目標(biāo)應(yīng)用瞄準(zhǔn)工業(yè)設(shè)備和計(jì)算機(jī)外圍設(shè)備的電源轉(zhuǎn)換 意法半導(dǎo)體的STDRIVEG210和STDRIVEG211半橋氮化鎵(GaN)柵極驅(qū)動(dòng)器是為工業(yè)或電信設(shè)備母線電壓供電系統(tǒng)、72V電池系統(tǒng)和110V交流電源供電設(shè)備專門(mén)設(shè)計(jì)，電源軌額定最大電壓220V，片上集成線性穩(wěn)壓器，為上下橋臂提供6V柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)，拉電流和灌電流路... （來(lái)源：新品頻道）
意法半導(dǎo)體柵極驅(qū)動(dòng)器GaNSTDRIVEG210STDRIVEG211 2025-10-23 09:16
在追求高效率、高功率密度和高可靠性的現(xiàn)代電力電子世界中，碳化硅技術(shù)正以前所未有的速度取代傳統(tǒng)硅基器件。魯光電子推出的LGE3D30120H，便是一款采用標(biāo)準(zhǔn)TO-247AC封裝的碳化硅肖特基二極管，它以其卓越的性能，成為中大功率應(yīng)用領(lǐng)域升級(jí)換代的理想選擇。 一、LGE3D30120H主要參數(shù) 核心... （來(lái)源：新品頻道）
魯光LGE3D30120H碳化硅二極管 2025-10-13 11:32
在高通驍龍峰會(huì) 2025 現(xiàn)場(chǎng)獲得了剛剛發(fā)布的驍龍 X2 Elite (Extreme) 和 8 Elite Gen 5 處理器的實(shí)物圖片： 可以看到上圖右側(cè) X2 Elite Extreme 的封裝模塊包含 4 個(gè)主要芯片，即位于偏下位置的處理器本體芯片和 3 顆集成封裝的 DRAM 內(nèi)存芯片，與英特爾 "Lunar Lake" 酷睿 U... （來(lái)源：新品頻道）
高通驍龍 X2處理器 2025-9-25 13:05
全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）今日宣布，推出二合一結(jié)構(gòu)的SiC模塊“DOT-247”，該產(chǎn)品非常適合光伏逆變器、UPS和半導(dǎo)體繼電器等工業(yè)設(shè)備的應(yīng)用場(chǎng)景。新模塊保留了功率元器件中廣泛使用的“TO-247”的通用性，同時(shí)還能實(shí)現(xiàn)更高的設(shè)計(jì)靈活性和功率密度。 目... （來(lái)源：新品頻道）
ROHMSiCDOT247 2025-9-22 15:52
該系列包括六款產(chǎn)品，適用于高增長(zhǎng)電機(jī)驅(qū)動(dòng)、數(shù)據(jù)中心及可持續(xù)發(fā)展應(yīng)用 隨著市場(chǎng)對(duì)緊湊型、高效且可靠的電源解決方案的需求持續(xù)增長(zhǎng)，對(duì)可提供更高功率密度并簡(jiǎn)化系統(tǒng)設(shè)計(jì)的電源管理器件的需求也隨之增加。Microchip Technology Inc.（微芯科技公司）今日宣布推出全新DualPack 3（DP3）系列電源模塊... （來(lái)源：新品頻道）
MicrochipDualPack 3 IGBT7電源模塊 2025-9-18 15:40
iDEAL Semiconductor的SuperQ™技術(shù)現(xiàn)已全面量產(chǎn)，首款產(chǎn)品為150V MOSFET。同時(shí)，一系列200V MOSFET產(chǎn)品也已進(jìn)入送樣階段。 SuperQ是過(guò)去25年來(lái)硅基MOSFET設(shè)計(jì)領(lǐng)域的首次重大突破，在硅功率器件中實(shí)現(xiàn)了前所未有的性能與效率提升。該架構(gòu)突破了硅材料在導(dǎo)通與開(kāi)關(guān)方面的物理瓶頸，將n型導(dǎo)電... （來(lái)源：新品頻道）
iDEALSuperQMOSFET 2025-7-18 13:22
類比半導(dǎo)體（AnalogySemi）推出支持高側(cè)或者低側(cè)通用電流檢測(cè)放大器，其通常用于優(yōu)化系統(tǒng)精密電流測(cè)量或者電流環(huán)路控制電路。該系列產(chǎn)品供電電壓范圍2.7V-5.5V，-0.3V-40V輸入共模電壓范圍可以更好的支持12V汽車應(yīng)用。此外CSA52xQ可以提供4種固定增益，包括：20V/V,50V/V, 100V/V和200V/V。 CSA521x... （來(lái)源：新品頻道）
類比半導(dǎo)體檢測(cè)放大器 2025-6-13 15:43
納芯微發(fā)布專為增強(qiáng)型GaN設(shè)計(jì)的高壓半橋驅(qū)動(dòng)芯片NSD2622N，該芯片集成正負(fù)壓穩(wěn)壓電路，支持自舉供電，具備高dv/dt抗擾能力和強(qiáng)驅(qū)動(dòng)能力，可以顯著簡(jiǎn)化GaN驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)，提升系統(tǒng)可靠性并降低系統(tǒng)成本。 應(yīng)用背景 近年來(lái)，氮化鎵高電子遷移率晶體管(GaN HEMT)憑借高開(kāi)關(guān)頻率、低開(kāi)關(guān)損耗的顯著優(yōu)勢(shì)... （來(lái)源：新品頻道）
納芯微NSD2622N 2025-6-5 12:43
意法半導(dǎo)體推出兩款高壓GaN半橋柵極驅(qū)動(dòng)器，為開(kāi)發(fā)者帶來(lái)更高的設(shè)計(jì)靈活性和更多的功能，提高目標(biāo)應(yīng)用的能效和魯棒性。 STDRIVEG610 和 STDRIVEG611兩款新產(chǎn)品為電源轉(zhuǎn)換和電機(jī)控制設(shè)計(jì)人員提供兩種控制GaN功率器件的選擇，可以提高消費(fèi)電子和工業(yè)應(yīng)用的能效、功率密度和魯棒性。 ... （來(lái)源：新品頻道）
意法半導(dǎo)體半橋驅(qū)動(dòng)器STDRIVEG610STDRIVEG611 2025-5-29 11:03
在全球新能源汽車加速普及的今天，續(xù)航短、充電慢成為行業(yè)發(fā)展瓶頸。為突破這兩大痛點(diǎn)，高功率電壓系統(tǒng)對(duì)1200V耐壓功率芯片的需求愈發(fā)迫切，1200V SiC功率器件成為行業(yè)競(jìng)相攻堅(jiān)的焦點(diǎn)。在這一趨勢(shì)下，聞泰科技半導(dǎo)體業(yè)務(wù)近期推出領(lǐng)先行業(yè)的D2PAK-7封裝車規(guī)級(jí)1200V SiC MOSFET，為電動(dòng)汽車行業(yè)注入強(qiáng)勁新... （來(lái)源：新品頻道）
聞泰科技SiC MOSFET 2025-5-14 09:27
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