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↓在新品中搜索到 16 條關于“Ampleon”的信息，用時:0.001 sec.

Ampleon為5G NR和4G LTE宏基站應用提供緊湊型多級Doherty MMIC驅動器，借此擴展無隔離器的6GHz以下產品線

埃賦隆半導體（Ampleon）利用先進的LDMOS晶體管技術，推出了B11G3338N80D推挽式3級全集成Doherty射頻晶體管——該晶體管是GEN11 Macro驅動器系列的載體產品，涵蓋所有6GHz以下頻段。這種高效的多頻段器件覆蓋3.3至3.8GHz的頻率范圍，可實現下一代大功率和具有市場領先效率的宏基站。該驅動器產品系...
Ampleon5G NR4G LTEDoherty MMIC驅動器 2022-02-25

Ampleon發布增強性能的第3代碳化硅基氮化鎵晶體管

埃賦隆半導體（Ampleon）今天宣布推出兩款新型寬帶碳化硅基氮化鎵（GaN-on-SiC）高電子遷移率晶體管（HEMT），功率等級分別為30W的CLF3H0060(S)-30和100W的CLF3H0035(S)-100。這兩款高線性度器件是我們最近通過認證并投入生產的第3代GaN-SiC HEMT工藝的首發產品。這些器件提供了低偏置下的寬帶高...
Ampleon氮化鎵晶體管 2022-02-23

埃賦隆推出400W堅固耐用的Doherty射頻功率晶體管，據此擴展LDMOS基站和多載波產品線

埃賦隆半導體（Ampleon）今天宣布推出BLC10G27XS-400AVT 400W非對稱Doherty射頻功率晶體管。此Doherty晶體管專為在2.496GHz至2.690GHz頻率范圍內工作的基站多載波應用而設計，其采用了埃賦隆備受業界推崇的第9代28V LDMOS工藝技術。該Doherty晶體管采用氣腔塑料（ACP）無耳SOT-1258-4封裝制造，通常可提...
埃賦隆Doherty射頻功率晶體管BLC10G27XS－400AVT 2021-10-28

優化的Ampleon射頻放大器功能強大可應對具有挑戰性的應用場景

埃賦隆半導體（Ampleon）宣布進一步擴展其下一代放大器IC產品組合。這些器件基于該公司的先進加固技術（ART）制作；由于采用了耐用設計，它們能夠應對最惡劣的工作條件。憑借1400W和1600W的額定功率，全新ART1K6x系列中的器件可在1MHz至450MHz的頻率范圍內工作。高擊穿電壓使它們能夠用于48V的E類功...
AmpleonART1K6PH (G) 2021-09-01

埃賦隆半導體推出全新高功能通用寬帶LDMOS晶體管，以適應廣播電視、工業、科學和醫療應用

埃賦隆半導體（Ampleon）宣布推出兩款新的寬帶放大器系列——額定電壓為32V的BLP15M9Sxxx器件和額定電壓為50V的BLP15H9Sxxx器件，從而進一步加強其先進而又高性價比的射頻功率放大器解決方案的產品組合。 BLP15M9Sxxx和BLP15H9Sxxx這兩個系列分別基于公司的第9代LDMOS技術和高壓LDMOS技術生產，并...
埃賦隆半導體LDMOS晶體管 2021-07-07

可增強小基站和mMIMO驅動器系統的全集成型Doherty功率放大器

埃賦隆半導體（Ampleon）基于其先進的LDMOS晶體管技術并利用高度集成，針對下一代小基站基礎設施和大規模MIMO實施提供了全面的射頻功率放大器器件組合。該公司的LGA系列功率放大器采用50Ω輸入/輸出的小尺寸（尺寸為7mm×7mm）封裝供貨，能夠實現業界領先的性能參數。該系列中的高增益器件覆蓋了從700MHz...
埃賦隆半導體LDMOS晶體管 2021-07-01

Ampleon發布800W高效射頻功率晶體管

Ampleon發布了BLU9H0408L-800P 800W射頻功率晶體管。BLU9H0408L-800P采用了Ampleon最新的Gen9（50v）LDMOS工藝技術，專門設計用于在400MHz至800MHz 超高頻頻段(UHF)工作的高功率雷達系統。 BLU9H0408L-800P非常適合用于大功率、遠程雷達系統，支持現代雷達所需的長脈沖長度和高占空比，同時還提...
AmpleonBLU9H0408L－800P 2020-11-04

為遠程超高頻雷達系統而設計的高效堅固的800W LDMOS射頻功率晶體管

埃賦隆半導體（Ampleon）現已發布BLU9H0408L-800P 800W射頻功率晶體管。它采用埃賦隆最新的第九代（Gen9）（50V）LDMOS工藝技術，專門為工作在400MHz至800MHz超高頻（UHF）頻段的大功率雷達系統而設計。 BLU9H0408L-800P完美適用于大功率遠程雷達系統，支持現代雷達所需要的長脈沖和高占空比要求，...
埃賦隆半導體BLU9H0408L－800P 2020-10-29

Ampleon面向粒子加速器應用推出62%效率的Gen9HV LDMOS晶體管而引領射頻功率效率

埃賦隆半導體（Ampleon）今天宣布推出一款750W的Gen9HV LDMOS RF功率晶體管BLF13H9L750P，專門設計用于運作在1.3GHz頻譜的粒子加速器應用。該晶體管采用陶瓷4引腳SOT539形式并采用法蘭螺栓固定封裝（BLF13H9L750P）和法蘭無耳封裝（BLF13H9LS750P），可提供優于62%、據信是同類產品中最高的效率。憑借如...
AmpleonGen9HV LDMOS RF功率晶...粒子加速器應用 2018-09-26

SOT502 ISM頻段小型射頻功放晶體管可為射頻能量應用提供600W功率

安譜隆半導體（Ampleon）今天宣布，推出600W的BLF0910H9LS600 LDMOS功率放大器晶體管。這是第一款采用安譜隆最新Gen9HV 50V LDMOS工藝的射頻能量晶體管——該節點已為大幅提高效率、功率和增益做了優化。它設計用于900到930MHz ISM頻段中的工業加熱連續波（CW）射頻能量應用。該晶體管采用小型陶瓷SOT5...
SOT502 ISM頻段小型射頻功放晶體管射頻能量應用AmpleonBLF0910H9LS600 LDMOS 2018-02-09

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