GLOBALFOUNDRIES今日宣布將公司的 55 奈米 (nm) 低功耗強(qiáng)化型 (LPe)制程技術(shù)平臺(tái)進(jìn)行了最新技術(shù)強(qiáng)化, 推出具備ARM公司合格的下一代存儲(chǔ)器和邏輯IP解決方案的 55nm LPe 1V 。“55nm LPe 1V”是業(yè)內(nèi)首個(gè)且唯一支持ARM 1.0/1.2V物理IP庫(kù)的強(qiáng)化型制程節(jié)點(diǎn)，使芯片設(shè)計(jì)人員能夠在單一系統(tǒng)級(jí)芯片（SoC）中使用... （來(lái)源：新品頻道）
GLOBALFOUNDRIESCMOS邏輯制程ARM 2013-2-20 10:21
在下周于加利福尼亞州舊金山舉辦的設(shè)計(jì)自動(dòng)化會(huì)議 (DAC) 上，GLOBALFOUNDRIES 擬利用前柵極（Gate First）高K金屬柵級(jí)技術(shù)（HKMG）展示其28納米超級(jí)功耗（SLP）技術(shù)改進(jìn)的硅晶驗(yàn)證設(shè)計(jì)流程。該流程使用行業(yè)最新的設(shè)計(jì)自動(dòng)化技術(shù)，為先進(jìn)的模擬/混合信號(hào) （AMS）設(shè)計(jì)提供了全面可靠的支持。此外，公司還... （來(lái)源：新品頻道）
GLOBALFOUNDRIES硅晶驗(yàn)證AMS 2012-6-4 10:29
搜索到2條【硅晶驗(yàn)證】相關(guān)的新品。
搜索到2條【硅晶驗(yàn)證】相關(guān)的新品。
查看關(guān)鍵詞的分類(lèi)頻道
