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XP018平臺新增極具競爭力的第二代高壓基礎器件全球公認的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）今日宣布，更新其XP018高壓CMOS半導體制造平臺，增加全新40V和60V高壓基礎器件——這些器件具有可擴展SOA，提高運行穩健性。與上一代平臺相比，此次更新的第二代高壓基礎器件... （來源：新聞頻道）
X－FAB CMOS代工 2024-5-20 15:20
為了滿足應用的要求，為PFC選擇的拓撲結構是一個重要考慮因素，它們將決定整體的解決方案和性能。此外，并非所有拓撲結構都可以滿足所有要求，就像并非所有拓撲結構都支持三電平開關或雙向性。之前我們介紹過三相功率因數校正系統的優點和設計三相PFC時的注意事項，本文將介紹一些常見的三相拓撲結構并... （來源：技術文章頻道）
整流器 三相拓撲 安森美 2024-1-4 10:25
隨著便攜式電子產品、“智能設備”和汽車電子產品的不斷普及，對 IC 中嵌入模擬功能的需求也不斷增加。這推動了對特定模擬技術的需求，這些技術在整個半導體市場中所占的份額越來越大。隨著便攜式電子產品、“智能設備”和汽車電子產品的不斷普及，對 IC 中嵌入模擬功能的需求也不斷增加。這推動了對特... （來源：技術文章頻道）
模擬技術ESD 穩健設計 2023-10-25 11:15
作者： Stephen Russell，一年的結束通常是回顧和反思的時候。在TechInsights 2021年底發布的功率半導體博客中，我們總結了SiC MOSFET設計的一些最新發展[1]。盡管人們對寬帶隙(WBG)功率半導體器件感到興奮，但硅基絕緣柵雙極晶體管(IGBTs)在今天比以往任何時候都更加重要。在我們10月份發布的電動汽車... （來源：技術文章頻道）
IGBT功率半導體絕緣柵雙極晶體管 2023-7-25 11:32
自TechInsights于2021年底推出電源管理集成電路（PMIC）工藝分析頻道以來，已分析了多種器件。內容囊括高壓柵極驅動器和汽車級電源轉換IC，乃至移動電源管理集成電路。據觀察，越來越多的制造商嘗試以共同封裝配置或與硅IC本身“全集成”的方式將無源元件集成至電源管理集成電路產品。與所有電力電子產... （來源：技術文章頻道）
電源管理集成電路集成無源元件集成穩壓器 2023-2-8 11:21
作者：Martin Schulz；Karl Lehnhoff盡管有關電動交通的大部分討論一直圍繞于無人駕駛汽車及其在擁堵道路上安全導航的能力，但開發和部署緊湊、高效的充電基礎設施是此類汽車達到較高普及率的一項重要前提。在未來，對電動汽車充電樁存在需求的將不僅包括大都會及周邊公路，還包括居民區。充電樁的相關... （來源：技術文章頻道）
高功率電動汽車充電充電樁拓撲技術 2022-11-21 10:37
作者：南敬昌，黎淑蘭，劉元安，唐碧華，來源：趨勢與展望對當前各種類型射頻微波晶體管的結構特點、性能和應用情況進行了分析和綜述。對晶體管的發展歷史進行了全面而細致的回顧，指明了今后射頻微波晶體管的發展特點和發展趨勢，得出了射頻微波晶體管的選型原則。1 引 言半導體技術的發展，促進... （來源：技術文章頻道）
功率器件 射頻微波晶體管 2022-10-21 13:21
引言自從1989年國際整流器公司(IR)率先推出首款單片式高壓驅動產品以來，高壓集成電路(HVIC)技術就開始利用獲得專利的單片式結構，集成雙極器件、CMOS及橫向DMOS器件，設計出了擊穿電壓分別高于700V和1400V的產品；這些高壓驅動芯片可以工作在600V和1200V偏置電壓下。2016年英飛凌完全收購IR后，英飛凌... （來源：技術文章頻道）
PN結隔離(JI)技術 驅動芯片 2022-4-11 14:15
韓國唯一一家純晶圓代工廠啟方半導體（Key Foundry）今天宣布其0.18微米高壓BCD（雙極-CMOS-DMOS）工藝已經開始量產。 BCD是一種單片集成工藝技術，它將用于模擬信號控制的雙極器件、用于數字信號控制的CMOS和用于高壓處理的DMOS同時制作在同一個芯片上。這種工藝適用于各種功率半導體產品，具有高電壓... （來源：新聞頻道）
啟方半導體 2022-2-28 10:20
半導體分析機構 Yole Développement 發布了最新的有關全球功率半導體未來走勢的報告。 報告認為，到 2026 年，全球功率半導體總規模將超過 250 億美元，2020-2026 的年復合增長率為 3%。移動和消費市場是功率半導體最大的應用領域，預計到 2026 年將達到 115 億美元。汽車和工業應用增長最快，同一時間... （來源：新聞頻道）
電動汽車半導體 2021-12-6 13:40
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