埃賦隆半導體(Ampleon)利用先進的LDMOS晶體管技術,推出了B11G3338N80D推挽式3級全集成Doherty射頻晶體管——該晶體管是GEN11 Macro驅動器系列的載體產品,涵蓋所有6GHz以下頻段。這種高效的多頻段器件覆蓋3.3至3.8GHz的頻率范圍,可實現下一代大功率和具有市場領先效率的宏基站。 該驅動器產品系... (來源:新品頻道)
Ampleon5G NR4G LTEDoherty MMIC驅動器 2022-2-25 16:03
埃賦隆半導體(Ampleon)今天宣布推出兩款新型寬帶碳化硅基氮化鎵(GaN-on-SiC)高電子遷移率晶體管(HEMT),功率等級分別為30W的CLF3H0060(S)-30和100W的CLF3H0035(S)-100。這兩款高線性度器件是我們最近通過認證并投入生產的第3代GaN-SiC HEMT工藝的首發產品。 這些器件提供了低偏置下的寬帶高... (來源:新品頻道)
Ampleon氮化鎵晶體管 2022-2-23 11:04
埃賦隆半導體(Ampleon)今天宣布推出BLC10G27XS-400AVT 400W非對稱Doherty射頻功率晶體管。此Doherty晶體管專為在2.496GHz至2.690GHz頻率范圍內工作的基站多載波應用而設計,其采用了埃賦隆備受業界推崇的第9代28V LDMOS工藝技術。該Doherty晶體管采用氣腔塑料(ACP)無耳SOT-1258-4封裝制造,通常可提... (來源:新品頻道)
埃賦隆Doherty射頻功率晶體管BLC10G27XS-400AVT 2021-10-28 09:51
埃賦隆半導體(Ampleon)宣布進一步擴展其下一代放大器IC產品組合。這些器件基于該公司的先進加固技術(ART)制作;由于采用了耐用設計,它們能夠應對最惡劣的工作條件。 憑借1400W和1600W的額定功率,全新ART1K6x系列中的器件可在1MHz至450MHz的頻率范圍內工作。高擊穿電壓使它們能夠用于48V的E類功... (來源:新品頻道)
AmpleonART1K6PH (G) 2021-9-1 09:33
埃賦隆半導體(Ampleon)宣布推出兩款新的寬帶放大器系列——額定電壓為32V的BLP15M9Sxxx器件和額定電壓為50V的BLP15H9Sxxx器件, 從而進一步加強其先進而又高性價比的射頻功率放大器解決方案的產品組合。 BLP15M9Sxxx和BLP15H9Sxxx這兩個系列分別基于公司的第9代LDMOS技術和高壓LDMOS技術生產,并... (來源:新品頻道)
埃賦隆半導體LDMOS晶體管 2021-7-7 09:40
埃賦隆半導體(Ampleon)基于其先進的LDMOS晶體管技術并利用高度集成,針對下一代小基站基礎設施和大規模MIMO實施提供了全面的射頻功率放大器器件組合。該公司的LGA系列功率放大器采用50Ω輸入/輸出的小尺寸(尺寸為7mm×7mm)封裝供貨,能夠實現業界領先的性能參數。該系列中的高增益器件覆蓋了從700MHz... (來源:新品頻道)
埃賦隆半導體LDMOS晶體管 2021-7-1 17:02
埃賦隆半導體(Ampleon)現已發布BLU9H0408L-800P 800W射頻功率晶體管。它采用埃賦隆最新的第九代(Gen9)(50V)LDMOS工藝技術,專門為工作在400MHz至800MHz超高頻(UHF)頻段的大功率雷達系統而設計。 BLU9H0408L-800P完美適用于大功率遠程雷達系統,支持現代雷達所需要的長脈沖和高占空比要求,... (來源:新品頻道)
埃賦隆半導體BLU9H0408L-800P 2020-10-29 11:40
埃賦隆半導體(Ampleon)現已發布BLF989E射頻功率晶體管,這一晶體管采用了最新的第九代高壓(50V)LDMOS工藝技術。BLF989E是針對用于下一代UHF電視發射機所需的高效Doherty放大器而設計的。 作為UHF廣播應用射頻功率晶體管的全球市場領導者,Ampleon開發了BLF989E來滿足市場對電視發射機更高效運行... (來源:新品頻道)
晶體管Doherty埃賦隆半導體BLF989E 2020-10-16 10:04
埃賦隆半導體(Ampleon)今天宣布推出BPF0910H9X600托盤放大器,這是一款完整的600W射頻功率LDMOS模塊,適用于在915MHz ISM頻段工作的工業、科學和醫療應用。 這款固態放大器當中的射頻功率晶體管,采用埃賦隆第9代50V LDMOS工藝制造。它是專門設計的,用來滿足希望通過使用現成的射頻放大器來加快... (來源:新品頻道)
埃賦隆915MHz ISM托盤放大器BPF0910H9X600 2020-7-7 13:28
埃賦隆半導體(Ampleon)現在宣布基于其成熟的第9代高壓LDMOS工藝技術派生出高級加固技術(Advanced Rugged Technology,ART),并借此開發出新系列射頻功率器件中的首款產品。這個新工藝的開發旨在用于實現極其堅固的、工作電壓高達65V的晶體管。 首款采用該工藝的產品ART2K0FE是一款2kW的晶體管,... (來源:新品頻道)
2kW RF功率LDMOS晶體管 射頻功率器件 2019-5-9 14:15