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↓在全部中搜索到 22 條關于“Ampleon”的信息，用時:0.069 sec.

總價超百億元！錫產微芯完成對荷蘭Ampleon收購，成全球第二大移動基站射頻器件供應商

據河南資產管理有限公司（以下簡稱“河南資產”）此前公布的消息顯示，河南資產于2022年5月參與投資的無錫錫產微芯半導體有限公司（以下簡稱“錫產微芯”）近期完成了對全球第二大移動基站射頻半導體企業荷蘭Ampleon公司（以下簡稱“安譜隆”）的收購，本次交易金額超過百億元，系今年以來中國最大的半...
錫產微芯Ampleon移動基站射頻器件 2022-07-25

Ampleon為5G NR和4G LTE宏基站應用提供緊湊型多級Doherty MMIC驅動器，借此擴展無隔離器的6GHz以下產品線

埃賦隆半導體（Ampleon）利用先進的LDMOS晶體管技術，推出了B11G3338N80D推挽式3級全集成Doherty射頻晶體管——該晶體管是GEN11 Macro驅動器系列的載體產品，涵蓋所有6GHz以下頻段。這種高效的多頻段器件覆蓋3.3至3.8GHz的頻率范圍，可實現下一代大功率和具有市場領先效率的宏基站。該驅動器產品系...
Ampleon5G NR4G LTEDoherty MMIC驅動器 2022-02-25

Ampleon為5G NR和4G LTE宏基站應用提供緊湊型多級Doherty MMIC驅動器

埃賦隆半導體（Ampleon）利用先進的LDMOS晶體管技術，推出了B11G3338N80D推挽式3級全集成Doherty射頻晶體管——該晶體管是GEN11 Macro驅動器系列的載體產品，涵蓋所有6GHz以下頻段。這種高效的多頻段器件覆蓋3.3至3.8GHz的頻率范圍，可實現下一代大功率和具有市場領先效率的宏基站。該驅動器產品系...
Ampleon5G NR4G LTEDoherty MMIC驅動器 2022-02-25

Ampleon發布增強性能的第3代碳化硅基氮化鎵晶體管

埃賦隆半導體（Ampleon）今天宣布推出兩款新型寬帶碳化硅基氮化鎵（GaN-on-SiC）高電子遷移率晶體管（HEMT），功率等級分別為30W的CLF3H0060(S)-30和100W的CLF3H0035(S)-100。這兩款高線性度器件是我們最近通過認證并投入生產的第3代GaN-SiC HEMT工藝的首發產品。這些器件提供了低偏置下的寬帶高...
Ampleon氮化鎵晶體管 2022-02-23

優化的Ampleon射頻放大器功能強大可應對具有挑戰性的應用場景

埃賦隆半導體（Ampleon）宣布進一步擴展其下一代放大器IC產品組合。這些器件基于該公司的先進加固技術（ART）制作；由于采用了耐用設計，它們能夠應對最惡劣的工作條件。憑借1400W和1600W的額定功率，全新ART1K6x系列中的器件可在1MHz至450MHz的頻率范圍內工作。高擊穿電壓使它們能夠用于48V的E類功...
AmpleonART1K6PH (G) 2021-09-01

Ampleon發布800W高效射頻功率晶體管

Ampleon發布了BLU9H0408L-800P 800W射頻功率晶體管。BLU9H0408L-800P采用了Ampleon最新的Gen9（50v）LDMOS工藝技術，專門設計用于在400MHz至800MHz 超高頻頻段(UHF)工作的高功率雷達系統。 BLU9H0408L-800P非常適合用于大功率、遠程雷達系統，支持現代雷達所需的長脈沖長度和高占空比，同時還提...
AmpleonBLU9H0408L－800P 2020-11-04

埃賦隆推出“突破性” Si LDMOS器件，在VHF和UHF應用中效率達到80%

BLF978P – 1200W Si LDMOS和BLF974P – 500W Si LDMOS 荷蘭奈梅亨，2020年7月02日 - 埃賦隆半導體（Ampleon）今天宣布，在其第9代高性能50V Si LDMOS高效率射頻功率晶體管產品系列中新增兩款產品——BLF978P和BLF974P。這兩款產品專為超高功率射頻功率放大器而設計，可提供數百千瓦功率，并...
Si LDMOS器件射頻功率放大器晶體管 2020-07-03

Ampleon 為數字廣播提供最先進的射頻功率解決方案來應對各種挑戰

作者:Alan Hutton, Walter Sneijers, Herm Titulaer and Houssem Schuick 引言廣播業正處于一個根本性的變革時期。在歐洲，數字視頻廣播 —— 第二代地面（DVB-T2）發射機仍在繼續推出。在美國，美國聯邦通信委員會（FCC）已經采取行動來解決由于5G到來而引發的迫在眉睫的頻譜危機，并啟動了...
5G技術射頻功率數字廣播 2019-10-29

Ampleon面向粒子加速器應用推出62%效率的Gen9HV LDMOS晶體管而引領射頻功率效率

埃賦隆半導體（Ampleon）今天宣布推出一款750W的Gen9HV LDMOS RF功率晶體管BLF13H9L750P，專門設計用于運作在1.3GHz頻譜的粒子加速器應用。該晶體管采用陶瓷4引腳SOT539形式并采用法蘭螺栓固定封裝（BLF13H9L750P）和法蘭無耳封裝（BLF13H9LS750P），可提供優于62%、據信是同類產品中最高的效率。憑借如...
AmpleonGen9HV LDMOS RF功率晶...粒子加速器應用 2018-09-26

SOT502 ISM頻段小型射頻功放晶體管可為射頻能量應用提供600W功率

安譜隆半導體（Ampleon）今天宣布，推出600W的BLF0910H9LS600 LDMOS功率放大器晶體管。這是第一款采用安譜隆最新Gen9HV 50V LDMOS工藝的射頻能量晶體管——該節點已為大幅提高效率、功率和增益做了優化。它設計用于900到930MHz ISM頻段中的工業加熱連續波（CW）射頻能量應用。該晶體管采用小型陶瓷SOT5...
SOT502 ISM頻段小型射頻功放晶體管射頻能量應用AmpleonBLF0910H9LS600 LDMOS 2018-02-09

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