電壓和更高的電流增益保持，有助于改善電路效率和降低工作溫度。 20V的 ZXTN19020CFF和ZXTP19020... （來源：新品頻道）
ZXTN19020CFFZXTP19020CFF 2007-8-22 13:06
11月25日訊，Zetex公司推出晶體管/肖特基二極管組合封裝器件ZX3CD和ZXMxS系列，有N-MOSFET和P-MOSFET以及NPN和PNP雙極管不同版本，封裝尺寸為3x2x0.9mm，比通常的SM8封裝小88%。該器件的封裝進一步降低了熱阻，使PC板面積上電流處理能力增加了三倍。雙極器件的指標包括有Ic電流在3A到4.5A之間，1A時的飽... （來源：新品頻道）
晶體管 2002-11-28 13:36
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