弘大在韓國已經(jīng)開發(fā)出了常關(guān)單片氮化鎵（GaN）上硅開關(guān)裝置，包括一鉗位電路和常通型金屬氧化物半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)場效應(yīng)晶體管（MOSHFET）相宇Han等，IEEE電子器件快報，網(wǎng)上28日公布2015年四月。常斷設(shè)備優(yōu)選用于功率開關(guān)應(yīng)用在低功耗方面和故障安全操作。雖然常斷氮化鎵晶體管已經(jīng)使用各種技術(shù)被生產(chǎn)時，... （來源：新品頻道）
韓國Hongik大學(xué)常關(guān)單片氮化鎵（GaN）開關(guān)裝置 2015-5-19 17:20
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