器件占位面積小,采用BWL設計,ID高達795 A,可提高功率密度,而且低至0.21 °C/W的RthJC可優化熱性能日前,威世科技Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出采用PowerPAK® 10x12封裝的新型40 V TrenchFET® 四代n溝道功率MOSFET---SiJK140E,該器件擁有優... (來源:新品頻道)
Vishay 40 V MOSFET SiJK140E 2024-12-5 10:28
日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出新型40 V n溝道MOSFET半橋功率級---SiZ240DT,可用來提高白色家電以及工業、醫療和通信應用的功率密度和效率。Vishay SiliconixSiZ240DT在小型PowerPAIR® 3.3 mm x 3.3 mm單體封裝中集成高邊和低邊MOSFET,導通電阻和導通電阻與... (來源:新品頻道)
VishaySiZ240DT 2020-10-27 17:03