碳化硅作為一種寬禁帶半導體材料，具有獨特的物理和電性特性，其能帶間隔是硅的 2.8 倍，絕緣擊穿場強為硅的 5.3 倍，導熱率為硅的 3.3 倍，這些特性使得碳化硅肖特基二極管能夠在高電壓、高頻率和高溫條件下穩(wěn)定運行，在功率器件領域展現出巨大潛力。 魯晶半導體推出5000V SiC SBD，主要應用在電力... （來源：新品頻道）
魯晶半導體碳化硅肖特基二極管 2025-6-3 15:26
牽引功率單元（TPU）、輔助動力裝置（APU）、固態(tài)變壓器（SST）、工業(yè)電機驅動和能源基礎設施解決方案的系統(tǒng)設計人員需要借助高壓開關技術來提高效率和可靠性，并減小系統(tǒng)尺寸和重量。Microchip Technology Inc.（美國微芯科技公司）今日宣布擴大其碳化硅產品組合，推出業(yè)界導通電阻【RDS(on)】最低的3... （來源：新品頻道）
Microchip碳化硅SiC功率器件 2022-3-23 09:56
如今為商用車輛推進系統(tǒng)提供動力的節(jié)能充電系統(tǒng)，以及輔助電源系統(tǒng)、太陽能逆變器、固態(tài)變壓器和其他交通和工業(yè)應用都依賴于高壓開關電源設備。為了滿足這些需求，Microchip Technology Inc.（美國微芯科技公司）今日宣布擴大其碳化硅產品組合，推出一系列高效率、高可靠性的1700V碳化硅MOSFET裸片、分... （來源：新品頻道）
Microchip1700V MOSFET 2021-7-28 16:23
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