在全球新能源汽車行業蓬勃發展的浪潮中，高效、可靠的電力電子組件成為推動行業前進的關鍵力量。中恒微半導體作為行業內的佼佼者，隆重推出 Mini Z3 封裝的車用 IGBT 模塊，采用新一代的750V 新技術車規級芯片，進一步提升車用IGBT模塊的性能。一、產品介紹中恒微Mini Z3 封裝功率模塊優先推出750V-650... （來源：新品頻道）
中恒微 IGBT Mini Z3功率模塊 2024-12-24 10:00
器件節省空間，工作溫度高達+165 °C，電感值達4.7 mH日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出兩款新型1008封裝功率電感器---商用版IHLL-1008AB-1Z和車規級IHLP-1008ABEZ-5A，外形尺寸為2.5 mm x 2.0 mm x 1.2 mm。今天推出的這兩款功率電感器性能與更大... （來源：新品頻道）
Vishay 電感器 IHLL－1008AB－1Z IHLP－1008ABEZ－5A 2024-10-16 10:01
意法半導體推出了各種常用橋式拓撲的ACEPACK™ SMIT 封裝功率半導體器件。與傳統 TO 型封裝相比，意法半導體先進的ACEPACK™ SMIT 封裝能夠簡化組裝工序，提高模塊的功率密度。 工程師有五款產品可選：兩個 STPOWER 650V MOSFET半橋模塊、一個 600V超快二極管整流橋、一個 1200V 半橋全波... （來源：新品頻道）
意法半導體 ACEPACK SMIT 封裝功率半導體器件 2023-1-16 14:03
ST推出一系列采用TO-220 FullPAK (TO-220FP)寬爬電間距封裝的功率晶體管，其中包括采用防電弧封裝的全球首款1500V超結MOSFET。 電視和PC等設備常用的開放式電源表面很容易聚集塵土和粉塵，導致功率晶體管引腳之間產生高壓電弧放電現象，TO-220FP寬爬電間距封裝是這類應用功率晶體管的理想選擇。在使... （來源：新品頻道）
STTO－220 FullPAKTO－220FP寬爬電間距封裝功率晶體管 2016-8-16 16:09
英飛凌科技股份公司近日面向大電流應用的汽車推出一款具備全球最低通態電阻的30V功率MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）。全新的 OptiMOS－T2 30V MOSFET 是一款N溝道器件，在10ｖ柵源電壓條件下，漏極電流為180A，而通態電阻僅為０．9毫歐。采用D2PAK－7封裝的IPB180N03S4L－H0，可滿足客戶對標準... （來源：新品頻道）
InfineonMOSFET 2010-8-6 09:17
ROHM為了滿足便攜式音頻播放器、游戲機和數碼相機等對小型化、薄型化要求高的便攜式機器市場的需要，開發出屬于業界超小級別的二極管封裝「KMD2」(1608 規格尺寸)。按照計劃，采用這種封裝的肖特基勢壘二極管將從2008 年12 月開始逐步供應樣品 (樣品價格100/個); 從2009 年4 月以月產1000 萬個的規模開... （來源：新品頻道）
ROHM二極管封裝KMD21608 規格尺寸 2008-12-31 14:13
Diodes公司擴展其IntelliFET產品系列，推出全球體積最小的完全自保護式低壓側MOSFET。該ZXMS6004FF元件采用2.3 mm x 2.8mm扁平SOT23F封裝，與正在使用的7.3 mm x 6.7mm SOT223封裝的元件相比節省了85%的占板空間。 雖然SOT23F的扁平封裝體積小巧，但其卓越的散熱性能可使ZXMS6004FF提供三倍于同類較大... （來源：新品頻道）
Diodes小體積完全自保護低壓側MOSFET ZXMS6004FF 2008-12-23 14:40
羅姆株式會社為適應對小型化、薄型化要求高的便攜式機器市場的需要，開發出業界超最小尺寸的晶體管封裝「VML0805」(0805規格尺寸)。這次，將從2008年11月開始相繼向用戶提供應用這種封裝的通用三極管和內置有電阻的數字晶體管的樣品 (樣品價格是：100日元/個)。而且，這種新產品按照計劃將從2009年3月起... （來源：新品頻道）
羅姆超小型晶體管封裝VML0805 0805規格尺寸 2008-11-11 15:08
Renesas推出用于筆記本電腦和通信設備等產品的存儲器或ASIC同步整流DC/DC轉換器的RJK0383DPA雙類型功率MOSFET。該器件可以實現更高的電源效率。樣品將從2008年10月開始在日本交付。 RJK0383DPA集成了兩種不同類型的雙功率MOSFET，構成了一個采用WPAK（瑞薩科技封裝代碼）高熱輻射封裝的同步整流DC/DC轉... （來源：新品頻道）
RJK0383DPA雙類型功率MOSFETASIC同步整流DC/DC轉換器存儲器 2008-7-24 17:34
Vishay 推出20V P 通道 TrenchFET? 功率 MOSFET Vishay推出了旨在滿足對便攜式設備中更小元件的需求的 20V p 通道 TrenchFET 功率 MOSFET，該器件采用 MICRO FOOT 芯片級封裝，具有此類器件中業界最薄厚度及最低導通電阻。 Vishay Siliconix Si8441DB 具有 0.59mm 的超薄厚度，以及 1.5mm×1mm 的占位... （來源：新品頻道）
TrenchFET 功率 MOSFETMICRO FOOT 芯片級封裝 2008-4-9 16:38
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