器件占位面積小，采用BWL設計，ID高達795 A，可提高功率密度，而且低至0.21 °C/W的RthJC可優化熱性能日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出采用PowerPAK® 10x12封裝的新型40 V TrenchFET® 四代n溝道功率MOSFET---SiJK140E，該器件擁有優... （來源：新品頻道）
Vishay 40 V MOSFET SiJK140E 2024-12-5 10:28
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新型40 V n溝道MOSFET半橋功率級---SiZ240DT，可用來提高白色家電以及工業、醫療和通信應用的功率密度和效率。Vishay SiliconixSiZ240DT在小型PowerPAIR® 3.3 mm x 3.3 mm單體封裝中集成高邊和低邊MOSFET，導通電阻和導通電阻與... （來源：新品頻道）
VishaySiZ240DT 2020-10-27 17:03
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