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• 這款轉換器具有高密度，非常適合用于使用28V LDMOS或GaN晶體管的射頻功率放大器應用• 提供高效率，半載時通常為95.5%• 采用工業標準的1/4磚式封裝，輸出可達28V/18A/504W• 具有2250Vdc的輸入至輸出隔離Flex電源模塊（Flex Power Modules）宣布推出PKM4516ADPIHS。這是該公司... （來源：新品頻道）
PKM4516ADPIHSDC－DC轉換器射頻功率放大器（RFPA） 2019-6-25 11:32
ADI全球領先的高性能信號處理應用半導體解決方案供應商，近日推出一款數模轉換器AD9162，它能把未來的電視體驗帶給當今的家庭觀眾，支持觀眾在更多頻道上以史無前例的傳輸和下載速度享受超高清(UHD)和4K電視。新型數模轉換器AD9162代表著一次行業突破，可為寬帶和無線服務運營商提供業界最高的帶寬和動... （來源：新品頻道）
ADI數模轉換器AD9162改善電視觀賞體驗 2016-7-12 16:26
MicroWave IXYS公司的一個部門，使射頻和微波分立器件，微波集成電路，混合動力模塊和connecterized放大器用于無線通信基礎設施，軍事/航空航天，工業和醫療應用）的（MWT）現在提供一家四口的低噪聲放大器（LNA）的工作在較寬的頻率范圍內開放載波模塊的產品： 在2-4GHz MWT-0... （來源：新品頻道）
MicroWaveGaAs寬頻率范圍家庭低噪聲放大器系列 2015-5-25 15:53
為通信、工業和消費應用提供模擬接口零組件的全球領先供應商Avago Technologies（安華高科技）于近日宣布推出其用于基站(BTS)射頻前端設計的超低噪聲放大器(LNA) MGA-634P8。 新品MGA-634P8工作頻段從1500兆赫到2300兆赫，拓展了其LNA系列，涵蓋新的GSM、TDS-CDMA和CDMA蜂窩基礎設施應用。 關鍵功能 ... （來源：新品頻道）
Avago低噪聲放大器MGA－634P8 2010-7-29 10:39
恩智浦半導體推出的支持JESD204A標準的CGV™ 系列數據轉換器，與Altera公司Stratix IV GX及Arria II GX FPGA系列實現互通，今后還將與Cyclone IV GX FPGA系列實現互通。對設備設計者來說，可編程邏輯器件與高速轉換器之間的互通性是關鍵驗收標準之一，因為這種互通可以消除與項目進度相關的風險和... （來源：新品頻道）
NXP數據轉換器 2010-3-4 11:05
智浦半導體推出的支持JESD204A標準的CGV系列數據轉換器，與Xilinx高性能Virtex 6 FPGA及低成本Spartan-6 FPGA系列實現互通。對設備設計者來說，可編程邏輯器件與高速轉換器之間的互通性是關鍵驗收標準之一，因為這種互通可以消除與項目進度相關的風險和成本問題。 恩智浦的新型JESD204A標準CGV轉換器... （來源：新品頻道）
數據轉換器 2010-3-4 11:04
恩智浦半導體（NXP Semiconductors）近日宣布將全力推出符合最新JEDEC JESD204A串行接口標準的高速數據轉換器。恩智浦即將面市的產品組合由新型高速16位模數轉換器(ADC)和數模轉換器(DAC)組成，此款基于JEDEC的數據轉換器將成為同系列中的領銜產品。 強調其遵守JEDEC接口標準的承諾，恩智浦將于下周參... （來源：新品頻道）
NXPJEDEC JESD204A串行接口標準高速數據轉換器 2009-6-5 15:42
Avago推出18到33GHz頻帶應用高效率線性功率放大器產品。Avago的AMMC/P-6333為具備超高增益和功率，并擁有卓越輸入/輸出回波損耗表現的高性能驅動放大器，這款新放大器的主要設計目的是幫助設計工程師符合寬帶驅動放大器的需求，同時不需負電壓來達到更好的射頻性能表現。采裸芯片或表面貼裝封裝供貨，A... （來源：新品頻道）
高性能驅動放大器33GHz頻帶AMMC/P-6333 2008-8-15 15:48
ADS6125（單通道）和 ADS6225（雙通道）均為具有可選并行 DDR LVDS或 CMOS 輸出的高性能 ADC。在 CMOS 模式中 ADS6125 的功耗僅為 415mW（ADS6225 的功耗為 500mW），這些器件是在其速度等級中功耗最低的單通道 ADC，從而延長了高信道密度系統的電池使用壽命并提高了散熱性能。這兩款器件可支持正弦、L... （來源：新品頻道）
數據轉換器ADS6125ADS6225 2008-6-3 13:46
富士通宣布有關新型高可靠性氮化鎵 (GaN) HEMT（高電子移動率電晶體）的最新研究成果，為高功率 GaN HEMT 器件的商業化鋪平了道路。 該項新技術使晶體能在 200 攝氏度的高溫、泄漏電壓為 50 伏 (50V) 的夾斷條件下平穩運行一百萬小時以上（相當于 100 多年），由此獲得了世界上使用壽命最長的 GaN HEMT... （來源：新品頻道）
氮化鎵HEMT 生產技術 2007-7-5 13:32
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