器件采用中央柵極結構3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK® 1212‑F封裝，提高系統功率密度，改進熱性能日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出多功能新型30V n溝道TrenchFET® 第五代功率MOSFET---SiSD5300DN，進一步提高工業、計算機、消費電子和通... （來源：新品頻道）
VishayTrenchFET第五代功率MOSFETSiSD5300DN 2024-2-21 10:03
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）推出多功能新型30 V n溝道TrenchFET®第五代功率MOSFET---SiSS52DN，提升隔離和非隔離拓撲結構功率密度和能效。Vishay Siliconix SiSS52DN采用熱增強型3.3 mm x 3.3 mmPowerPAK® 1212-8S封裝，10 V條件下導通電阻僅為0.95 mW，比... （來源：新品頻道）
VishayMOSFETSiSS52DN 2021-5-25 13:10
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